公开(公告)号：CN107154349A

公开(公告)日：2017-09-12

申请号：CN201710234840.8

申请日：2017-04-12

Applicant: 济南大学

Inventor： 杨晓朋 ,  张立来 ,  曹丙强

IPC: H01L21/268 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L21/268 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明公开了一种脉冲激光辐射辅助制备半导体p‑n结的方法，制备工艺如下：以激光器作为辐照源，激光能量密度为1‑1000mJ/cm2内的一个固定值，频率设置为1‑50Hz内的一个固定值；以基底上生长的掺杂半导体薄膜为辐照目标，控制制备过程中基底的温度为100‑2000℃中的一个固定值；在气体气氛或真空下，使部分试样被脉冲激光反复辐照，辐照时间为1‑300秒，至计时结束，被辐照和未被辐照的部分形成半导体p‑n结。本发明的创新之处在提高了可控性的同时，简化了制备工艺，提升了电子器件的制造精度。

公开(公告)号：CN107164802A

公开(公告)日：2017-09-15

申请号：CN201710234839.5

申请日：2017-04-12

Applicant: 济南大学

Inventor： 杨晓朋 ,  张立来 ,  曹丙强

IPC: C30B28/06 ,  C30B29/06 ,  C30B30/02

CPC classification number: C30B28/06 ,  C30B29/06 ,  C30B30/02

Abstract: 本发明公开了一种静电场辅助多晶硅铸锭的方法。其步骤如下：(1)将两片电极板置于多晶铸锭坩埚上下两侧，并保持平行；(2)电极板外接高压电源，给电极板输出稳定电压；(3)保持电场强度稳定在1V/cm‑100000V/cm范围中某一具体值，进行多晶硅铸锭工艺；(4)铸锭结束，极板断电，即得到性能优异的多晶硅铸锭。本发明可使多晶硅晶粒变大、取向性增强，并且可以将多晶硅中多种带电杂质高效的去除，大幅提高多晶硅质量，操作简单，稳定性好，能够进行批量生产。图1为实施例1、2中电场施加示意图；其中1导线，2石墨电极，3铸锭坩埚，4高压电源。