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公开(公告)号：CN111261601B
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202010056949.9
申请日：2020-01-16
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L23/40 , H01L23/367 , H01L25/07
Abstract: 本发明公开了一种夹具内嵌型的高集成度压接式封装功率模块，其包括自上而下依次设置的正极散热片、直流正极铜排、交流输出铜排、直流负极铜排和负极散热片；所述的交流输出铜排的两侧对称安装有半导体芯片单元，半导体芯片单元的外围均匀分布有贯穿压接式模块的螺纹孔，通过绝缘双头螺丝紧固，由绝缘双头螺丝上的外螺纹与螺纹孔的内螺纹咬合产生压接力；本发明采用内嵌夹具实现模块压接，将铜排、散热器作为模块的组成部分，因此实现了高功率密度和高集成度；相比于传统压接式封装功率模块，本发明技术方案由于优化了夹具设计，降低了设计成本，简化了制作流程，该压接式封装功率模块用于实现高功率密度整流器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105572558A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201510907658.5
申请日：2015-12-09
Applicant: 浙江大学
CPC classification number: G01R31/2632 , G01R31/27
Abstract: 本发明公开了一种功率二极管模块工作结温的在线检测系统及其检测方法，其通过控制有源开关器件的通断，使得功率二极管模块在开通和关断状态之间切换，当功率二极管模块由导通切换至关断时，流经功率二极管模块的电流将换流至互补的开关管，功率二极管模块的反向恢复电流会在换流回路的杂散电感上产生相应的感应电压，该感应电压不仅与二极管模块的反向恢复电流有关同时还包含二极管模块的温度信息。本发明使用一个低压的幅值检测电路就可以将包含温度信息的反向恢复电流变化情况在互补开关管上测量出来，且不需要额外的高压无源辅助元件，在驱动电路发送控制信号的同时，捕获反向恢复电流引起的变化电压，具有较高的精度和实时性。
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公开(公告)号：CN112886558A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110073570.3
申请日：2021-01-20
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种功率半导体芯片并联结构及其驱动回路过流失效抑制方法，属于电力电子器件技术领域。本发明设计了一种新型的功率半导体芯片并联结构，包括功率漏极端口、功率源极端口、辅助源极端口、栅极端口和若干个并联的功率半导体芯片，基于对并联功率半导体芯片的源极至辅助源极过流失效现象的分析，在辅助源极和芯片源极间加入了呈正温度特性的热敏元件，在正常运行过程中可充当驱动回路电阻，不影响运行；在并联结构老化或故障状态下，失衡电流流经热敏电阻，使其升温以及阻值增大，抑制芯片驱动回路上失衡电流的幅值，避免驱动回路过流失效，提高了功率半导体模块的使用寿命和运行可靠性。
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公开(公告)号：CN111261601A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN202010056949.9
申请日：2020-01-16
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L23/40 , H01L23/367 , H01L25/07
Abstract: 本发明公开了一种夹具内嵌型的高集成度压接式封装功率模块，其包括自上而下依次设置的正极散热片、直流正极铜排、交流输出铜排、直流负极铜排和负极散热片；所述的交流输出铜排的两侧对称安装有半导体芯片单元，半导体芯片单元的外围均匀分布有贯穿压接式模块的螺纹孔，通过绝缘双头螺丝紧固，由绝缘双头螺丝上的外螺纹与螺纹孔的内螺纹咬合产生压接力；本发明采用内嵌夹具实现模块压接，将铜排、散热器作为模块的组成部分，因此实现了高功率密度和高集成度；相比于传统压接式封装功率模块，本发明技术方案由于优化了夹具设计，降低了设计成本，简化了制作流程，该压接式封装功率模块用于实现高功率密度整流器。
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公开(公告)号：CN112290773B
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202011176936.1
申请日：2020-10-29
Applicant: 浙江大学
IPC: H02M1/00 , H01L23/367 , G06F30/367 , G06F119/08
Abstract: 本发明公开了一种压变型压接式封装功率模块及其热阻网络模型建模方法，所述压变型压接式封装功率模块包括自上而下依次设置的集电极散热器、集电极绝缘膜、集电极铜排、并联的通流芯片单元、绝缘压载夹具、铜排间绝缘膜、发射极铜排、发射极绝缘膜和发射极散热器；所述热阻建模方法利用线性网络中多端口拓扑的等效转换法则，将复合型热阻网络进行解耦，得到芯片自热等效热阻抗和芯片间耦合等效热阻抗；本发明采用了压力可变的压接式封装结构，实现了宽范围压力可调的压接封装，解决了现有压接封装功率模块压力难以灵活调整的问题，并建立了该模块对应的压变型热阻网络及其等效简化模型，反映了压接式封装功率模块中的芯片结温运行及耦合规律。
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公开(公告)号：CN112290773A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202011176936.1
申请日：2020-10-29
Applicant: 浙江大学
IPC: H02M1/00 , H01L23/367 , G06F30/367 , G06F119/08
Abstract: 本发明公开了一种压变型压接式封装功率模块及其热阻网络模型建模方法，所述压变型压接式封装功率模块包括自上而下依次设置的集电极散热器、集电极绝缘膜、集电极铜排、并联的通流芯片单元、绝缘压载夹具、铜排间绝缘膜、发射极铜排、发射极绝缘膜和发射极散热器；所述热阻建模方法利用线性网络中多端口拓扑的等效转换法则，将复合型热阻网络进行解耦，得到芯片自热等效热阻抗和芯片间耦合等效热阻抗；本发明采用了压力可变的压接式封装结构，实现了宽范围压力可调的压接封装，解决了现有压接封装功率模块压力难以灵活调整的问题，并建立了该模块对应的压变型热阻网络及其等效简化模型，反映了压接式封装功率模块中的芯片结温运行及耦合规律。
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