一种铋碘杂化材料的合成及其半导体材料的应用

    公开(公告)号:CN113402478A

    公开(公告)日:2021-09-17

    申请号:CN202110718956.5

    申请日:2021-06-28

    Applicant: 济南大学

    Abstract: 本发明公开了一种铋碘基无机‑有机杂化半导体及其制备方法和应用。所述的杂化半导体分子结构式为(Mebtz)BiI4,式中的Mebtz是带有一个正电荷的甲基化的苯并噻唑阳离子,该材料中的(BiI4)–阴离子则是三价铋离子和碘离子配位形成的一维阴离子链。通过选择碘化铋、苯并噻唑、甲醇、乙腈和氢碘酸为反应原料,在溶剂热的条件下获得了化合物(Mebtz)BiI4的单晶,可以用于半导体材料领域。

    一种有机修饰的铜硫二维半导体材料及应用

    公开(公告)号:CN113999168A

    公开(公告)日:2022-02-01

    申请号:CN202111231126.6

    申请日:2021-10-22

    Applicant: 济南大学

    Abstract: 一种有机修饰的铜硫二维半导体及光电应用。本发明的目的在于提供一种具有超薄铜硫单层的半导体材料及一种以双重键型构筑二维材料的方法。通过选择碘化亚铜,5‑氯‑2‑巯基吡啶为反应原料,在溶剂热条件下通过原位自助装构筑[Cu(CMP)]的晶态材料,并获得其均一微米片。该微米片制备的薄膜器件表现出折优取向,显著增强的光暗电流响应和良好的光响应稳定性,可利用其特性用于光电转换,紫外及可见区的光探测。

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