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公开(公告)号：CN118094654A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410518682.9
申请日：2024-04-28
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本申请涉及一种双熵源物理不可克隆函数抗攻击性的确定方法及装置，涉及数据安全技术领域。双熵源物理不可克隆函数抗攻击性的确定方法，包括：基于待检测芯片对应的电流随机数据、电压随机数据、脉冲随机数据以及多个半导体器件对应的半导体阵列，确定候选双熵源物理不可克隆函数；基于预设时域多数投票规则和候选双熵源物理不可克隆函数，确定目标双熵源物理不可克隆函数；基于目标双熵源物理不可克隆函数，确定目标双熵源物理不可克隆函数的抗机器学习攻击精度。本申请实现了对目标双熵源物理不可克隆函数的构建，提升了目标双熵源物理不可克隆函数的抗机器学习攻击精度和可靠性，进而提高了待检测芯片的数据安全性。
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公开(公告)号：CN118709238B
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411211370.X
申请日：2024-08-30
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，涉及一种物理不可克隆函数在自整流忆阻器阵列中的实现方法，该方法包括：基于P‑F发射和肖特基发射的传导机制设计自整流忆阻器；对自整流忆阻器的电学特性进行测试，确定该自整流忆阻器的电学特性满足预设要求；对自整流忆阻器进行P‑F发射和肖特基发射的分析和拟合，以验证自整流忆阻器的导电机理；基于自整流忆阻器作为熵源的作用及其电导自衰减的随机性，实现物理不可克隆函数的输入刺激；对物理不可克隆函数的误码率和抗高温性能进行分析验证，确定自整流忆阻器实现的物理不可克隆函数满足预设误码率和抗高温的要求。其有益效果是，基于自整流忆阻器阵列的物理不可克隆函数硬件能够实现低至0的BER以及抗高温特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119173131A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411343484.X
申请日：2024-09-25
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，涉及一种基于CMOS工艺的高密度自整流器件及其制备方法，该方法包括：底部电极采用高功函金属，作为的电流输入端；中间活性层采用两层氧空位含量不同的钨氧化物；顶部电极采用低功函数金属，多层薄膜垂直堆叠。其有益效果是，本申请的高密度自整流器件能够在高阻态和低阻态下实现正向导通和反向截止并与当下CMOS工艺兼容。
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公开(公告)号：CN117077747A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311144497.X
申请日：2023-09-06
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 一种Sigmoid激活函数的存算一体电路，采用单个元器件或少数元器件的本征电学特性，包括运算放大器、晶体管M1至M7、NPN型三极管T1、电阻R1、电阻R2、除法器，以三极管为硬件电路元件来实现存算一体化系结构中的Sigmoid激活函数，利用三极管电流‑电压关系，构造了Sigmoid激活函数表达式，实现了Sigmoid激活函数斜率可调，不但降低了Sigmoid激活函数的计算误差和高时间成本、高功耗等问题，还减少了往复数据传递以及传输延迟，确保Sigmoid激活函数的高精度，同时简化电路、降低成本、提高效益。
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公开(公告)号：CN118709238A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202411211370.X
申请日：2024-08-30
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，涉及一种物理不可克隆函数在自整流忆阻器阵列中的实现方法，该方法包括：基于P‑F发射和肖特基发射的传导机制设计自整流忆阻器；对自整流忆阻器的电学特性进行测试，确定该自整流忆阻器的电学特性满足预设要求；对自整流忆阻器进行P‑F发射和肖特基发射的分析和拟合，以验证自整流忆阻器存在电导自衰减；基于自整流忆阻器作为熵源的作用及其电导自衰减的随机性，实现物理不可克隆函数的输入刺激；对物理不可克隆函数的误码率和抗高温性能进行分析验证，确定自整流忆阻器实现的物理不可克隆函数满足预设误码率和抗高温的要求。其有益效果是，基于自整流忆阻器阵列的物理不可克隆函数硬件能够实现低至0的BER以及抗高温特性。
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公开(公告)号：CN118094654B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410518682.9
申请日：2024-04-28
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本申请涉及一种双熵源物理不可克隆函数抗攻击性的确定方法及装置，涉及数据安全技术领域。双熵源物理不可克隆函数抗攻击性的确定方法，包括：基于待检测芯片对应的电流随机数据、电压随机数据、脉冲随机数据以及多个半导体器件对应的半导体阵列，确定候选双熵源物理不可克隆函数；基于预设时域多数投票规则和候选双熵源物理不可克隆函数，确定目标双熵源物理不可克隆函数；基于目标双熵源物理不可克隆函数，确定目标双熵源物理不可克隆函数的抗机器学习攻击精度。本申请实现了对目标双熵源物理不可克隆函数的构建，提升了目标双熵源物理不可克隆函数的抗机器学习攻击精度和可靠性，进而提高了待检测芯片的数据安全性。
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公开(公告)号：CN117688625A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202311681842.3
申请日：2023-12-08
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: G06F21/75
Abstract: 一种实现TRNG和PUF双功能的安全原语模块及其方法，包括由2T1R结构构建的阵列单元结构，其中第二晶体管的栅极连接在第一晶体管的源极和易失性器件之间，通过1号源线控制第一晶体管漏极的电位，通过1号位线控制易失性器件底端部分的电位，通过2号源线控制第二晶体管漏极的电位，且通过2号位线获得第二晶体管漏极的电流，字线控制在第一晶体管栅极的电压，通过列阵的PUF和TRNG工作方式，缓解了物联网应用中面积受到严格限制的问题，提高了硬件安全应用中的面积利用效率。
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