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公开(公告)号：CN112108944B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202010843765.7
申请日：2020-08-20
Applicant: 浙江工业大学
Abstract: 一种半球谐振子流道约束‑剪切流变抛光方法，包括以下步骤：(1)制备具有剪切流变效应的非牛顿流体抛光液，加入抛光液站；(2)将半球谐振子通过夹具转接到抛光机工件主轴上，调整半球谐振子回转轴线与工件主轴回转轴线同轴；(3)调整抛光头球面与半球谐振子球面同心，启动抛光液循环系统；(4)启动工件主轴，使抛光头相对半球谐振子做相对转动，抛光液在约束流道、抛光头‑谐振子表面间隙形成两个剪切流变流场，控制抛光液流速及工件主轴转速实现半球谐振子高效抛光。以及提供一种半球谐振子流道约束‑剪切流变抛光装置。本发明能够在保持半球谐振子磨削面形精度的前提下，高效去除磨削表面损伤层，实现高效、高质量抛光。
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公开(公告)号：CN117584024A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202410022881.0
申请日：2024-01-08
Applicant: 浙江工业大学
Abstract: 本发明公开了超声振动及电化学辅助的液膜剪切高效抛光装置和方法；所述抛光装置包括抛光槽，用于盛放抛光液；所述抛光槽的槽底设有抛光盘，抛光盘设于抛光盘驱动主轴上；所述抛光槽的内部，位于抛光盘的下方，设有超声波发生器；所述抛光槽的上方设有工件夹持驱动机构，用于夹持工件并驱动工件作旋转运动；所述工件夹持驱动机构与调节机构相连接，可以在调节机构的驱动下上下移动；所述抛光槽与脉冲电源的负极相连，所述工件夹持驱动机构与脉冲电源的正极相连，在抛光时结合抛光槽内的抛光液构成闭合回路。本发明的抛光装置将超声振动、电化学阳极氧化、液膜剪切抛光三项技术进行结合，对工件进行抛光，提高了工件的材料去除效率和加工均匀性。
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公开(公告)号：CN116275448A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310539396.6
申请日：2023-05-15
Applicant: 杭州沈氏节能科技股份有限公司 , 浙江工业大学
Abstract: 本发明涉及扩散焊接技术领域，具体涉及一种基于位移控制的扩散焊接方法及焊接产品。所述基于位移控制的扩散焊接方法包括：对被焊接零件进行清洁和叠放，并置于扩散焊接炉内；对扩散焊接炉内抽真空或向扩散焊接炉内充入保护气体；被焊接零件达到扩散焊接温度时，对被焊接零件通过压头在i个位移时段Tm内施加梯度位移，压头在单个所述位移时段Tm内的位移值为Hi，其中，Hi满足0.05mm≤Hi≤0.4mm，Tm满足10min≤Tm≤20min，m＝2i－1，i为正整数；将压头与被焊接零件脱离，对扩散焊接炉进行降温，即可得到成型产品。本发明提供的基于位移控制的扩散焊接方法，焊接成型的产品质量高，质量稳定。
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公开(公告)号：CN115502870A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202211294837.2
申请日：2022-10-21
Applicant: 浙江工业大学
Abstract: 本发明涉及一种碳化硅晶片抛光设备，包括抛光机械臂、晶片表面等离子软化处理装置、晶片表面抛光装置。抛光机械臂的晶片吸盘上设有晶片电极，晶片电极与晶片吸盘拾取的碳化硅晶片导通，晶片表面等离子软化处理装置包括脉冲电源、不锈钢电极。水基电解液在脉冲电压作用下与碳化硅晶片的表面发生等离子体活化改性反应生成软化层，再通过晶片表面抛光装置打磨去除碳化硅晶片表面上的软化层。本发明采用抛光机械臂、晶片表面等离子软化处理装置、晶片表面抛光装置相结合的自动化精密抛光工艺，相比现有主要依靠人工操作，缺乏专用的抛光设备的工艺方案具有抛光效率高、抛光效果更佳的特点。
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公开(公告)号：CN108098569B
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201711221011.2
申请日：2017-11-29
Applicant: 浙江工业大学
Abstract: 一种抛光蓝宝石晶片的内含钕化物软质磨料固着磨具，所述内含钕化物软质磨料固着磨具原料的配制：按照质量百分比，纳米二氧化硅40％～60％、粘结剂20％～40％、固化剂10％～15％、钕化物5％～10％、其余为去离子水。以及提供一种抛光蓝宝石晶片的内含钕化物软质磨料固着磨具的制作方法，在去离子水中加入固化剂，并搅拌使其溶解，随后加入结合剂、纳米二氧化硅、钕化物等，将其搅拌均匀；将配置好的配料在模具中热压成形，脱模后完成热固化，并对其上下端面进行修整，保证磨具上下端面的平整度和平行度，得到内含钕化物的软质磨料固着磨具。本发明能够提高蓝宝石晶片的去除率并能降低粗糙度，提高加工效率、降低生产成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110135120A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910511031.6
申请日：2019-06-13
Applicant: 浙江工业大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 一种晶圆材料比磨削能的估算方法，所述方法包括以下步骤：1)构建晶片端面磨削模型，将砂轮安装在磨削主轴上，晶片安装在真空吸盘上，在端面磨削期间，砂轮和晶片同时围绕它们各自的中心自转，砂轮和晶片的自转中心是偏心的，同时砂轮沿着垂直轴线向晶片做进给运动；2)比磨削能J是去除单位体积材料所需要的能量，比能通过公式(1)估算。本发明提供一种晶圆材料比磨削能的估算方法，该方法能较为准确地估算出晶圆材料的比磨削能。
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公开(公告)号：CN108081117A
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201711221109.8
申请日：2017-11-29
Applicant: 浙江工业大学
CPC classification number: B24B37/10 , B24B37/14 , B24D18/0009
Abstract: 一种基于软质磨料固着磨具的钽酸锂抛光方法，包括以下步骤：1)基于软质磨料固着磨具原料的配制；2)将配置好的配料在模具中热压成形，脱模后完成热固化，并对其上下端面进行修整，保证磨具上下端面的平整度和平行度；3)将钽酸锂抛光磨具安装于抛光机的上盘，待加工的钽酸锂晶片放置在会旋转的抛光机下盘，用夹具固定住，启动抛光机，并在上下盘之间注入碱性水基冷却液；加工过程中氧化剂、磨粒和钽酸锂晶片发生固相反应，在钽酸锂晶片表面形成一层软质的、易去除的反应生成物，利用磨料与生成物层之间的摩擦作用将生成物层去除，从而实现钽酸锂晶片的抛光。本发明能够提高钽酸锂晶片的去除率并能降低粗糙度，提高加工效率、降低生产成本。
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公开(公告)号：CN105364640B
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201510802005.0
申请日：2015-11-19
Applicant: 浙江工业大学
Abstract: 一种微半环凹模阵列化学‑机械分级复合制造方法，包括如下步骤：1)制作精密球阵列研抛模；2)第一级研抛：采用精密球阵列研抛模，通过化学‑机械加工方法实现微凹模阵列的形状构型；3)第二级研抛：采用所述精密球阵列研抛模进行第二次研抛，通过调整超声振动的参数和Z向进给参数，使得工件的材料去除形式转变为材料塑性去除，降低研抛液中HNA溶液的浓度，减缓HNA溶液对功能材料的化学腐蚀速度；第二次研抛材料去除形式是微细超声振动下的材料塑性去除和HNA溶液对衬底材料的缓慢化学腐蚀作用，可以对微凹模进行修形和表面质量提升。本发明的加工效果:高形状精度、低表面粗糙度、高表面质量、高效率。
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公开(公告)号：CN106736937A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611096371.X
申请日：2016-12-02
Applicant: 浙江工业大学
CPC classification number: B24B7/22 , B24B1/00 , B24B41/068 , B24D7/06
Abstract: 一种基于多场耦合的铁电材料减薄加工方法，铁电材料表面减薄加工时施加反向电场，反向热场和化学场多场耦合作用，所述方法包括以下步骤：(1)表面加工铁电材料，砂轮以ns的转速，f的进给速度对铁电材料进行加工，铁电材料的转速是nw；(2)加工时施加反向电场，反向热场和化学场，电场，热场和化学场交互作用。本发明提供一种提高加工效率的基于多场耦合的铁电材料减薄加工方法。
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公开(公告)号：CN106114035A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610451391.8
申请日：2016-06-20
Applicant: 浙江工业大学
Abstract: 一种砂轮切割成型基于闪耀光栅结构的结构色金属表面的方法，包括下列步骤：(1)对金属工件表面进行平整加工，使其表面粗糙度不超过100nm，金属工件采用硬质合金；(2)用砂轮按照设定的工艺参数在金属工件表面切割出设定的平行沟槽组；工艺参数如下：砂轮与工件表面的夹角为5～30°，砂轮转速为1000～3000rpm，进给速度为20～100mm/min，切割深度为1～5μm；每切割完成一道沟槽，砂轮相对工件偏移3～20μm，再进行下一条沟槽的切割。用该方法加工成型的金属表面具有特定微结构，不但能够像闪耀光栅一样呈现结构色，而且相比加工前具有更好的疏水性，从而具有更强的抗腐蚀能力，和更低的流体流动阻力。
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