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公开(公告)号：CN113999168A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202111231126.6
申请日：2021-10-22
Applicant: 济南大学
IPC: C07D213/70 , H01L51/46 , G01J1/42
Abstract: 一种有机修饰的铜硫二维半导体及光电应用。本发明的目的在于提供一种具有超薄铜硫单层的半导体材料及一种以双重键型构筑二维材料的方法。通过选择碘化亚铜，5‑氯‑2‑巯基吡啶为反应原料，在溶剂热条件下通过原位自助装构筑[Cu(CMP)]的晶态材料，并获得其均一微米片。该微米片制备的薄膜器件表现出折优取向，显著增强的光暗电流响应和良好的光响应稳定性，可利用其特性用于光电转换，紫外及可见区的光探测。
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