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公开(公告)号：CN119024582A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202310590006.8
申请日：2023-05-23
Applicant: 济南量子技术研究院
IPC: G02F1/03
Abstract: 本发明公开了一种铌酸锂调制器，其通过利用同轴传输线实现阻抗匹配部件，可以在提高调制器S11带宽的同时，允许阻抗匹配部件与射频连接器和调制器外壳一体集成，与现有基于共面波导方式实现的阻抗匹配部件相比，提高了调制器的集成度，减小了调制器尺寸及部件数量，使调制器的整体可靠性得到提升。此外，还简化了铌酸锂调制器芯片的设计要求，允许增加芯片设计中关键参数的冗余度(包括火线宽度、电极间距、电极厚度等)，对提高器件的带宽、降低半波电压有明显改善效果。并且，通过减小芯片宽度，可以使相同尺寸晶圆的芯片产率得以提升，这对于高速铌酸锂调制器的工业应用是极其有利的。
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公开(公告)号：CN118550108A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202310186798.2
申请日：2023-02-25
Applicant: 济南量子技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种高速X切铌酸锂调制器，其中，射频电极区域中的光波导靠近电极火线一侧，且在光波导和射频电极之间设有缓冲层，而偏置电极区域中的光波导位于地线和火线之间，但在光波导和偏置电极之间不设置缓冲层，由此在不影响带宽的前提下，有效降低射频和偏置半波电压。此外，还在调制器的MZ结构光波导中引入分段设计，使光波导的两臂在射频段和偏置段中具有不同间距，从而有效降低半波电压。因此，本发明可以在不引入新工艺的情况下减低调制器的半波电压，有利于批量生产大带宽、低半波电压的铌酸锂高速调制器。
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公开(公告)号：CN221078974U
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202322536569.7
申请日：2023-09-18
Applicant: 济南量子技术研究院
Abstract: 本申请公开了一种模斑转换器以及光学模块，模斑转换器包括：铌酸锂衬底，具有相对的第一表面和第二表面；位于第一表面内的光波导；光波导包括设置在铌酸锂衬底表面内的质子交换区；其中，在平行于第一表面的方向上，光波导包括：依次排布的输入部分、渐变部分和输出部分；输入部分具有第一模场直径，输出部分具有第二模场直径，第一模场直径大于第二模场直径；渐变部分的模场直径从第一模场直径渐变至第二模场直径。本申请通过在铌酸锂衬底表面内形成质子交换区，以在铌酸锂衬底表面内形成光波导，使得模斑转换器具有起偏功能，与集成光学芯片连接时，无需前置起偏器，减小了光学系统体积以及光学插入损耗，便于集成光学技术的推广应用。
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公开(公告)号：CN221406084U
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202322716242.8
申请日：2023-10-10
Applicant: 济南量子技术研究院
Abstract: 实用新型公开了一种新型的Y波导芯片，其包括铌酸锂晶体、Y形分支波导和调制电极，其中，调制电极和Y形分支波导分别形成于铌酸锂晶体上，且铌酸锂晶体和调制电极的表面上还形成有介质保护膜。通过尤其在调制电极上方覆盖介质保护膜以替代传统的硅胶保护结构，能够有效阻挡水汽扩散进入调制电极区域。因此，与传统涂覆硅胶方案相比，本实用新型的Y波导芯片可以具有更高的可靠性，能够保证在高温高湿环境下正常工作。
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公开(公告)号：CN220040906U
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202321521609.4
申请日：2023-06-14
Applicant: 济南量子技术研究院
Abstract: 本实用新型公开了一种X切铌酸锂IQ调制器，其光波导在射频电极区域中靠近射频电极火线一侧，并在射频电极和光波导之间设置缓冲层；同时，在偏置电极和相位电极作用区域中，保持光波导位于火线与地线的中心位置上，但在光波导与偏置电极之间、光波导与相位电极之间不使用氧化硅等缓冲层。因此，可以在不影响带宽的同时，降低X切铌酸锂IQ调制器的射频半波电压，有效降低偏置电极和相位电极的半波电压。通过在MZ调制器中引入分段结构，借助余弦曲线形状的过渡段，可以增加MZ调制器结构在直流偏置段中的两臂间距，有效降低半波电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN221404508U
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202323404253.9
申请日：2023-12-13
Applicant: 济南量子技术研究院
Abstract: 本实用新型涉及量子探测领域，尤其涉及一种单通道上转换单光子探测器及探测系统。本实用新型的单通道上转换单光子探测器，探测支路中的硅材质的雪崩光电二极管检测到光子后产生动作信号，动作信号通过高速比较器流向触发器，触发器产生脉冲信号流向主动淬灭模块实现主动淬灭功能，以及通过延时芯片和快速恢复模块实现快速恢复功能，同时通过计数输出模块进行计数，本实用新型的单通道上转换单光子探测器，为产品级的单通道上转换单光子探测器，探测率高、信噪比好、结构紧凑、制备方便，无需复杂的光学电路设计，为科学研究和应用提供了有力的支持，对当前的量子通讯和量子计算机的研制有重大意义和深远影响。
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公开(公告)号：CN218481725U
公开(公告)日：2023-02-14
申请号：CN202223143185.0
申请日：2022-11-25
Applicant: 济南量子技术研究院
Abstract: 本实用新型涉及一种铌酸锂偏振调制器，包括光场承载基底，所述光场承载基底上设置有脊波导、第一和第二调谐电极，第一和第二调谐电极分布于脊波导的两侧；第一和第二缓冲层，设置于所述脊波导、第一调谐电极、第二调谐电极以及部分光场承载基底的上表面；第二缓冲层设置于光场承载基底的下表面；第一控制电极和第二控制电极，设置在第一缓冲层的上表面，第二控制电极设置在第二缓冲层的下表面；衬底，设置在第二缓冲层的下表面。本实用新型能够使得偏振调制器工作时的光场既能够分布于调谐电场中心，也能够分布于控制电场中心，大大增加了光场、电场的重叠程度，可以有效降低调制器的工作电压，提高偏振调制器的调制效率。
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公开(公告)号：CN218121347U
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202221838904.8
申请日：2022-07-15
Applicant: 济南量子技术研究院
Abstract: 本实用新型提供了一种调制器测试装置，包括：底座，设置在底座水平面上的水平限位机构，设置在与水平限位机构所在平面相临的竖直平面上的竖直限位机构，水平限位机构包括第一板件，第一板件上开有用于第一固定件穿过的第一限位凹槽，竖直限位机构包括第二板件，第二板件上开有用于第二固定件穿过的第二限位凹槽，第二板件突出部开有多个用于放置探针的孔，第二板件突出部与第一板件之间用于放置待测调制器，探针的一端用于与待测调制器引线接触连接，探针的另一端用于与测试线连接；本实用新型最大化的减少了表面接触，从而减少了引线表面损伤，通过可调节的固定机制，能够适应多种调制器的封装测试。
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公开(公告)号：CN219576192U
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202320453681.1
申请日：2023-03-07
Applicant: 济南量子技术研究院
Abstract: 本实用新型涉及光纤激光器领域，特别涉及一种倍频光纤激光器及其功率稳定系统。功率稳定系统包括：光纤放大器，光纤放大器的输入端用于连接单频激光器；波导，波导的输入端连接光纤放大器的输出端；探测器，探测器的输入端连接波导的输出端；泵浦激光器，泵浦激光器的光纤输出端连接光纤放大器；控制器，控制器的输入端连接探测器的输出端，控制器的第一输出端连接泵浦激光器，用于根据探测器采集的倍频后的激光功率控制泵浦激光器的驱动电流，温度调节装置的输入端连接控制器的第二输出端。本实用新型采用波导的方式不仅可以快速的实现功率稳定，系统响应速度快，稳定效果好，而且最大化的提高输出功率的精度。
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公开(公告)号：CN218213679U
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202222718350.4
申请日：2022-10-14
Applicant: 济南量子技术研究院
Abstract: 本实用新型公开了一种铌酸锂薄膜光器件，其包括衬底和设置于衬底上的铌酸锂薄膜光器件模块。铌酸锂薄膜光器件模块包括VCSEL激光器芯片、转折透镜、和具有光波导及调制功能区域的铌酸锂薄膜芯片，其中，转折透镜用于改变所述激光信号的传输方向，并将其聚焦耦合至铌酸锂光波导上。借助转折透镜，可以高效地实现激光器与薄膜芯片的空间耦合，将VCSEL激光器芯片和铌酸锂薄膜芯片集成封装，减小光学系统的损耗和体积，提高系统的可靠性。同时，VCSEL激光器的波长稳定性好，阈值电流小，且可以实现激光器阵列生产，有利于实现更高的通道容量，更好地满足多路并行通信速率要求。
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