公开(公告)号：CN119092532A

公开(公告)日：2024-12-06

申请号：CN202411585936.5

申请日：2024-11-08

Applicant: 浙江大学

Inventor： 王珩宇 ,  盛况 ,  夏润泽 ,  王策

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/872 ,  H01L29/861 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L21/329 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324

Abstract: 本发明涉及半导体技术领域中的一种交错浮岛器件及其快速开通结构和自对准的制造方法，交错浮岛器件包括表面层、底层和漂移区，漂移区包括若干组外延层和若干组浮岛层，浮岛层交错布局，浮岛层中的浮岛由两个掺杂区构成，至少两组浮岛层的浮岛在俯视方向下部分重叠或者无重叠，每两组外延层之间设置有一组浮岛层，或每两组浮岛层之间设置有一组外延层，其中快速开通结构的浮岛层中设置有重掺杂反型区。浮岛采用两个掺杂区有利于使退火后浮岛掺杂浓度接近理想均匀分布，并且有利于增大浮岛的结电容，降低开启电压。交错设置的浮岛具有减小多次开通后空间电荷对电流的阻碍的优点，缓解了浮岛器件在多次开通后导通能力下降的问题。

公开(公告)号：CN119092532B

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202411585936.5

申请日：2024-11-08

Applicant: 浙江大学

Inventor： 王珩宇 ,  盛况 ,  夏润泽 ,  王策

IPC: H10D62/10 ,  H10D8/60 ,  H10D12/00 ,  H10D8/00 ,  H10D8/01 ,  H10D12/01 ,  H10D30/01 ,  H10D30/60 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324

Abstract: 本发明涉及半导体技术领域中的一种交错浮岛器件及其快速开通结构和自对准的制造方法，交错浮岛器件包括表面层、底层和漂移区，漂移区包括若干组外延层和若干组浮岛层，浮岛层交错布局，浮岛层中的浮岛由两个掺杂区构成，至少两组浮岛层的浮岛在俯视方向下部分重叠或者无重叠，每两组外延层之间设置有一组浮岛层，或每两组浮岛层之间设置有一组外延层，其中快速开通结构的浮岛层中设置有重掺杂反型区。浮岛采用两个掺杂区有利于使退火后浮岛掺杂浓度接近理想均匀分布，并且有利于增大浮岛的结电容，降低开启电压。交错设置的浮岛具有减小多次开通后空间电荷对电流的阻碍的优点，缓解了浮岛器件在多次开通后导通能力下降的问题。