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公开(公告)号：CN117970565A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410281116.0
申请日：2024-03-12
Applicant: 浙江大学 , 浙江大学宁波“五位一体”校区教育发展中心
Abstract: 本发明公开了一种全刻蚀垂直光栅耦合器，垂直方向上依次为上包层、光栅层、下包层、衬底；光栅层即波导层，光栅层上的每一个倾斜刻蚀光栅周期都是由一个亚波长光栅和一个衍射光栅共同组成。倾斜全刻蚀光栅可以极大提高向上衍射的方向性，同时也会降低垂直耦合带来的负二阶背向衍射。尤其是对于较厚的高折射率集成光学平台，亚波长光栅降低了光栅的耦合强度，同时也会降低反射。其外，采用切趾非均匀光栅进一步提高光栅耦合效率。本发明将亚波长周期光栅引入现有的倾斜全刻蚀光栅耦合器中，极大提高了光栅耦合器的耦合效率，降低了背向反射。同时本发明采用的垂直耦合简化封装过程，为高性能封装技术提供了一种新方案。
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