公开(公告)号：CN102593155B

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201210052003.0

申请日：2012-03-01

Applicant: 浙江大学

Inventor： 董树荣 ,  吴健 ,  韩成功 ,  黄丽 ,  苗萌 ,  曾杰 ,  马飞 ,  郑剑锋

IPC: H01L29/06 ,  H01L27/02

Abstract: 本发明公开了一种基于多孔道均流的瞬态电压抑制器，包括P+衬底层和P-外延层；第一外延区与P+衬底层之间设有N+埋层，第二外延区上设有N+有源注入区；第一外延区上嵌有N阱，N阱上设有P+有源注入区；P+有源注入区通过金属电极与N+有源注入区相连；N阱与铺设于第一外延区上的N+有源注入层相连；N+有源注入层通过若干内填有N型材料的孔道与N+埋层相连。本发明通过采用多孔道均流技术，将ESD电流均匀引至齐纳结，使得齐纳结收集到的电流密度大体相同，避免了由于电流密度不同导致齐纳结局部失效的现象，有效增大结面积的利用效率，同时降低了导通电阻，提高钳位特性，从而增强器件的抗ESD能力。

公开(公告)号：CN102593155A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201210052003.0

申请日：2012-03-01

Applicant: 浙江大学

Inventor： 董树荣 ,  吴健 ,  韩成功 ,  黄丽 ,  苗萌 ,  曾杰 ,  马飞 ,  郑剑锋

IPC: H01L29/06 ,  H01L27/02

Abstract: 本发明公开了一种基于多孔道均流的瞬态电压抑制器，包括P+衬底层和P-外延层；第一外延区与P+衬底层之间设有N+埋层，第二外延区上设有N+有源注入区；第一外延区上嵌有N阱，N阱上设有P+有源注入区；P+有源注入区通过金属电极与N+有源注入区相连；N阱与铺设于第一外延区上的N+有源注入层相连；N+有源注入层通过若干内填有N型材料的孔道与N+埋层相连。本发明通过采用多孔道均流技术，将ESD电流均匀引至齐纳结，使得齐纳结收集到的电流密度大体相同，避免了由于电流密度不同导致齐纳结局部失效的现象，有效增大结面积的利用效率，同时降低了导通电阻，提高钳位特性，从而增强器件的抗ESD能力。

公开(公告)号：CN102569374A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201210015046.1

申请日：2012-01-18

Applicant: 浙江大学

Inventor： 董树荣 ,  吴健 ,  黄丽 ,  苗萌 ,  曾杰 ,  马飞 ,  郑剑锋

IPC: H01L29/74 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明公开了一种内嵌齐纳触发结构的可控硅器件，包括P-衬底层；P-衬底层上设有并排相连的N-阱和P-阱，N-阱与P-阱的接合处上设有第三N+有源注入区；N-阱上并排设有第一N+有源注入区和第一P+有源注入区；P-阱上并排设有第二P+有源注入区和第二N+有源注入区；第一N+有源注入区和第一P+有源注入区通过第一金属电极相连，第二P+有源注入区和第二N+有源注入区通过第二金属电极相连。本发明通过在可控硅器件中内嵌齐纳管结构，利用齐纳管作为辅助触发单元，可以进一步有效降低可控硅的触发电压，实现低触发电压的ESD防护，使得可控硅可直接应用于电源域为1.2～5V的深亚微米集成电路芯片的ESD防护。

公开(公告)号：CN102569374B

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201210015046.1

申请日：2012-01-18

Applicant: 浙江大学

Inventor： 董树荣 ,  吴健 ,  黄丽 ,  苗萌 ,  曾杰 ,  马飞 ,  郑剑锋

IPC: H01L29/74 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明公开了一种内嵌齐纳触发结构的可控硅器件，包括P-衬底层；P-衬底层上设有并排相连的N-阱和P-阱，N-阱与P-阱的接合处上设有第三N+有源注入区；N-阱上并排设有第一N+有源注入区和第一P+有源注入区；P-阱上并排设有第二P+有源注入区和第二N+有源注入区；第一N+有源注入区和第一P+有源注入区通过第一金属电极相连，第二P+有源注入区和第二N+有源注入区通过第二金属电极相连。本发明通过在可控硅器件中内嵌齐纳管结构，利用齐纳管作为辅助触发单元，可以进一步有效降低可控硅的触发电压，实现低触发电压的ESD防护，使得可控硅可直接应用于电源域为1.2～5V的深亚微米集成电路芯片的ESD防护。

公开(公告)号：CN215632515U

公开(公告)日：2022-01-25

申请号：CN202121381808.0

申请日：2021-06-21

Applicant: 浙江大学建筑设计研究院有限公司

Inventor： 黄丽 ,  姜浩 ,  周志敏

IPC: E06B3/66 ,  E06B3/677 ,  E06B7/23 ,  E04B2/96

Abstract: 本申请公开了一种玻璃幕墙开启扇，包括扇框和粘接在扇框一侧的玻璃面板，还设有护边，沿垂直玻璃面板方向、所述护边一端带有限位折弯，该限位折弯与玻璃面板背向扇框的一侧抵靠限位，所述护边另一端带有卡合部，且延伸至玻璃面板朝向扇框的一侧；所述扇框开设有槽口朝向玻璃面板的卡槽，所述卡合部伸入卡槽并与卡槽的内壁相抵，所述卡槽的内壁与玻璃面板之间具有30～60°的夹角。本申请通过在护边上设置有与扇框卡槽内壁相配合的卡合部，并使卡槽的内壁与玻璃面板具有一定的夹角，相比于现有技术防脱效果更好，另外将护边分为两部分，使其安装更加方便。

公开(公告)号：CN216156909U

公开(公告)日：2022-04-01

申请号：CN202121815470.5

申请日：2021-08-04

Applicant: 浙江大学建筑设计研究院有限公司

Inventor： 姜浩 ,  陈建 ,  黄丽 ,  周志敏

IPC: E04B2/96

Abstract: 本申请提供了一种玻璃幕墙，所述玻璃幕墙包括框架、玻璃面板、压板以及装饰条，所述玻璃面板的边缘夹持固定于所述压板和所述框架之间，所述装饰条安装于所述压板，所述压板连接有第一挂槽，所述装饰条连接有第一挂钩，所述第一挂钩和所述第一挂槽相互配合并在所述玻璃面板的法向上相互限位，所述装饰条安装有锁定件，在所述玻璃面板的延伸向上，所述第一挂槽夹在所述第一挂钩和所述锁定件之间。本申请提供的玻璃幕墙，结构稳定且安装便利。