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公开(公告)号：CN100582321C
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200710156587.5
申请日：2007-11-09
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开的Na掺杂生长p型ZnO晶体薄膜的方法，采用的是脉冲激光沉积法，首先将纯氧化锌和碳酸钠粉末球磨混合后压制成型，烧结，制得掺Na2O的ZnO靶材；然后在脉冲激光沉积装置的生长室中，以掺Na2O的ZnO为靶材，以纯O2为生长气氛，控制O2压强15-45Pa，激光频率为1-5Hz，在衬底生长p型ZnO晶体薄膜。本发明方法可以实现实时掺杂，掺杂浓度可以通过调节生长温度和靶材中Na的摩尔含量来控制。采用本发明方法制备的p型ZnO晶体薄膜具有良好的电学性能，重复性和稳定性。
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公开(公告)号：CN103077963B
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201310006807.1
申请日：2013-01-07
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种置于n型宽带隙半导体基底上的欧姆接触电极、其制备方法及包含该欧姆接触电极的半导体元件。该欧姆接触电极包括置于n型宽带隙半导体基底上的金属电极层，所述金属电极层的第一电极层是Ti金属层，第二电极层是Ni金属层，第三电极层是Ti金属层，第四电极层是热惰性金属层。其制备方法包括在n型宽带隙半导体基底表面制备出电极图案，再采用真空热电子束蒸发或溅射法在基底上依次沉积Ti金属、Ni金属、Ti金属和热惰性金属层。本发明可以提供n型宽带隙半导体基底上具有低接触电阻率、热稳定性和热平整性的欧姆接触电极，及具有该欧姆接触电极的半导体元件。
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公开(公告)号：CN101359706A
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200810120346.X
申请日：2008-08-22
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明公开的ZnO基多量子阱发光二极管，在衬底自下而上依次有ZnO缓冲层、n型ZnO膜层、n型Zn1－xMgxO限域层、由Zn1－xMgxO和Zn1－yCdyO交替沉积形成的Zn1－xMgxO/Zn1－yCdyO多量子阱层、Na掺杂p型Zn1－xMgxO薄膜、Na掺杂p型ZnO薄膜层和第二电极，第一电极与n型Zn1－xMgxO限域层并列并沉积在n型ZnO膜层上。本发明的ZnO基多量子阱发光二极管具有较好的晶体质量，光学性能和电学性能，发光效率高。
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公开(公告)号：CN101235536A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200710156587.5
申请日：2007-11-09
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开的Na掺杂生长p型ZnO晶体薄膜的方法，采用的是脉冲激光沉积法，首先将纯氧化锌和碳酸钠粉末球磨混合后压制成型，烧结，制得掺Na2O的ZnO靶材；然后在脉冲激光沉积装置的生长室中，以掺Na2O的ZnO为靶材，以纯O2为生长气氛，控制O2压强15－45pa，激光频率为1－5Hz，在衬底生长p型ZnO晶体薄膜。本发明方法可以实现实时掺杂，掺杂浓度可以通过调节生长温度和靶材中Na的摩尔含量来控制。采用本发明方法制备的p型ZnO晶体薄膜具有良好的电学性能，重复性和稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103219393A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201310131213.3
申请日：2013-04-16
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L29/786 , C23C14/08 , C23C14/34
Abstract: 本发明公开的用作薄膜晶体管沟道层的非晶氧化物薄膜，其化学式为SixZnSnO2x+3，0.06≦x≦0.14，表面粗糙度RMS小于2nm，载流子浓度1014~1017cm-3。采用脉冲激光沉积法制备，靶材由纯度均在99.9%以上的SiO2、ZnO和SnO2的粉末按原子比Si:Zn:Sn=0.06～0.14:1:1的比例混合、烧结得到，薄膜生长温度为25~400℃。本发明制备的非晶氧化薄膜具有在可见光区高透明度、表面粗糙度低、迁移率高、制备温度低、原材料储量丰富、成本低等优点。
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公开(公告)号：CN103077963A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201310006807.1
申请日：2013-01-07
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种置于n型宽带隙半导体基底上的欧姆接触电极、其制备方法及包含该欧姆接触电极的半导体元件。该欧姆接触电极包括置于n型宽带隙半导体基底上的金属电极层，所述金属电极层的第一电极层是Ti金属层，第二电极层是Ni金属层，第三电极层是Ti金属层，第四电极层是热惰性金属层。其制备方法包括在n型宽带隙半导体基底表面制备出电极图案，再采用真空热电子束蒸发或溅射法在基底上依次沉积Ti金属、Ni金属、Ti金属和热惰性金属层。本发明可以提供n型宽带隙半导体基底上具有低接触电阻率、热稳定性和热平整性的欧姆接触电极，及具有该欧姆接触电极的半导体元件。
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公开(公告)号：CN101359706B
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200810120346.X
申请日：2008-08-22
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明公开的ZnO基多量子阱发光二极管，在衬底自下而上依次有ZnO缓冲层、n型ZnO膜层、n型Zn1-xMgxO限域层、由Zn1-xMgxO和Zn1-yCdyO交替沉积形成的Zn1-xMgxO/Zn1-yCdyO多量子阱层、Na掺杂p型Zn1-xMgxO薄膜、Na掺杂p型ZnO薄膜层和第二电极，第一电极与n型Zn1-xMgxO限域层并列并沉积在n型ZnO膜层上。本发明的ZnO基多量子阱发光二极管具有较好的晶体质量，光学性能和电学性能，发光效率高。
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公开(公告)号：CN101319384A
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200810062158.6
申请日：2008-06-03
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开的Na掺杂生长p型Zn1－xMgxO晶体薄膜的方法，采用的是脉冲激光沉积法，首先将纯氧化锌、氧化镁和碳酸钠粉末球磨混合后压制成型，烧结，制得掺Na2O的Zn1－xMgxO靶材，x＝0.05～0.3；然后在脉冲激光沉积装置的生长室中，以掺Na2O的Zn1－xMgxO为靶材，纯O2为生长气氛，控制O2压强15－60Pa，激光频率为1－5Hz，在衬底上生长p型Zn1－xMgxO晶体薄膜。本发明方法可以实现实时掺杂，掺杂浓度可以通过调节生长温度和靶材中Na的摩尔含量来控制；而禁带宽度可以通过改变Mg含量来控制。采用本发明方法制备的p型Zn1－xMgxO晶体薄膜具有良好的电学性能，重复性和稳定性。
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公开(公告)号：CN203026510U
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201320008856.4
申请日：2013-01-07
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L29/45
Abstract: 本实用新型公开了一种置于n型宽带隙半导体基底上的欧姆接触电极及包含该欧姆接触电极的半导体元件。该欧姆接触电极包括置于n型宽带隙半导体基底上的金属电极层，所述金属电极层的第一电极层是Ti金属层，第二电极层是Ni金属层，第三电极层是Ti金属层，第四电极层是热惰性金属层。其制备方法包括在n型宽带隙半导体基底表面制备出电极图案，再采用真空热电子束蒸发或溅射法在基底上依次沉积Ti金属、Ni金属、Ti金属和热惰性金属层。本实用新型可以提供n型宽带隙半导体基底上具有低接触电阻率、热稳定性和热平整性的欧姆接触电极，及具有该欧姆接触电极的半导体元件。
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