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公开(公告)号:CN119065211A
公开(公告)日:2024-12-03
申请号:CN202411422657.7
申请日:2024-10-11
Applicant: 浙江大学 , 浙江大学杭州国际科创中心 , 浙江创芯集成电路有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本申请涉及一种基于逐步回归的光刻工艺窗口分析方法、装置和设备。所述方法包括:获取光刻胶图形图像数据以及确定光刻工艺窗口所需的约束条件;确定光刻胶图形特征与曝光能量和焦距之间满足的光刻工艺模型以及光刻工艺模型的逐步回归方向;按照逐步回归方向所指示的方向,根据光刻胶图形图像数据对光刻工艺模型进行逐步回归,得到多个候选光刻工艺模型,以及各候选光刻工艺模型的模型选择指标值;根据模型选择指标值,从多个候选光刻工艺模型中确定目标光刻工艺模型;根据约束条件和目标光刻工艺模型,确定光刻工艺窗口。采用本方法能够提高焦距能量矩阵数据的分析结果的准确度。
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公开(公告)号:CN119828423A
公开(公告)日:2025-04-15
申请号:CN202510228382.1
申请日:2025-02-28
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明涉及一种用于光刻工艺窗口分析的输入数据质量评估方法,方法包括以下步骤:S1、获取标准化后的数据;S2、采用RANSAC回归算法,得到稳健回归残差分析置信度;S3、基于隔离树异常分数得到隔离树置信度;S4、采用局部离群因子法得到局部离群因子置信度;S5、综合隔离树置信度和局部离群因子置信度得到无监督置信度;S6、得到高斯置信度;S7、综合稳健回归残差分析置信度、无监督置信度和高斯置信度得到综合置信度,得到用于光刻工艺窗口分析的输入数据质量评估结果。与现有技术相比,本发明具有提高光刻工艺窗口分析的输入数据质量等优点。
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公开(公告)号:CN119739011A
公开(公告)日:2025-04-01
申请号:CN202510180849.X
申请日:2025-02-18
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: G03F7/20
Abstract: 本申请涉及光刻工艺窗口的确定方法、装置、电子装置和存储介质,其中,该光刻工艺窗口的确定方法包括:对获取到的原始光刻图像进行图案切分操作,生成多个标准像素图像;将多个标准像素图像输入至训练后的目标图案提取模型进行光刻图案提取处理,并输出所需要的预测光刻图案;其中,目标图案提取模型是基于预设的随机噪声数据,对初始的生成对抗网络进行训练生成的;基于预测光刻图案和原始光刻图像进行光刻工艺窗口分析处理,确定光刻工艺窗口。通过本申请,解决了在光刻工艺窗口分析中,如何解决因样本数据有限而导致分析结果的准确性和可靠性较差的问题,显著减少了对原始数据数量的需求,提高了光刻工艺窗口分析算法的鲁棒性和准确性。
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公开(公告)号:CN118050325A
公开(公告)日:2024-05-17
申请号:CN202410041963.X
申请日:2024-01-11
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种单级液晶滤光片计算光谱仪及其光谱测量方法;所述光谱仪包括准直系统、单级液晶滤光片以及图像传感模块;准直系统用于将待测光线准直;单级液晶滤光片通过调整电压改变其透光特性,并位于准直系统的下游;图像传感模块位于液晶滤光片的下游,用于捕捉透过滤光片的光并转换为电信号。通过对液晶盒施加一系列预设电压,结合图像传感模块的数据,利用计算重建技术来重构入射光的光谱。本发明的设计允许在同一CMOS图像传感器上配置多个独立的准直系统,实现多通道测量,提高了设备的应用灵活性和测量效率。
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