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公开(公告)号：CN104570209A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201510006340.X
申请日：2015-01-07
Applicant: 济南大学
IPC: G02B6/13
CPC classification number: G02B6/1345 , G02B6/136
Abstract: 本发明涉及周期极化波导制备技术领域，特别涉及一种制备周期极化KTiOPO4平面波导的方法：采用离子注入的方法，在KTiOPO4晶体内形成晶格损伤层；在KTiOPO4晶体表面形成周期性光刻胶图形，在光刻基础上镀金属膜，清洗掉光刻胶，在KTiOPO4晶体表面形成周期性结构的金属膜；将KTiOPO4晶体进行离子交换，使表面不含有金属膜部分充分交换，并使交换区域的铁电畴发生反转，含有金属膜部分保持原有特性，清洗掉金属膜后获得周期极化KTiOPO4平面波导结构。本发明的方法利用离子注入损伤层作为离子交换的阻挡层，对离子交换的深度与浓度进行有效的调控，使离子交换区域的铁电畴发生均匀反转，提高倍频效率。
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公开(公告)号：CN110357148A
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201910614950.6
申请日：2019-07-09
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明公开了一种成超稳定CsPbBr3纳米片及其在X射线成像的闪烁屏方面的应用，PbBr2溶解在1-异丙醇、辛酸和辛胺的混合物中，生成PbBr2前体；采用乙酸铯、正己烷和1-异丙醇在搅拌下合成铯前体；在室温下在环境条件下将PbBr2前体注入到铯前体中，生成CsPbBr3纳米片；本发明室温环境合成，操作简单，产率高，通过调整Pb/Cs比可以微调纳米片的发射带，得到的CsPbBr3纳米片稳定性好，正常环境下储存8个月以上同时保持94％的原始量子产率，胶体纳米片在缓慢凝固时表现出自组装行为，形成大面积无裂纹并且大范围厚度可控的薄膜，可作为X射线成像的高效闪烁屏，在X射线成像方面具有很好的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104570209B
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201510006340.X
申请日：2015-01-07
Applicant: 济南大学
IPC: G02B6/13
Abstract: 本发明涉及周期极化波导制备技术领域，特别涉及一种制备周期极化KTiOPO4平面波导的方法：采用离子注入的方法，在KTiOPO4晶体内形成晶格损伤层；在KTiOPO4晶体表面形成周期性光刻胶图形，在光刻基础上镀金属膜，清洗掉光刻胶，在KTiOPO4晶体表面形成周期性结构的金属膜；将KTiOPO4晶体进行离子交换，使表面不含有金属膜部分充分交换，并使交换区域的铁电畴发生反转，含有金属膜部分保持原有特性，清洗掉金属膜后获得周期极化KTiOPO4平面波导结构。本发明的方法利用离子注入损伤层作为离子交换的阻挡层，对离子交换的深度与浓度进行有效的调控，使离子交换区域的铁电畴发生均匀反转，提高倍频效率。
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公开(公告)号：CN106149058A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201610510347.X
申请日：2016-06-30
Applicant: 济南大学
CPC classification number: C30B29/406 , C30B25/18 , C30B25/186
Abstract: 本发明涉及氮化镓晶体制备技术领域，特别涉及一种可控形貌的GaN纳米晶的制备方法：采用光浮区生长技术生长掺Mg的β‑Ga2O3单晶；在β‑Ga2O3单晶的解理面上形成损伤或者选取表面有晶格缺陷的β‑Ga2O3单晶，通过化学气相沉积方法，生长GaN纳米晶。在表面有缺陷的β‑Ga2O3单晶的解理面上生长GaN晶体，大大缩短了GaN晶体的形成时间，提高了效率；此方法可以不用掩膜，避免污染，得到不同形貌、任意轨迹的GaN晶体，为GaN晶体的进一步的扩大使用提供了可能性；生长得到的GaN晶体，形貌均匀，可大面积生长，并且具有很好的重复性。
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公开(公告)号：CN204679348U
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201520440881.9
申请日：2015-06-25
Applicant: 济南大学
IPC: G01N3/14
Abstract: 本实用新型的自感式杨氏模量测量装置，包括自感传感器和微处理单元，所述自感传感器包括两个铁芯、缠绕于每个铁芯上的线圈以及设置于两个铁芯之间的衔铁；衔铁的一端固定、另一端通过连接杆与被测材料的下端相连接，所述被测材料上端固定、下端设置有砝码；所述自感传感器通过电感检测电路连接到微处理单元上，所述微处理单元的输出端连接有显示屏。本实用新型利用差动变气隙式自感传感器来反映被测材料在受力情况下的形变，差动变气隙式自感传感器的灵敏度是单线圈式电感传感器的两倍，本实用新型测得的杨氏模量误差小、精度高，操作简便，避免了光杠杆法调节繁琐的问题，不易受人为因素干扰，测量时间快、效率高。
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公开(公告)号：CN204718979U
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201520400091.8
申请日：2015-06-11
Applicant: 济南大学
IPC: G01N25/16
Abstract: 本实用新型提供一种电容式线胀系数的测量装置，包括支架，其特征是：所述支架上设置有加热筒，所述加热筒内设置有导热管，所述导热管内设置有待加热材料，所述待加热材料通过绝缘杆连接电容式传感器，所述电容式传感器连接处理显示电路。本实用新型的待加热材料放在导热管内，待加热材料受热膨胀伸长，可动式金属板位置会随着伸长而移动，从而导致可动式金属板与固定金属板之间的距离变化，电容量相应改变，电容变化量由电容量转换电路转换成直流电压的输出，温度可以由温度传感器读出，从而可以求得待加热材料的线胀系数，并通过显示屏进行显示。
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公开(公告)号：CN204666542U
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201520409056.2
申请日：2015-06-15
Applicant: 济南大学
IPC: G01N25/16
Abstract: 本实用新型的一种线胀系数测量装置，包括导热管、电阻应变片、电桥电路和微处理单元，所述导热管周围设置有加热装置、导热管中间放置被测材料、导热管空腔内设置有温度传感器，所述被测材料的一端与导热管内壁接触、另一端通过连接杆与电阻应变片相连接，电阻应变片的引线与电桥电路的输入端相连接，电桥电路的输出端和温度传感器与微处理单元的输入端相连接，微处理单元的输出端连接有显示屏。本实用新型利用电阻应变片反映固体材料膨胀伸缩量的微小变化，由电桥电路测量电阻的变化，从而反映出固体材料膨胀的微小变化，避免了光杠杆法和激光干涉法等光学方法调节的困难，不易受人为因素干扰、操作简便、测量时间快、效率高。
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