公开(公告)号：CN117970565A

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202410281116.0

申请日：2024-03-12

Applicant: 浙江大学 ,  浙江大学宁波“五位一体”校区教育发展中心

Inventor： 何赛灵 ,  李永昌 ,  林宗兴

IPC: G02B6/124 ,  G02B6/30

Abstract: 本发明公开了一种全刻蚀垂直光栅耦合器，垂直方向上依次为上包层、光栅层、下包层、衬底；光栅层即波导层，光栅层上的每一个倾斜刻蚀光栅周期都是由一个亚波长光栅和一个衍射光栅共同组成。倾斜全刻蚀光栅可以极大提高向上衍射的方向性，同时也会降低垂直耦合带来的负二阶背向衍射。尤其是对于较厚的高折射率集成光学平台，亚波长光栅降低了光栅的耦合强度，同时也会降低反射。其外，采用切趾非均匀光栅进一步提高光栅耦合效率。本发明将亚波长周期光栅引入现有的倾斜全刻蚀光栅耦合器中，极大提高了光栅耦合器的耦合效率，降低了背向反射。同时本发明采用的垂直耦合简化封装过程，为高性能封装技术提供了一种新方案。

公开(公告)号：CN117991453A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202410231189.9

申请日：2024-02-29

Applicant: 浙江大学

Inventor： 何赛灵 ,  李永昌 ,  林宗兴

IPC: G02B6/27 ,  G02B6/14 ,  G02B6/34 ,  G02B6/12

Abstract: 本发明公开了一种基于亚波长光栅的高性能TM模式起偏器，沿着光的传输方向依次为单模输入波导、输入端模式转换结构、中间横向亚波长光栅结构、上下两侧纵向亚波长光栅结构、输出端模式转换结构、单模输出波导；输入光首先由输入端模式转换结构演化为亚波长光栅所支持的模式，然后通过由中间横向亚波长光栅和两侧竖向亚波长光栅组成的模式泄露区，输入的TE模式泄露到两侧，而输入的TM模式则被束缚在中间横向亚波长光栅中，最后经过输出端的模式转换结构演化为条波导所支持的TM模式，从而实现滤除TE模式，通过TM模式。本发明由于其独特的结构，可以在极大光学带宽内实现高性能TM模式起偏器，在片上光通信，光传感等领域具有极大的应用价值。

公开(公告)号：CN118502024A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202410636157.7

申请日：2024-05-22

Applicant: 浙江大学

Inventor： 何赛灵 ,  李永昌 ,  林宗兴

IPC: G02B6/27 ,  G02B6/122 ,  G02B6/125 ,  G02B6/126 ,  G02B6/12

Abstract: 本发明公开了一种基于弯曲窄波导的TM模式起偏器，沿着光的传输方向为单模输入波导、输入端转换波导、弯曲窄波导、输出端转换波导、单模输出波导。输入光首先由输入端转换波导转化为窄波导所支持的模式，然后通过合理选择弯曲窄波导的弯曲半径和宽度，输入的TE模式泄露，而输入的TM模式通过，最后经过输出端转换波导转化为单模波导所支持的TM模式，从而实现滤除TE模式，通过TM模式的起偏器功能；垂直于光传输平面方向上依次为上包层、芯层、埋氧层和衬底。本发明由于其波长不敏感的结构，可以在大光学带宽内实现高性能TM模式起偏器，在片上光通信，光传感、光谱学等领域具有重要的实际应用价值。