公开(公告)号：CN117766379A

公开(公告)日：2024-03-26

申请号：CN202311511387.2

申请日：2023-11-14

Applicant: 浙江大学

Inventor： 张俊峰 ,  叶志

IPC: H01L21/16 ,  H01L29/786 ,  H01L29/24 ,  H01L29/51

Abstract: 本发明提出一种空气环境制备高性能的碘化亚铜沟道P型薄膜晶体管器件的制备方法。本发明方法制备的器件自下而上包括衬底、ITO(氧化铟锡)栅电极、壳聚糖栅极氧化层、碘化亚铜沟道层、金属源漏电极。本发明通过采用有机物壳聚糖为薄膜晶体管的栅极氧化层实现了对于空气中水汽的吸收，避免了常见的旋涂碘化亚铜溶液过程中沟道层颗粒凝聚进而导致不导电的情况，从而成功实现了碘化亚铜薄膜晶体管在空气环境下的制备，减少了该类型实验的实验成本，通过掺杂锌离子，锌离子占据铜空位，取代铜离子位点并产生额外的电子减少了沟道层中多余空穴浓度，提高了栅极对于沟道电流的调制能力，从而实现了高性能的薄膜晶体管器件。

公开(公告)号：CN117525036A

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202311250751.4

申请日：2023-09-26

Applicant: 浙江大学

Inventor： 黄天凤 ,  叶志

IPC: H01L23/544 ,  H01L23/66 ,  C23C16/455 ,  C23C16/40 ,  C23C16/50 ,  C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  C23C28/04 ,  C23C16/04 ,  C23C14/04 ,  G06K19/077

Abstract: 本发明公开了一种公开了一种超高频小尺寸透明RFID标签及制备方法，属于射频识别领域，包括RFID芯片和透明天线，所述RFID芯片在透明玻璃上制备，所述RFID芯片与所述天线固定在透明玻璃表面，透光率>90％，本发明小尺寸透明RFID标签制备方法为：首先准备基质层，即清洗该透明的康宁玻璃，然后通过光刻和溅射将源漏极溅射在玻璃上，再通过原子层沉积系统ALD沉积导电沟道ZnO和栅氧层Al2O3，接着仍然是利用磁控溅射设备溅射栅极，最后利用PECVD选择性注入氘离子生成电路结构，这样，整个导电层就制备完成了。本发明提供一种透明度高、尺寸小、成本低廉且具有良好防盗防伪功能的小尺寸透明RFID标签材料及其制备方法。

公开(公告)号：CN114257741B

公开(公告)日：2022-12-06

申请号：CN202111534053.8

申请日：2021-12-15

Applicant: 浙江大学

Inventor： 杜乐谦 ,  叶志

IPC: H04N5/232 ,  H04N5/341

Abstract: 本发明公开了一种快速反应的车载HDR方法，步骤包括：选取欲处理影像的第一帧为采样帧，在采样帧上选取感兴趣区域，通过感兴趣区域中特定像素行的像素值计算出目标值Target；将采样帧中所有像素的像素值与Target进行比较，得到权重矩阵，权重矩阵中的元素表示相应像素的权重值；记采样帧的下一帧为操作帧，根据权重矩阵对操作帧中每一像素的像素值进行调整，得到调整后的操作帧图像；将调整前的操作帧作为新的采样帧，操作帧的下一帧作为新的操作帧，重复上述步骤，直至欲处理影像处理完毕。本发明在缩减芯片面积和功耗的同时，可以增强图像处理效果，生成的HDR图像效果在细节上表现更好。

公开(公告)号：CN107293581B

公开(公告)日：2020-02-18

申请号：CN201710368636.5

申请日：2017-05-22

Applicant: 浙江大学 ,  杭州雷赛微科技有限公司

Inventor： 刘旸 ,  叶志 ,  曹臻 ,  金传洪

IPC: H01L29/417 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管及制造方法与应用方法，其中薄膜晶体管包括带悬空绝缘材料薄膜的基底、导电材料源区、导电材料漏区以及半导体材料沟道。本发明通过利用导电材料作为源区和漏区材料，省去了对源区和漏区的高精度掺杂。将薄膜晶体管放入生物分子、离子或纳米颗粒的离子溶液中时，可实现对待检测物质的电学特性检测。本发明的薄膜晶体管的稳定性好、检测精准度高，制造工艺较为简单。

公开(公告)号：CN106157397B

公开(公告)日：2018-10-26

申请号：CN201610427250.2

申请日：2016-06-15

Applicant: 浙江大学

Inventor： 陈治宇 ,  林鼎强 ,  张宁 ,  叶志 ,  刘旸

IPC: G07C9/00

Abstract: 本发明公开了一种基于物联网的指纹门禁系统，主要包括电控门锁、STC90C51单片机、GSM模块和指纹识别模块，指纹识别模块用于读取和验证用户指纹并将验证结果发送至单片机，GSM模块由单片机控制接收用户短信或向用户发送短信，单片机控制电控锁的开启及闭合，该系统还包括UART串口切换电路，在单片机的控制下实现在单片机串口与GSM模块连接或者与指纹识别模块连接两种连接状态间切换，分别使得GSM模块工作或指纹识别模块工作。该系统极大地避免了机械锁开锁机制的缺陷，且可实现与用户间信息交互，向用户反馈状态或接受用户指令操作门锁。

公开(公告)号：CN107563315A

公开(公告)日：2018-01-09

申请号：CN201710712408.5

申请日：2017-08-18

Applicant: 浙江大学 ,  杭州雷赛微科技有限公司

Inventor： 姜瑷珂 ,  叶志 ,  刘旸 ,  元永刚

IPC: G06K9/00

Abstract: 本发明提供了一种透明面板指纹识别装置及指纹识别器。其中，透明面板指纹识别装置包括开关模块、电容电极和反相器。开关模块分别与第一扫描线、电容电极连接；电容电极与反相器连接，电容电极用于在指纹接触处形成感应电容；反相器与第二扫描线连接，输入端与电容电极连接，输出端与第一输出线连接，反相器用于对输入端输入的电平进行反向跳变操作后输出。此外，本装置还包括信号放大模块和时间数字转换模块。本发明通过电容电极和反相器，通过电容放电及反向跳变操作产生脉冲信号时间间隔，可有效消除外界噪声对指纹信号的垂直扰动，从而提高指纹采集的准确性和抗干扰性。

公开(公告)号：CN105576017A

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201510939432.3

申请日：2015-12-15

Applicant: 浙江大学

Inventor： 叶志 ,  刘腾飞

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/42364

Abstract: 本发明公开了一种基于氧化锌薄膜的薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括半导体沟道层、栅绝缘层、源极、漏极和栅极。本发明的基于氧化锌薄膜的薄膜晶体管以氧化锌薄膜作为半导体沟道层，采用顶栅结构并采用双层的栅绝缘层，栅绝缘层中第一绝缘层作为氧化锌薄膜的保护层，能有效保护氧化锌薄膜不受环境和后续工艺的影响。通过多次氧气氛围下的快速退火，使得氧化锌薄膜的载流子浓度得到有效控制，进而使薄膜晶体管可以在接近0V的栅极偏压下实现关断，并对氧化锌薄膜进行去氢化处理，同时修复半导体沟道层和绝缘层的界面处缺陷，使得薄膜晶体管的电学稳定性得到极大提高。

公开(公告)号：CN103353819A

公开(公告)日：2013-10-16

申请号：CN201310285738.2

申请日：2013-07-05

Applicant: 浙江大学

Inventor： 叶志 ,  王文 ,  骆季奎

IPC: G06F3/044

Abstract: 本发明公开了一种具有高精度手写笔输入功能的自电容多点触摸屏，该自电容多点触摸屏由下至上依次包括透明绝缘衬底、下透明导电层、透明半导体层、栅绝缘层、上透明导电层和钝化绝缘层，下透明导电层包括若干条相互平行的触控感应线和自电容电极；上透明导电层包括若干条相互平行且与触控感应线垂直绝缘相交的行扫描线，行扫描线设有与其电连接的第一栅极；透明半导体层设有第一沟道区，位于第一沟道区两侧且与其接触的第一源极和第一漏极；透明半导体层与栅绝缘层和上透明导体层构成第一薄膜晶体管，分别以第一源极、第一漏极和第一栅极为源极、漏极和栅极。本发明解决了自电容多点触摸屏的“鬼点”问题，又有高精度手写笔输入功能。

公开(公告)号：CN111552132A

公开(公告)日：2020-08-18

申请号：CN202010244322.6

申请日：2020-03-31

Applicant: 浙江大学

Inventor： 章新宇 ,  叶志

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/1343 ,  H04N9/31

Abstract: 本发明公开了一种应用在投影面板上的像素结构及投影面板。所述的投影面板包括基板、设置在基板上的子像素阵列、第一信号线和第二信号线；所述的第一信号线至少包括一条列数据线，所述的第二信号线至少包括一条行扫描线；所述的子像素阵列由多个像素结构排列得到。所述的像素结构设于基板上，所述的像素结构包括驱动晶体管、透明缓冲绝缘层、像素电极、液晶模组和对置极板，所述驱动晶体管为透明驱动晶体管。透明驱动晶体管以ZnO(氧化锌)作为有源层材料，在可见光下能够保持性能的稳定，因此可以将驱动晶体管置于像素电极下方，光线直接穿过驱动晶体管，从而提高像素点的开口率，而且有利于提高投影亮度。

公开(公告)号：CN110212103A

公开(公告)日：2019-09-06

申请号：CN201910340501.7

申请日：2019-04-25

Applicant: 浙江大学

Inventor： 张宁 ,  叶志

IPC: H01L51/50 ,  H01L27/32

Abstract: 本发明涉及一种基于TFT的具有高亮度的透明量子点的像素点电路及其制备方法，每个像素点电路包括一个选址TFT、一个驱动TFT、一个存储电容和量子点发光结构；所述的TFT和量子点发光结构是基于透明金属氧化物制作；所述的TFT包括电极、有源层、保护层和栅氧层；所述的有源层为ZnO薄膜。本发明的像素点电路可组成像素点电路阵列，可用于制造一种透明TFT量子点显示屏，该像素点电路阵列可以有50行50列共2500个像素点电路。本发明的透明TFT量子点显示屏成本较低，制备简易，具有优秀的电气性能，相比传统OLED显示屏具有更好的亮度和色彩对比度。