一种抗噬菌体枯草芽孢杆菌及其构建方法与应用

    公开(公告)号:CN119162075B

    公开(公告)日:2025-04-18

    申请号:CN202411612029.5

    申请日:2024-11-13

    Applicant: 济南大学

    Abstract: 本发明属于基因工程领域,具体涉及一种抗噬菌体枯草芽孢杆菌及其构建方法与应用。本发明以枯草芽孢杆菌BsRX17为出发菌株,从其基因组中鉴定到一种在枯草芽孢杆菌抵御噬菌体侵染中发挥作用的限制修饰系统(Restriction modification system),该系统是由YdiR、YdiS、YdjA三个基因组成的II型RM系统,经验证YdiR和YdjA基因在此II型RM系统的抗噬菌体功能中起着重要作用。经元件组合优化和基因组整合表达,获得了可对多种噬菌体具有抵抗侵染作用的枯草芽孢杆菌工程菌BsRX17‑YdiR/YdjA‑OE,在发酵过程中具有抗噬菌体污染的效果。同时此工程菌的生长曲线与出发菌株无明显差异,表明该菌在具备广谱抗噬菌体能力的同时能够保持正常生长能力,可应用于枯草芽孢杆菌的生物技术开发以及工业发酵过程中噬菌体污染防控。

    外源添加超痕量小分子物质促进植物生长的应用

    公开(公告)号:CN118216524A

    公开(公告)日:2024-06-21

    申请号:CN202410337233.4

    申请日:2024-03-23

    Applicant: 济南大学

    Abstract: 本发明公开了外源添加超痕量小分子物质促进植物生长的应用。本申请专利通过研究发现,外源添加超痕量的纳米分子材料Fe3O4对水稻的生长具有显著促进作用。实验结果显示,外源添加浓度为0.5mg/L纳米分子材料Fe3O4可以显著诱导水稻株高的生长和根系生物量的增加,表明使用超痕量纳米分子材料Fe3O4可以高效诱导水稻生长。该发现表明其在农业生产中促进植物生长具有巨大应用前景。

    一种抗噬菌体枯草芽孢杆菌及其构建方法与应用

    公开(公告)号:CN119162075A

    公开(公告)日:2024-12-20

    申请号:CN202411612029.5

    申请日:2024-11-13

    Applicant: 济南大学

    Abstract: 本发明属于基因工程领域,具体涉及一种抗噬菌体枯草芽孢杆菌及其构建方法与应用。本发明以枯草芽孢杆菌BsRX17为出发菌株,从其基因组中鉴定到一种在枯草芽孢杆菌抵御噬菌体侵染中发挥作用的限制修饰系统(Restriction modification system),该系统是由YdiR、YdiS、YdjA三个基因组成的II型RM系统,经验证YdiR和YdjA基因在此II型RM系统的抗噬菌体功能中起着重要作用。经元件组合优化和基因组整合表达,获得了可对多种噬菌体具有抵抗侵染作用的枯草芽孢杆菌工程菌BsRX17‑YdiR/YdjA‑OE,在发酵过程中具有抗噬菌体污染的效果。同时此工程菌的生长曲线与出发菌株无明显差异,表明该菌在具备广谱抗噬菌体能力的同时能够保持正常生长能力,可应用于枯草芽孢杆菌的生物技术开发以及工业发酵过程中噬菌体污染防控。

Patent Agency Ranking