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公开(公告)号：CN115235622A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210839682.X
申请日：2022-07-18
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于双芯光纤的摆式光压测定装置和方法，包括光源、第一单芯光纤、光纤耦合器、双芯光纤、支架、反射镜、第二单芯光纤、信号处理系统、数据线和显示控制系统，所述光源装置上设置有用于输出光信号输出端口，且输出端连接单芯光纤，整个过程实现了测量装置结构简单，且基于光纤干涉测量原理，使其测量光压的灵敏度及精度较高，且测量光不会对待测光产生干扰，且该光压装置为一根双芯光纤与反射镜片构成的摆式光压测量装置，双芯光纤作为单摆悬丝，双芯光纤两根纤芯的共同子午面垂直于反射镜面，反射镜面固定于双芯光纤末端。双芯光纤的两根纤芯构成Michelson干涉仪的两个干涉臂，该方法制作整体结构简单，操作方便且易制作。
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公开(公告)号：CN115219023A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210839679.8
申请日：2022-07-18
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于双芯光纤干涉仪的摆式光压测定装置和方法，测定装置包括光源、入射单芯光纤、耦合器一、耦合器二、双芯光纤、支架、反射镜、出射单芯光纤、信号处理系统以及显示控制系统；光源输出端与入射单芯光纤一端连接，入射单芯光纤另一端通过耦合器一与双芯光纤的输入端连接。测试时反射镜受到待测激光照射，发生摆动，摆动的反射镜引起双芯光纤的形变，双芯光纤发生形变时，由于纤芯一、纤芯二的排列方向与形变方向一致，导致纤芯一、纤芯二的形变不一致，通过在双芯光纤中构建的干涉仪，可以测得双芯光纤的形变数据，经过换算可以获得待测激光在反射镜上施加的压力，即光压。
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公开(公告)号：CN115235622B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202210839682.X
申请日：2022-07-18
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于双芯光纤的摆式光压测定装置和方法，包括光源、第一单芯光纤、光纤耦合器、双芯光纤、支架、反射镜、第二单芯光纤、信号处理系统、数据线和显示控制系统，所述光源装置上设置有用于输出光信号输出端口，且输出端连接单芯光纤，整个过程实现了测量装置结构简单，且基于光纤干涉测量原理，使其测量光压的灵敏度及精度较高，且测量光不会对待测光产生干扰，且该光压装置为一根双芯光纤与反射镜片构成的摆式光压测量装置，双芯光纤作为单摆悬丝，双芯光纤两根纤芯的共同子午面垂直于反射镜面，反射镜面固定于双芯光纤末端。双芯光纤的两根纤芯构成Michelson干涉仪的两个干涉臂，该方法制作整体结构简单，操作方便且易制作。
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公开(公告)号：CN104570209A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201510006340.X
申请日：2015-01-07
Applicant: 济南大学
IPC: G02B6/13
CPC classification number: G02B6/1345 , G02B6/136
Abstract: 本发明涉及周期极化波导制备技术领域，特别涉及一种制备周期极化KTiOPO4平面波导的方法：采用离子注入的方法，在KTiOPO4晶体内形成晶格损伤层；在KTiOPO4晶体表面形成周期性光刻胶图形，在光刻基础上镀金属膜，清洗掉光刻胶，在KTiOPO4晶体表面形成周期性结构的金属膜；将KTiOPO4晶体进行离子交换，使表面不含有金属膜部分充分交换，并使交换区域的铁电畴发生反转，含有金属膜部分保持原有特性，清洗掉金属膜后获得周期极化KTiOPO4平面波导结构。本发明的方法利用离子注入损伤层作为离子交换的阻挡层，对离子交换的深度与浓度进行有效的调控，使离子交换区域的铁电畴发生均匀反转，提高倍频效率。
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公开(公告)号：CN119561047B
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202510095801.9
申请日：2025-01-22
Applicant: 济南大学
IPC: H02J3/00 , H02J3/38 , G06N3/0464 , G06N3/0455 , G06N3/0985 , G06F18/211 , G06F18/214 , G06F18/21 , G06F18/25 , G06Q10/04 , G06Q50/06
Abstract: 本申请公开了一种基于多模型融合的风电功率预测方法、系统及设备，涉及风电预测技术领域，通过结合皮尔逊相关系数、冰霜优化算法优化变分模态分解模型、CNN‑ASSA‑Informer模型和分位数回归，实现了短期风电功率预测的非参数化概率预测，通过优化算法处理复杂的时序数据，解决了时序数据中不同频率成分与风电功率之间的复杂关系。并构建相应的预测区间，提高了风电功率预测的精度和置信度，能够为区域风电调度、可再生能源集成与电力市场提供更加可靠的风电功率预测结果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118913328A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410961344.2
申请日：2024-07-17
Applicant: 济南大学
Abstract: 本申请公开了一种基于S‑M‑S拼接拉锥谐振环光纤传感器及其制备方法，涉及光纤传感器技术领域，包括：与超连续光谱源相连接的第一单模光纤，所述第一单模光纤的输出端与第一七芯光纤相连接，所述第一七芯光纤的输出端连接一谐振环，所述谐振环套设在低折射率UV胶通道上，谐振环输出端连接第二七芯光纤，所述第二七芯光纤的输出端与第二单模光纤相连接，所述第二单模光纤输出端与光谱仪相连接。该传感器利用单模光纤和七芯光纤的特性，通过拉锥技术形成闭合的谐振环结构，实现了对折射率和温度的同时测量,扩展了传感器的应用范围，具有高灵敏度和良好的选择性。
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公开(公告)号：CN117270031B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202311189347.0
申请日：2023-09-14
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明涉及一种长基线激光干涉测量系统及其测量方法，采用长基线激光干涉测量系统利用复合干涉测量方法，利用两种干涉结构：迈克尔逊干涉结构和萨格纳克干涉结构，可以实现同时测量平动地震波和旋转地震波，具有较高的平动地震波测量灵敏度；长基线激光干涉测量系统利用光程匹配方法，使用宽谱光源和匹配光纤，调节两干涉臂的臂长差，使两路光程差接近宽谱光源的相干长度，可极大抑制窄线宽激光干涉的频率噪声。本发明采用复合干涉光路，实现同时测量平动地震波及旋转地震波，可获取丰富的地质活动信息，为研究地质运动提供丰富的数据，提高资源利用率；长基线激光干涉测量系统可对地区经济发展具有一定程度的推动作用。
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公开(公告)号：CN117270031A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311189347.0
申请日：2023-09-14
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明涉及一种长基线激光干涉测量系统及其测量方法，采用长基线激光干涉测量系统利用复合干涉测量方法，利用两种干涉结构：迈克尔逊干涉结构和萨格纳克干涉结构，可以实现同时测量平动地震波和旋转地震波，具有较高的平动地震波测量灵敏度；长基线激光干涉测量系统利用光程匹配方法，使用宽谱光源和匹配光纤，调节两干涉臂的臂长差，使两路光程差接近宽谱光源的相干长度，可极大抑制窄线宽激光干涉的频率噪声。本发明采用复合干涉光路，实现同时测量平动地震波及旋转地震波，可获取丰富的地质活动信息，为研究地质运动提供丰富的数据，提高资源利用率；长基线激光干涉测量系统可对地区经济发展具有一定程度的推动作用。
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公开(公告)号：CN104570209B
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201510006340.X
申请日：2015-01-07
Applicant: 济南大学
IPC: G02B6/13
Abstract: 本发明涉及周期极化波导制备技术领域，特别涉及一种制备周期极化KTiOPO4平面波导的方法：采用离子注入的方法，在KTiOPO4晶体内形成晶格损伤层；在KTiOPO4晶体表面形成周期性光刻胶图形，在光刻基础上镀金属膜，清洗掉光刻胶，在KTiOPO4晶体表面形成周期性结构的金属膜；将KTiOPO4晶体进行离子交换，使表面不含有金属膜部分充分交换，并使交换区域的铁电畴发生反转，含有金属膜部分保持原有特性，清洗掉金属膜后获得周期极化KTiOPO4平面波导结构。本发明的方法利用离子注入损伤层作为离子交换的阻挡层，对离子交换的深度与浓度进行有效的调控，使离子交换区域的铁电畴发生均匀反转，提高倍频效率。
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公开(公告)号：CN106149058A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201610510347.X
申请日：2016-06-30
Applicant: 济南大学
CPC classification number: C30B29/406 , C30B25/18 , C30B25/186
Abstract: 本发明涉及氮化镓晶体制备技术领域，特别涉及一种可控形貌的GaN纳米晶的制备方法：采用光浮区生长技术生长掺Mg的β‑Ga2O3单晶；在β‑Ga2O3单晶的解理面上形成损伤或者选取表面有晶格缺陷的β‑Ga2O3单晶，通过化学气相沉积方法，生长GaN纳米晶。在表面有缺陷的β‑Ga2O3单晶的解理面上生长GaN晶体，大大缩短了GaN晶体的形成时间，提高了效率；此方法可以不用掩膜，避免污染，得到不同形貌、任意轨迹的GaN晶体，为GaN晶体的进一步的扩大使用提供了可能性；生长得到的GaN晶体，形貌均匀，可大面积生长，并且具有很好的重复性。
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