公开(公告)号：CN119069426A

公开(公告)日：2024-12-03

申请号：CN202411171358.0

申请日：2024-08-23

Applicant: 浙江大学

Inventor： 张运炎 ,  张唯桐

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 本发明公开了一种CMOS器件制造工艺，包括：在衬底上沉积含镍的金属层和覆盖层，进行第一步的快速热退火工艺处理，形成高阻镍硅化物层，选择性刻蚀去除所述覆盖层和未反应的金属后，先沉积接触刻蚀阻挡层，然后进行第二步的尖峰退火工艺处理，形成低阻镍硅化物层。通过将第二步退火工艺步骤与接触刻蚀阻挡层沉积步骤的顺序交换，将接触刻蚀阻挡层作为保护层，使第二步的尖峰退火可与第一步的快速热退火在同一机台完成而不引起额外的镍金属污染，无需增加新的工艺步骤和设备，降低了生产成本，同时尖峰退火的引入能够有效控制镍原子的扩散，抑制镍硅化物缺陷的产生，显著改善器件的漏电流。

公开(公告)号：CN117673027A

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202311750342.0

申请日：2023-12-19

Applicant: 浙江大学

Inventor： 张运炎 ,  张唯桐

IPC: H01L23/525 ,  H01L23/62

Abstract: 本发明公开了一种efuse器件结构及其制备方法，以解决现有efuse存在的编程电压偏高以及熔断过于剧烈而引起的一系列问题，包括衬底和生长在衬底上的绝缘层；生长在所述绝缘层上的第一电极区、第二电极区和连接所述第一电极区和第二电极区的熔丝区，以及仅生长在所述熔丝区中间区域的低熔点材料。通过在熔丝区中间区域引入低熔点材料，控制efuse在中间区域发生熔断，避免了熔断区域与接触点的直接接触，同时在编程过程中，低熔点材料会比其他区域的材料更早融化而发生熔断，降低了编程电压，缩短了编程时间，提高了编程效率。