公开(公告)号：CN105932152A

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201610343918.5

申请日：2016-05-20

Applicant: 济南大学

Inventor： 胡广达 ,  闫静 ,  蒋晓妹

IPC: H01L41/22 ,  H01L41/39 ,  C04B35/26

CPC classification number: H01L41/22 ,  C04B35/26 ,  H01L41/39

Abstract: 本发明公开了一种提高铁电薄膜抗击穿能力的方法，该方法是以金属铝片作为铁电薄膜的电极，或者以表面覆有一层铝膜的其他材质作为铁电薄膜的电极，对铁电薄膜的电极进行预处理后再在预处理的电极上生长铁电薄膜；所述铁电薄膜的电极在气体保护、300‑480℃下进行预处理。本发明首次提出通过电极的选择提高铁电薄膜抗击穿能力的思路，并提供了可行的电极。所得铁电薄膜具有很强的抗击穿能力，漏电流很低，能测到薄膜的真实铁电性能，在未来铁电薄膜的制备过程和器件应用中都具有良好的前景。

公开(公告)号：CN103708836A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201310217203.1

申请日：2013-06-04

Applicant: 济南大学

Inventor： 吴海涛 ,  杨长红 ,  胡广达

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/626 ,  C04B35/624

Abstract: 本发明属于电子陶瓷制备与应用技术领域，尤其涉及一种利用溶胶凝胶法精细合成三元金红石结构NiTiNb2O8微波介质陶瓷方法。本发明技术方案为：利用溶胶凝胶法精细合成三元金红石结构NiTiNb2O8微波介质陶瓷方法，包括以下步骤：1）配制Ni离子的柠檬酸水溶液；2）配制Ti与Nb离子的柠檬酸水溶液；3）三元NiTiNb2O8微波介质陶瓷纳米前驱体的合成及陶瓷制备。具有合成温度低、陶瓷颗粒均匀、分散性好、物相纯、粉体具有纳米粒度（约50nm）并具有高比表面能，呈现出较高活性等显著优势，较传统固相法能显著降低烧结温度100-200℃，实现低温烧结，并保持其良好微波介电性能，有望满足LTCC应用需求。

公开(公告)号：CN102775141B

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN201210290899.6

申请日：2012-08-16

Applicant: 济南大学

Inventor： 吴海涛 ,  杨长红 ,  武卫兵 ,  胡广达 ,  杨锋 ,  岳云龙

IPC: C04B35/453 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明属于电子陶瓷制备与应用技术领域，尤其涉及一种利用湿化学法精细合成三元ZnO-Nb2O5-TiO2体系微波介质陶瓷方法。本发明的技术方案为：利用湿化学法精细合成三元ZnO-Nb2O5-TiO2体系微波介质陶瓷方法，包括以下步骤：1）配制Zn离子的柠檬酸水溶液；2）配制Ti与Nb离子的柠檬酸水溶液；3）三元ZnO-Nb2O5-TiO2体系微波介质陶瓷纳米前驱体的合成及陶瓷制备。具有合成温度低、陶瓷颗粒均匀、分散性好、物相纯、粉体具有纳米粒度并具有高比表面能，呈现出较高活性等显著优势，能够实现低温烧结，并保持其良好微波介电性能，满足LTCC应用需求。

公开(公告)号：CN103346255A

公开(公告)日：2013-10-09

申请号：CN201310258989.1

申请日：2013-06-26

Applicant: 济南大学

Inventor： 杨锋 ,  胡广达 ,  武卫兵 ,  杨长红 ,  吴海涛

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明公开了一种异质结，包括衬底和在衬底上外延生长的一层铁电薄膜，所述衬底为n型或p型掺杂硅半导体，所述铁电薄膜为SrTiO3薄膜。本发明还公开了一种铁电隧道结，包括上述异质结，所述异质结的铁电薄膜表面覆有上电极，异质结的铁电薄膜作为铁电隧道结的势垒层，异质结的衬底作为铁电隧道结的下电极。本发明还公开了它们的制备和应用。本发明异质结实现了钛酸锶与非本征硅的直接外延生长，表现出了稳定的极化翻转特性，制成隧道结可电调制势垒的高度而且可电调制势垒的宽度，从而大大提高了隧道电阻。

公开(公告)号：CN102222672B

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN201110123820.6

申请日：2011-05-13

Applicant: 济南大学

Inventor： 杨长红 ,  赵媛媛 ,  吴海涛 ,  胡广达

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明公开了一种铁酸铋基薄膜层叠结构电容器及其制备方法，该电容器从下到上依次包括底电极、衬底、缓冲层、铁电薄膜层和金属点电极，所述缓冲层为掺锰钛酸锶钡薄膜，化学式为Ba0.6Sr0.4Ti(1-x)MnxO3，x为元素锰的摩尔当量，x=0.005-0.05；所述铁电薄膜层为铁酸铋基薄膜，化学式为Bi(1-y)LnyFeO3，其中，Ln为镧系元素中的一种，y为镧系元素的摩尔当量，y=0.01-0.2。本发明制备方法简单，所得的电容器是铁电场效应晶体管的存储单元，该电容器克服了一般硅衬底上铁酸铋基薄膜电容器界面性能差、工作电压高的缺点，具有良好的存储性能。

公开(公告)号：CN101811889B

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN201010156023.3

申请日：2010-04-27

Applicant: 济南大学

Inventor： 胡广达 ,  王金翠 ,  程玲 ,  张红岩 ,  姜波 ,  武卫兵 ,  杨长红

IPC: C04B41/50

Abstract: 本发明公开了一种镧系元素掺杂的钛酸铋薄膜，它包括至少5层材料，每层材料的组分为Bi(4-x)(1+y)LnxTi3O12，其中，Ln为镧系元素中的一种，x为镧系元素的摩尔当量，0.1≤x≤0.85；元素Bi要过量加入，y为Bi以重量计的过量百分数，第一层材料中y为5％～15％，第二至四层材料中y为10％～20％，第五层及五层以上材料中y为15％～25％。本发明还公开了该薄膜的制备方法。本发明的制备方法成本低，操作简单，所制得的薄膜(100)取向的择优度高，剩余极化、电滞回线的矩形度等也得到了提高，适于应用。

公开(公告)号：CN104072129A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201410156268.4

申请日：2014-04-18

Applicant: 济南大学

Inventor： 杨长红 ,  隋慧婷 ,  吴海涛 ,  杨锋 ,  胡广达

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622 ,  C03C17/34

Abstract: 本发明公开了一种B位等价锆离子掺杂的钛酸铋钠薄膜，属于功能薄膜领域。该薄膜以化学通式Na0.5Bi0.5(Ti1-xZrx)O3表示，其中，x为锆离子的摩尔掺量，且0.01≤x≤0.04。本发明通过化学溶液法结合层层退火工艺，在镀有底电极的玻璃衬底上旋涂镀膜，氮气气氛中500~550℃的低温下热处理，制得具有良好电绝缘性、铁电性以及介电性的无铅薄膜。该薄膜能够用于制备非易失性铁电存储器，开发具有铁电、压电、光电、光折变及非线性光学特性的多功能材料和器件。

公开(公告)号：CN103708837A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201310262118.7

申请日：2013-06-27

Applicant: 济南大学

Inventor： 吴海涛 ,  杨长红 ,  胡广达

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/626

Abstract: 本发明属于电子陶瓷制备与应用技术领域，尤其涉及一种利用溶胶凝胶法精细合成Ba(Zn1/3Nb2/3)O3介质陶瓷纳米粉体方法。本发明技术方案为：利用水溶性溶胶凝胶法精细合成Ba(Zn1/3Nb2/3)O3介质陶瓷纳米前驱粉体方法，包括以下步骤：1)配制Zn、Ba离子的柠檬酸水溶液；2)配制Nb的柠檬酸水溶液；3)Ba(Zn1/3Nb2/3)O3陶瓷纳米前驱体的合成。该发明利用价格低廉的氧化物及无机硝酸盐作为原料，避免使用昂贵的金属醇盐，合成粉体具有合成温度低、陶瓷颗粒均匀、分散性好、物相纯、同时容易实施各种元素精细掺杂改性，所获得粉体具有纳米粒度(低于100nm)并具有高比表面能，呈现出较高活性等显著优势，能实现后续低温烧结，有望满足LTCC应用需求。

公开(公告)号：CN103708537A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201310232921.6

申请日：2013-06-13

Applicant: 济南大学

Inventor： 吴海涛 ,  杨长红 ,  胡广达

IPC: C01G23/00 ,  C04B35/462 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明属于电子陶瓷制备与应用技术领域，尤其涉及一种利用溶胶凝胶法精细合成ZnO-TiO2体系微波介质陶瓷纳米粉体方法。本发明技术方案为：利用水溶性溶胶凝胶法精细合成ZnO-TiO2体系微波介质陶瓷纳米前驱粉体方法，包括以下步骤：1）配制Zn离子的柠檬酸水溶液；2）配制Ti的柠檬酸水溶液；3）ZnTiO3微波介质陶瓷纳米前驱体的合成。该发明利用价格低廉的氧化物及无机硝酸盐作为原料，避免使用昂贵的金属醇盐，合成粉体具有合成温度低、陶瓷颗粒均匀、分散性好、物相纯、同时容易实施各种元素精细掺杂改性，所获得粉体具有纳米粒度（约30nm）并具有高比表面能，呈现出较高活性等显著优势，能实现后续低温烧结，有望满足LTCC应用需求。

公开(公告)号：CN102268706A

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN201110183993.7

申请日：2011-07-04

Applicant: 济南大学

Inventor： 武卫兵 ,  李梅 ,  胡广达

IPC: C25D7/12 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种制备ZnO/Cu2O异质结材料及ZnO/Cu2O三维结构异质结太阳电池的方法，异质结材料的制备方法包括液相生长法在基底上生长n型ZnO纳米棒阵列薄膜、以碱性铜盐溶液为电解液，在-0.4~-0.6V的沉积电位下沉积60-150s，将p型Cu2O电化学沉积在ZnO纳米棒表面，形成Cu2O种子层；以碱性铜盐溶液为沉积溶液，在-0.05～-0.3V的沉积电位下再次采用电化学沉积法将Cu2O自下而上充分填充到纳米棒阵列的空隙中形成ZnO/Cu2O三维结构异质结材料。本发明Cu2O半导体薄膜的填充深度和致密度增加，界面缺陷减少，所制异质结电池电池效率高。