公开(公告)号：CN112921271A

公开(公告)日：2021-06-08

申请号：CN202110031291.0

申请日：2021-01-11

Applicant: 浙江大学

Inventor： 李东升 ,  何马军 ,  庞厚玮 ,  杨德仁

IPC: C23C14/06 ,  C23C14/35 ,  C23C14/58 ,  H01L31/109 ,  H01L31/032

Abstract: 本发明公开了一种掺铒氧化镓薄膜及其制备方法和在发光领域的应用。该制备方法包括步骤：(1)在真空下，通入氩气和氧气混合气，利用磁控溅射方法对掺铒氧化镓靶材进行溅射或者对铒靶材和氧化镓靶材进行共溅射，在预溅射至挡板至少5min后再开始在加热的衬底上溅射沉积薄膜；(2)在氧气或氮气气氛下，对步骤(1)得到的薄膜进行300℃以上的高温热处理，在激活铒的同时使氧化镓晶化，之后自然降温，得到所述掺铒氧化镓薄膜。本发明制备工艺简单，工业兼容性好，在硅基集成光源或半导体发光、光通信等领域具有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN120033532A

公开(公告)日：2025-05-23

申请号：CN202510093656.0

申请日：2025-01-21

Applicant: 浙江大学

Inventor： 李东升 ,  庞厚玮 ,  杨德仁

IPC: H01S5/30 ,  H01S5/32 ,  C23C14/35 ,  C23C14/08

Abstract: 本发明公开了一种可实现粒子数反转的硅基氧化镓铒镱掺杂电致发光器件，包括顺序设置的金属电极、硅层、发光层和透明导电电极；发光层包括交替设置的氧化镓掺镱层和氧化镓掺铒层。由于铒镱离子间的相互作用，大量的电子被激发至激发态能级之上，在一定的电流下可以实现激发态能级上的电子数多余基态电子数的反转，Er3+能级上的粒子数反转是实现硅基掺铒电致激光的必要条件，本发明制备的器件为硅基掺铒电致激光的实现提供了理论、实验基础。

公开(公告)号：CN112921271B

公开(公告)日：2021-12-07

申请号：CN202110031291.0

申请日：2021-01-11

Applicant: 浙江大学

Inventor： 李东升 ,  何马军 ,  庞厚玮 ,  杨德仁

IPC: C23C14/06 ,  C23C14/35 ,  C23C14/58 ,  H01L31/109 ,  H01L31/032

Abstract: 本发明公开了一种掺铒氧化镓薄膜及其制备方法和在发光领域的应用。该制备方法包括步骤：(1)在真空下，通入氩气和氧气混合气，利用磁控溅射方法对掺铒氧化镓靶材进行溅射或者对铒靶材和氧化镓靶材进行共溅射，在预溅射至挡板至少5min后再开始在加热的衬底上溅射沉积薄膜；(2)在氧气或氮气气氛下，对步骤(1)得到的薄膜进行300℃以上的高温热处理，在激活铒的同时使氧化镓晶化，之后自然降温，得到所述掺铒氧化镓薄膜。本发明制备工艺简单，工业兼容性好，在硅基集成光源或半导体发光、光通信等领域具有广阔的应用前景。