公开(公告)号：CN103219393A

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201310131213.3

申请日：2013-04-16

Applicant: 浙江大学

Inventor： 吕建国 ,  吴传佳 ,  叶志镇 ,  张杰 ,  吴萍 ,  陈凌翔 ,  江庆军 ,  孙汝杰

IPC: H01L29/786 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34

Abstract: 本发明公开的用作薄膜晶体管沟道层的非晶氧化物薄膜，其化学式为SixZnSnO2x+3，0.06≦x≦0.14，表面粗糙度RMS小于2nm，载流子浓度1014~1017cm-3。采用脉冲激光沉积法制备，靶材由纯度均在99.9%以上的SiO2、ZnO和SnO2的粉末按原子比Si:Zn:Sn=0.06～0.14:1:1的比例混合、烧结得到，薄膜生长温度为25~400℃。本发明制备的非晶氧化薄膜具有在可见光区高透明度、表面粗糙度低、迁移率高、制备温度低、原材料储量丰富、成本低等优点。