一种Ni-Co-S纳米针阵列的制备方法及其应用

    公开(公告)号:CN108281292A

    公开(公告)日:2018-07-13

    申请号:CN201810050173.2

    申请日:2018-01-18

    Applicant: 济南大学

    CPC classification number: Y02E60/13 H01G11/24 H01G11/30 H01G11/86

    Abstract: 本发明公开了一种Ni-Co-S纳米针阵列的制备方法,其主要改进点为,将水热反应的时间控制在8h时,水热反应的温度120℃增大到160℃,Ni-Co-S纳米片阵列将转变成Ni-Co-S纳米针阵列;成功的说明了硫化过程对纳米材料形貌的影响。将制备的Ni-Co-S纳米阵列作为自支撑电极,在碱性电解液中通过三电极测试,当电流密度为2mAcm-2时比电容高达1.334Fcm-1,大电流充放电时比电容保持率可达到80%(电流密度在20mAcm-2时),同时具有极好的导电性。这项研究提供了一种普适的、廉价的生产高性能超级电容器电极的方法,为便携式电子器件的发展提供了一条新思路。

    一种Ni-Co-S纳米针阵列的制备方法及其应用

    公开(公告)号:CN108281292B

    公开(公告)日:2020-11-06

    申请号:CN201810050173.2

    申请日:2018-01-18

    Applicant: 济南大学

    Abstract: 本发明公开了一种Ni‑Co‑S纳米针阵列的制备方法,其主要改进点为,将水热反应的时间控制在8h时,水热反应的温度120℃增大到160℃,Ni‑Co‑S纳米片阵列将转变成Ni‑Co‑S纳米针阵列;成功的说明了硫化过程对纳米材料形貌的影响。将制备的Ni‑Co‑S纳米阵列作为自支撑电极,在碱性电解液中通过三电极测试,当电流密度为2mAcm‑2时比电容高达1.334Fcm‑1,大电流充放电时比电容保持率可达到80%(电流密度在20mAcm‑2时),同时具有极好的导电性。这项研究提供了一种普适的、廉价的生产高性能超级电容器电极的方法,为便携式电子器件的发展提供了一条新思路。

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