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公开(公告)号：CN111334685A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN202010260075.9
申请日：2020-04-03
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明公开了一种高致密度的Half-Heusler热电材料的制备方法及所得产品，该方法通过微波合成—温压成型—微波烧结制备高致密度的Half-Heusler热电材料，制备周期短，效率高，成分纯净具有单一相，组织分布均匀。所得产品热导率显著降低，热电性能优越，工业化前景良好。
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公开(公告)号：CN114284422B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202210063633.1
申请日：2022-01-20
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明公开了一种适用于CoSb3基热电材料的高熵电极及热电材料与高熵电极的连接方法，所述高熵电极为高熵合金，电极与热电材料的连接方法为：将热电材料块体表面清理后和高熵合金粉末一起放入球磨罐中；设置球磨转速，并采用空冷方式进行球磨，直至CoSb3基热电元件块体表面沉积所需厚度的高熵合金层。本发明方法制备简单，成本低、耗能低、无污染且易于实现，室温条件下即可进行，不存在制备过程中由于高温而使Sb元素挥发的问题，保了证热电材料的转换效率，高熵合金电极在高温服役过程后也不会降低热电性能。所形成的高熵致密电极层与CoSb3基热电材料块体间连接紧密无裂纹，厚度均匀，界面结合牢固。
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公开(公告)号：CN114284422A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202210063633.1
申请日：2022-01-20
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明公开了一种适用于CoSb3基热电材料的高熵电极及热电材料与高熵电极的连接方法，所述高熵电极为高熵合金，电极与热电材料的连接方法为：将热电材料块体表面清理后和高熵合金粉末一起放入球磨罐中；设置球磨转速，并采用空冷方式进行球磨，直至CoSb3基热电元件块体表面沉积所需厚度的高熵合金层。本发明方法制备简单，成本低、耗能低、无污染且易于实现，室温条件下即可进行，不存在制备过程中由于高温而使Sb元素挥发的问题，保了证热电材料的转换效率，高熵合金电极在高温服役过程后也不会降低热电性能。所形成的高熵致密电极层与CoSb3基热电材料块体间连接紧密无裂纹，厚度均匀，界面结合牢固。
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公开(公告)号：CN108511594A
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201810553132.5
申请日：2018-06-01
Applicant: 济南大学
Abstract: 一种CuInSe2/CuInTe2热电复合材料的制备方法，采用熔融-退火法制得Te缺位的CuInTe2-x热电材料粉体，将该粉体进行渗硒处理，得到CuInSe2/CuInTe2热电复合材料粉体，将该复合材料粉体进行急速热压烧结，得最终产品。本发明避免了传统方法制备时第二相分布不均匀、容易偏聚等缺点，同时可以通过控制渗硒的工艺参数来实现第二相CuInSe2的精确控制，具有制备工艺简单、重复性好、可控性强、操作方便等优点，产业化前景良好，制备出的CuInSe2/CuInTe2热电复合材料热电优值ZT高，具有优良的热电性能，可大批量生产，适用于大规模生产。
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公开(公告)号：CN108461619A
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201810553138.2
申请日：2018-06-01
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明公开了一种Se掺杂方钴矿热电材料的制备方法，采用熔融-退火法制得制得Sb缺位的CoSb3-x热电材料粉体，将该粉体进行渗硒处理，然后进行急速热压烧结，得最终产品。本发明利用渗硒工艺对方钴矿热电材料进行掺杂，较好的实现了Se元素的均匀掺杂，避免了传统方法的掺杂不均匀，之后通过急速热压烧结工艺制备出块体的Se掺杂方钴矿热电材料，该制备方法工艺简单方便、重复性好、可控性强、操作方便，可以通过控制渗硒的工艺参数来实现硒掺加量的精确控制，可用于大批量生产，产业前景良好。制备得到的Se掺杂方钴矿热电材料具有优良的热电性能，适用于大规模生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108511594B
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN201810553132.5
申请日：2018-06-01
Applicant: 济南大学
Abstract: 一种CuInSe2/CuInTe2热电复合材料的制备方法，采用熔融‑退火法制得Te缺位的CuInTe2‑x热电材料粉体，将该粉体进行渗硒处理，得到CuInSe2/CuInTe2热电复合材料粉体，将该复合材料粉体进行急速热压烧结，得最终产品。本发明避免了传统方法制备时第二相分布不均匀、容易偏聚等缺点，同时可以通过控制渗硒的工艺参数来实现第二相CuInSe2的精确控制，具有制备工艺简单、重复性好、可控性强、操作方便等优点，产业化前景良好，制备出的CuInSe2/CuInTe2热电复合材料热电优值ZT高，具有优良的热电性能，可大批量生产，适用于大规模生产。
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公开(公告)号：CN107445621B
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201710796075.9
申请日：2017-09-06
Applicant: 济南大学
IPC: C04B35/547 , C04B35/622
Abstract: 本发明属于热电材料技术领域，具体涉及一种Cu‑Te纳米晶/Cu2SnSe3热电复合材料及其制备方法，该复合材料中Cu‑Te纳米晶在复合材料中的体积比为0.2‑1.2%。本发明制备的Cu‑Te纳米晶/Cu2SnSe3型热电复合材料表现出较好的热电性能，大幅提升了Cu2SnSe3基体的ZT值；制备所需工艺操作简单、参数可控、适用于较大规模生产。
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公开(公告)号：CN111334685B
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202010260075.9
申请日：2020-04-03
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明公开了一种高致密度的Half‑Heusler热电材料的制备方法及所得产品，该方法通过微波合成—温压成型—微波烧结制备高致密度的Half‑Heusler热电材料，制备周期短，效率高，成分纯净具有单一相，组织分布均匀。所得产品热导率显著降低，热电性能优越，工业化前景良好。
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公开(公告)号：CN108461619B
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201810553138.2
申请日：2018-06-01
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明公开了一种Se掺杂方钴矿热电材料的制备方法，采用熔融‑退火法制得制得Sb缺位的CoSb3‑x热电材料粉体，将该粉体进行渗硒处理，然后进行急速热压烧结，得最终产品。本发明利用渗硒工艺对方钴矿热电材料进行掺杂，较好的实现了Se元素的均匀掺杂，避免了传统方法的掺杂不均匀，之后通过急速热压烧结工艺制备出块体的Se掺杂方钴矿热电材料，该制备方法工艺简单方便、重复性好、可控性强、操作方便，可以通过控制渗硒的工艺参数来实现硒掺加量的精确控制，可用于大批量生产，产业前景良好。制备得到的Se掺杂方钴矿热电材料具有优良的热电性能，适用于大规模生产。
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公开(公告)号：CN109811204B
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201910114065.1
申请日：2019-02-14
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明公开了一种TaB2颗粒增强的铝基复合材料及其制备方法，该铝基复合材料其由基体和增强相组成，所述基体为铝或铝合金，所述增强相为TaB2颗粒。本发明通过低成本的七氟钽酸钾和四氟硼酸钾在铝熔体或铝合金熔体中原位反应生成了TaB2颗粒，制备出新型的TaB2颗粒增强的铝基复合材料，TaB2颗粒与基体界面结合良好，复合材料力学性能优异，工业产业化前景良好，这对于铝基复合材料的开发和应用具有重要的意义。
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