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公开(公告)号：CN116953850B
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311203319.X
申请日：2023-09-19
Applicant: 济南量子技术研究院
Abstract: 本发明适用于光通信器件微纳加工技术领域，尤其涉及一种铌酸锂薄膜波导器件及其制备方法。方法包括：提供铌酸锂薄膜晶圆；在铌酸锂薄膜晶圆上涂电子束光刻胶，电子束光刻胶包括正胶；将涂电子束光刻胶的铌酸锂薄膜晶圆经过电子束曝光、显影、镀膜、剥离工艺，得到标记以及波导结构硬掩膜；镀膜工艺包括镀金属，标记以及波导结构硬掩膜均为金属材料；对标记保护后，利用波导结构硬掩膜，通过刻蚀工艺对铌酸锂薄膜进行刻蚀，并经过清洗后得到带有标记的铌酸锂薄膜波导结构；通过带有标记的铌酸锂薄膜波导结构得到铌酸锂薄膜波导器件。本发明提高了分辨率和套刻精度，降低了套刻误差。
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公开(公告)号：CN116027483B
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310312229.8
申请日：2023-03-28
Applicant: 济南量子技术研究院
Abstract: 本发明适用于量子光学和量子信息技术领域，尤其涉及一种基于铌酸锂薄膜脊型波导的偏振分束器。偏振分束器包括：用于连接泵浦光源以及输出TM模偏振光的第一铌酸锂薄膜脊型波导；与第一铌酸锂薄膜脊型波导平行设置，且用于输出TE模偏振光的第二铌酸锂薄膜脊型波导；N条脊型波导，N≥1，N条脊型波导均设置在第一和第二铌酸锂薄膜脊型波导之间，且N条脊型波导的光传输方向处于第一铌酸锂薄膜脊型波导和第二铌酸锂薄膜脊型波导的光传输方向的平面内；其中，第i条脊型波导的距离差值为Δdi，第i条脊型波导的长度为di，且0＜|Δdi|＜di，0＜i≤N。本发明的偏振分束器为被动器件系统，不需要额外通电，且工艺更简单。
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公开(公告)号：CN114264383B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202111667703.6
申请日：2021-12-30
Applicant: 济南量子技术研究院
IPC: G01J11/00
Abstract: 本发明提供了一种应用于面阵列上转换相机的高效率单光子探测系统及方法，所述系统至少包括：核心处理模块、主动淬灭模块、快速恢复模块、可调高压模块、可调中压模块、计数信号处理模块和保护模块；核心处理模块，被配置为：通过可调高压模块使雪崩二极管工作在盖革模式，通过计数信号处理模块获取雪崩二极管阴极的雪崩信号，通过主动淬灭模块与可调中压模块进行雪崩二极管的主动淬灭控制，通过快速恢复模块进行雪崩二极管快速恢复到盖革模式控制；保护模块，被配置为：根据雪崩信号在采样电阻上产生的电压信号控制主动淬灭电路与雪崩二极管的连接；降低了暗计数，提高了探测效率，提高饱和计数率。
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公开(公告)号：CN116931367B
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311196005.1
申请日：2023-09-18
Applicant: 济南量子技术研究院
Abstract: 本发明涉及一种铌酸锂薄膜脊型波导调制器及其制备方法，该方法包括：提供一铌酸锂薄膜晶圆；在薄膜上涂覆光刻胶和导电胶；进行电子束曝光处理，在所述光刻胶中形成金属标记凹槽、第一波导凹槽和第二波导凹槽；显影处理；金属电镀处理，在相应凹槽中生成金属标记和波导结构硬掩膜；利用掩膜对薄膜进行刻蚀得到第一、第二波导；去除波导结构硬掩膜，然后涂覆导电胶，以金属标记为套刻标记进行曝光、显影处理，电镀处理分别形成三个金属电极，得到脊型波导；沉积保护层以及在脊型波导上耦合光纤，得到铌酸锂薄膜脊型波导调制器。本发明只需一步套刻法，就能制备出调制器，支持使用成本相对低很多的普通曝光胶，大大降低工艺复杂度和成本、更节能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116953850A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202311203319.X
申请日：2023-09-19
Applicant: 济南量子技术研究院
Abstract: 本发明适用于光通信器件微纳加工技术领域，尤其涉及一种铌酸锂薄膜波导器件及其制备方法。方法包括：提供铌酸锂薄膜晶圆；在铌酸锂薄膜晶圆上涂电子束光刻胶，电子束光刻胶包括正胶；将涂电子束光刻胶的铌酸锂薄膜晶圆经过电子束曝光、显影、镀膜、剥离工艺，得到标记以及波导结构硬掩膜；镀膜工艺包括镀金属，标记以及波导结构硬掩膜均为金属材料；对标记保护后，利用波导结构硬掩膜，通过刻蚀工艺对铌酸锂薄膜进行刻蚀，并经过清洗后得到带有标记的铌酸锂薄膜波导结构；通过带有标记的铌酸锂薄膜波导结构得到铌酸锂薄膜波导器件。本发明提高了分辨率和套刻精度，降低了套刻误差。
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公开(公告)号：CN116698202A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202210174598.0
申请日：2022-02-24
Applicant: 济南量子技术研究院
IPC: G01J11/00
Abstract: 本发明提供了一种基于铌酸锂脊型波导中红外波段的上转换单光子探测器，信号光依次经过可调节衰减器、分束器和第一偏振控制器形成的中红外波段的单光子源进入波分复用器；泵浦光经过第二偏振控制器后进入波分复用器与中红外波段的单光子源融合后进入铌酸锂脊型波导，铌酸锂脊型波导的输出光经过多模光纤和窄带光纤滤波器后进入硅雪崩光电二极管；铌酸锂脊型波导和频过程的转换效率根据归一化转换效率、泵浦光功率和波导非线性长度得到，归一化转换效率的计算中采用经过周期调制的非线性系数。本发明实现了全光纤单光子探测，实现了室温单光子探测，实现了饱和计数率高、暗计数小、后脉冲概率小的单光子探测。
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公开(公告)号：CN115657398A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202210991148.0
申请日：2022-08-18
Applicant: 济南量子技术研究院
Abstract: 本发明适用于量子物理技术领域，尤其涉及一种基于双周期极化薄膜铌酸锂波导的量子纠缠源。纠缠源包括：波导模块，波导模块包括相互垂直且耦合连接的第一PPLN波导和第二PPLN波导，第一PPLN波导用于接收泵浦光源，第二PPLN波导输出关联的光子对；补偿装置，补偿装置的一端与第二PPLN波导的输出端固定连接，用于接收第二PPLN波导输出的光子对，对光子对进行空间和/或时间补偿，并且对补偿后的相位匹配的光子对进行干涉，形成纠缠态，经过补偿装置的另一端输出；温度调节装置，用于调节波导模块和补偿装置的温度。本发明的量子纠缠源为单路纠缠系统，对波导没有一致性的要求，适用于短波长的PPLN波导纠缠源，而且纠缠亮度更高。
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公开(公告)号：CN112985596B
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202110103461.1
申请日：2021-01-26
Applicant: 济南量子技术研究院
IPC: G01J1/44
Abstract: 本发明涉及一种基于频率上转换的10.6μm单光子探测器，以及基于该单光子探测器的性能测试实验装置。在本发明的10.6μm单光子探测器中，基于OP‑GaAs薄膜设计了一种脊型波导结构，用以将长波红外的单光子和频转换至短波红外波段，再采用成熟的短波红外单光子探测器检测，由此在长波红外波段上实现单光子探测，从而使得全天候的自由空间量子密钥分发、红外单光子成像及单光子激光雷达成为可能。并且，借助本发明，可以实现室温环境下的单光子探测，摆脱低温限制，由此能够极大地简化单光子探测器结构，降低其对使用环境的要求，以及使用和维护成本，拓展其应用范围。
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公开(公告)号：CN114911292B
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202210544206.5
申请日：2022-05-18
Applicant: 济南量子技术研究院
IPC: G05D23/24
Abstract: 本发明适用于量子探测和量子通信技术领域，尤其涉及一种波导温度控制方法及系统。方法包括：获取波导正常工作后波导的工作温度和探测器计数率；若探测器计数率的变化率超出变化率设定范围，则控制波导的工作温度在当前工作温度的第一温度设定范围内扫描；找出第一温度设定范围内，探测器计数率最大时对应的第一温度，将所述第一温度作为波导的最佳工作温度；以最佳工作温度控制波导温度。本发明控制精确，而且更加高效，同时该方法应用于阵列相机等多通道场合，可节省大量的人工成本且可避免人为误差。
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