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公开(公告)号:CN114497335A
公开(公告)日:2022-05-13
申请号:CN202210063653.9
申请日:2022-01-20
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明公开了一种方钴矿热电材料电极以及方钴矿热电材料与电极的连接方法,电极原料为铝粉、氧化铝粉、氯化铵粉末。本发明将方钴矿热电材料埋入原料的混合物粉末,在一定温度下使之发生反应和扩散,实现了电极与CoSb3热电材料的连接。该方法具有生产周期短,设备投资小、操作简单等优点,极大的提高了热电材料与电极连接的效率,适用于大规模生产。
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公开(公告)号:CN111446357A
公开(公告)日:2020-07-24
申请号:CN202010259320.4
申请日:2020-04-03
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明公开了一种制备Cu2Se热电材料的方法,该方法利用湿法球磨—微波合成—湿法球磨—急速热压的工艺流程,快速制得Cu2Se块体材料,该方法原料混合均匀、升温速率快、合成时间短、工艺操作简单、耗能低、生产成低、生产周期短、设备要求简单,可得到高纯无杂相的Cu2Se块体材料,极大的提高了该热电材料的制备效率,适用于大规模生产制备。
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公开(公告)号:CN109468479A
公开(公告)日:2019-03-15
申请号:CN201811569325.6
申请日:2018-12-21
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明公开了一种铝-钽-碳中间合金及其制备方法和应用,中间合金由以下重量百分比的组分组成:钽1.0%-4.5%,碳0.3-3.0%,其余为铝。本发明采用铝、钽、碳三种成分组成中间合金,通过合金组分的选择和含量的控制,实现对中间合金性能的良好控制。本发明中间合金成分可精确控制,制备工艺简单方便,碳吸收率高、对铝硅合金具有较好细化变质效果、无颗粒团聚和毒化副作用,产业化前景好。
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公开(公告)号:CN114497335B
公开(公告)日:2024-12-27
申请号:CN202210063653.9
申请日:2022-01-20
Applicant: 济南大学
IPC: H10N10/81 , H10N10/82 , H10N10/01 , H10N10/853
Abstract: 本发明公开了一种方钴矿热电材料电极以及方钴矿热电材料与电极的连接方法,电极原料为铝粉、氧化铝粉、氯化铵粉末。本发明将方钴矿热电材料埋入原料的混合物粉末,在一定温度下使之发生反应和扩散,实现了电极与CoSb3热电材料的连接。该方法具有生产周期短,设备投资小、操作简单等优点,极大的提高了热电材料与电极连接的效率,适用于大规模生产。
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公开(公告)号:CN114284422B
公开(公告)日:2024-09-10
申请号:CN202210063633.1
申请日:2022-01-20
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明公开了一种适用于CoSb3基热电材料的高熵电极及热电材料与高熵电极的连接方法,所述高熵电极为高熵合金,电极与热电材料的连接方法为:将热电材料块体表面清理后和高熵合金粉末一起放入球磨罐中;设置球磨转速,并采用空冷方式进行球磨,直至CoSb3基热电元件块体表面沉积所需厚度的高熵合金层。本发明方法制备简单,成本低、耗能低、无污染且易于实现,室温条件下即可进行,不存在制备过程中由于高温而使Sb元素挥发的问题,保了证热电材料的转换效率,高熵合金电极在高温服役过程后也不会降低热电性能。所形成的高熵致密电极层与CoSb3基热电材料块体间连接紧密无裂纹,厚度均匀,界面结合牢固。
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公开(公告)号:CN111446357B
公开(公告)日:2023-05-19
申请号:CN202010259320.4
申请日:2020-04-03
Applicant: 济南大学
IPC: H10N10/01 , H10N10/852 , C01B19/00
Abstract: 本发明公开了一种制备Cu2Se热电材料的方法,该方法利用湿法球磨—微波合成—湿法球磨—急速热压的工艺流程,快速制得Cu2Se块体材料,该方法原料混合均匀、升温速率快、合成时间短、工艺操作简单、耗能低、生产成低、生产周期短、设备要求简单,可得到高纯无杂相的Cu2Se块体材料,极大的提高了该热电材料的制备效率,适用于大规模生产制备。
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公开(公告)号:CN114284422A
公开(公告)日:2022-04-05
申请号:CN202210063633.1
申请日:2022-01-20
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明公开了一种适用于CoSb3基热电材料的高熵电极及热电材料与高熵电极的连接方法,所述高熵电极为高熵合金,电极与热电材料的连接方法为:将热电材料块体表面清理后和高熵合金粉末一起放入球磨罐中;设置球磨转速,并采用空冷方式进行球磨,直至CoSb3基热电元件块体表面沉积所需厚度的高熵合金层。本发明方法制备简单,成本低、耗能低、无污染且易于实现,室温条件下即可进行,不存在制备过程中由于高温而使Sb元素挥发的问题,保了证热电材料的转换效率,高熵合金电极在高温服役过程后也不会降低热电性能。所形成的高熵致密电极层与CoSb3基热电材料块体间连接紧密无裂纹,厚度均匀,界面结合牢固。
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