-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108178181A
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201810048948.2
申请日：2018-01-18
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明公开了一种中空管状CuS纳米材料及其制备方法。所述CuS纳米材料是在合成Cu纳米线的基础上进一步对其进行硫化得到的中空管状纳米材料。在该材料时，首先采用了简便的水性还原的方法合成Cu纳米线，然后采用水热合成的方法对得到的Cu纳米线进行硫化合成CuS纳米管，而且由于其原料易于获取，低成本，便于大规模的工业生产。在生产制备过程中，获得的Cu纳米线纯度高、尺寸长，CuS纳米管表面粗糙，这就有利于增加比表面积和暴露更多活性位点，同时中空结构缩短了离子和电荷的传输距离，减少了离子和电荷的损耗，从而提高了材料的性能。
-
公开(公告)号：CN108281293A
公开(公告)日：2018-07-13
申请号：CN201810050174.7
申请日：2018-01-18
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明涉及一种MnO2纳米线的制备方法，其步骤为以KMnO4、浓硫酸和自制的聚吡咯为原料，在相对低温(85℃)和短时间(1h)内合成了MnO2纳米线。此种制备方法可以有效的减少合成成本，不需要在高温、高压的情况下合成MnO2纳米线。将制备的活性材料MnO2纳米线涂抹在柔性碳布上制备成电极，在1mol/L的Na2SO4电解液中通过三电极测试，当电流密度为1Ag-1时比电容高为85Fg-1，同时具有极好的导电性和循环稳定性(电流密度为5Ag-1时循环一千次电容保留率为98.6％)。
-
公开(公告)号：CN108281292A
公开(公告)日：2018-07-13
申请号：CN201810050173.2
申请日：2018-01-18
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明公开了一种Ni-Co-S纳米针阵列的制备方法，其主要改进点为，将水热反应的时间控制在8h时，水热反应的温度120℃增大到160℃，Ni-Co-S纳米片阵列将转变成Ni-Co-S纳米针阵列；成功的说明了硫化过程对纳米材料形貌的影响。将制备的Ni-Co-S纳米阵列作为自支撑电极，在碱性电解液中通过三电极测试，当电流密度为2mAcm-2时比电容高达1.334Fcm-1，大电流充放电时比电容保持率可达到80％(电流密度在20mAcm-2时)，同时具有极好的导电性。这项研究提供了一种普适的、廉价的生产高性能超级电容器电极的方法，为便携式电子器件的发展提供了一条新思路。
-
公开(公告)号：CN108281292B
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN201810050173.2
申请日：2018-01-18
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明公开了一种Ni‑Co‑S纳米针阵列的制备方法，其主要改进点为，将水热反应的时间控制在8h时，水热反应的温度120℃增大到160℃，Ni‑Co‑S纳米片阵列将转变成Ni‑Co‑S纳米针阵列；成功的说明了硫化过程对纳米材料形貌的影响。将制备的Ni‑Co‑S纳米阵列作为自支撑电极，在碱性电解液中通过三电极测试，当电流密度为2mAcm‑2时比电容高达1.334Fcm‑1，大电流充放电时比电容保持率可达到80％(电流密度在20mAcm‑2时)，同时具有极好的导电性。这项研究提供了一种普适的、廉价的生产高性能超级电容器电极的方法，为便携式电子器件的发展提供了一条新思路。
-
公开(公告)号：CN108178181B
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201810048948.2
申请日：2018-01-18
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明公开了一种中空管状CuS纳米材料及其制备方法。所述CuS纳米材料是在合成Cu纳米线的基础上进一步对其进行硫化得到的中空管状纳米材料。在该材料时，首先采用了简便的水性还原的方法合成Cu纳米线，然后采用水热合成的方法对得到的Cu纳米线进行硫化合成CuS纳米管，而且由于其原料易于获取，低成本，便于大规模的工业生产。在生产制备过程中，获得的Cu纳米线纯度高、尺寸长，CuS纳米管表面粗糙，这就有利于增加比表面积和暴露更多活性位点，同时中空结构缩短了离子和电荷的传输距离，减少了离子和电荷的损耗，从而提高了材料的性能。
-
-
-
-
Search Results
5
records
(took 0.013 seconds)
