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公开(公告)号:CN102934233B
公开(公告)日:2016-05-04
申请号:CN201180021006.1
申请日:2011-03-25
Applicant: 泰特拉桑有限公司
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/022425 , H01L31/02167 , H01L31/02363 , H01L31/02366 , H01L31/03529 , H01L31/1804 , H01L31/186 , H01L31/1868 , Y02E10/52 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 一种太阳能电池结构和形成方法,其结合钝化电介质层利用表面纹理来提供形成贯穿所述钝化电介质层且在导电层与下方的衬底之间的电触点的实用和可控制的技术,实现了高效率太阳能电池所需的具有低复合损耗的良好表面钝化和电触点。有意地修改所述钝化电介质层以允许与所述衬底的直接接触或隧道势垒接触。公开了另外的P-N结和掺杂梯度以进一步限制损耗并提高效率。
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公开(公告)号:CN102934233A
公开(公告)日:2013-02-13
申请号:CN201180021006.1
申请日:2011-03-25
Applicant: 泰特拉桑有限公司
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0236 , H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/022425 , H01L31/02167 , H01L31/02363 , H01L31/02366 , H01L31/03529 , H01L31/1804 , H01L31/186 , H01L31/1868 , Y02E10/52 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 一种太阳能电池结构和形成方法,其结合钝化电介质层利用表面纹理来提供形成贯穿所述钝化电介质层且在导电层与下方的衬底之间的电触点的实用和可控制的技术,实现了高效率太阳能电池所需的具有低复合损耗的良好表面钝化和电触点。有意地修改所述钝化电介质层以允许与所述衬底的直接接触或隧道势垒接触。公开了另外的P-N结和掺杂梯度以进一步限制损耗并提高效率。
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公开(公告)号:CN105789337B
公开(公告)日:2017-09-26
申请号:CN201610216873.5
申请日:2011-03-25
Applicant: 泰特拉桑有限公司
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/022425 , H01L31/02167 , H01L31/02363 , H01L31/02366 , H01L31/03529 , H01L31/1804 , H01L31/186 , H01L31/1868 , Y02E10/52 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 一种太阳能电池结构和形成方法,其结合钝化电介质层利用表面纹理来提供形成贯穿所述钝化电介质层且在导电层与下方的衬底之间的电触点的实用和可控制的技术,实现了高效率太阳能电池所需的具有低复合损耗的良好表面钝化和电触点。有意地修改所述钝化电介质层以允许与所述衬底的直接接触或隧道势垒接触。公开了另外的P‑N结和掺杂梯度以进一步限制损耗并提高效率。
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公开(公告)号:CN102576767A
公开(公告)日:2012-07-11
申请号:CN201180002971.4
申请日:2011-02-15
Applicant: 泰特拉桑有限公司
IPC: H01L31/042 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/022425 , H01L31/02168 , Y02E10/50
Abstract: 一种光电设备中的需要导电触点的层上的金属栅格触点和介电图案。本发明在一个方面包括,形成金属膜;通过使用例如喷墨或丝网印刷而例如直写和原位固化抗蚀刻体,在金属膜上形成抗蚀刻体;蚀刻金属膜,在不触动抗蚀刻图案的情况下,蚀刻金属膜,从而留下抗蚀刻图案和金属栅格触点图案;在抗蚀刻图案上形成介电层;以及移除抗蚀刻图案和抗蚀刻图案上的介电,留下基本上共面的金属栅格触点和介电图案。金属栅格触点图案可以形成太阳能电池的前部和/背部触点电极;并且介电层可以是太阳能电池的光学抗反射层或光学反射层。需要导电触点的层可以是提供其自身钝化的多功能层,以使得介电层中基本上不需要钝化。
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公开(公告)号:CN105789337A
公开(公告)日:2016-07-20
申请号:CN201610216873.5
申请日:2011-03-25
Applicant: 泰特拉桑有限公司
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/022425 , H01L31/02167 , H01L31/02363 , H01L31/02366 , H01L31/03529 , H01L31/1804 , H01L31/186 , H01L31/1868 , Y02E10/52 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 一种太阳能电池结构和形成方法,其结合钝化电介质层利用表面纹理来提供形成贯穿所述钝化电介质层且在导电层与下方的衬底之间的电触点的实用和可控制的技术,实现了高效率太阳能电池所需的具有低复合损耗的良好表面钝化和电触点。有意地修改所述钝化电介质层以允许与所述衬底的直接接触或隧道势垒接触。公开了另外的P?N结和掺杂梯度以进一步限制损耗并提高效率。
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公开(公告)号:CN105609587B
公开(公告)日:2017-12-22
申请号:CN201610015069.0
申请日:2011-02-15
Applicant: 泰特拉桑有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224
CPC classification number: H01L31/022425 , H01L31/02168 , Y02E10/50
Abstract: 本发明涉及一种光电设备通过光学涂层局部剥离而实现的精细线金属敷镀。一种方法,包括:提供基材和在基材上方的层;在所述层上面提供图案化的抗蚀体,所述图案化的抗蚀体暴露所述层的第一部分并覆盖所述层的第二部分;在图案化的抗蚀体和所述层的暴露第一部分的上面适形地沉积介电层;在图案化的抗蚀体上面的介电层中提供一个或更多个开口,所述一个或更多个开口暴露图案化的抗蚀体的一部分;以及藉由图案化的抗蚀体的所暴露的部分将图案化的抗蚀体暴露于抗蚀体移除机构,由此移除图案化的抗蚀体和图案化的抗蚀体上面的介电层,所述移除暴露所述层的第二部分并在所述层的第一部分上面留有基本共面的介电图案。
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公开(公告)号:CN105609587A
公开(公告)日:2016-05-25
申请号:CN201610015069.0
申请日:2011-02-15
Applicant: 泰特拉桑有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224
CPC classification number: H01L31/022425 , H01L31/02168 , Y02E10/50 , H01L31/18 , H01L31/022433
Abstract: 本发明涉及一种光电设备通过光学涂层局部剥离而实现的精细线金属敷镀。一种方法,包括:提供基材和在基材上方的层;在所述层上面提供图案化的抗蚀体,所述图案化的抗蚀体暴露所述层的第一部分并覆盖所述层的第二部分;在图案化的抗蚀体和所述层的暴露第一部分的上面适形地沉积介电层;在图案化的抗蚀体上面的介电层中提供一个或更多个开口,所述一个或更多个开口暴露图案化的抗蚀体的一部分;以及藉由图案化的抗蚀体的所暴露的部分将图案化的抗蚀体暴露于抗蚀体移除机构,由此移除图案化的抗蚀体和图案化的抗蚀体上面的介电层,所述移除暴露所述层的第二部分并在所述层的第一部分上面留有基本共面的介电图案。
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公开(公告)号:CN102576767B
公开(公告)日:2016-02-10
申请号:CN201180002971.4
申请日:2011-02-15
Applicant: 泰特拉桑有限公司
IPC: H01L31/042 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/022425 , H01L31/02168 , Y02E10/50
Abstract: 一种光电设备中的需要导电触点的层上的金属栅格触点和介电图案。本发明在一个方面包括,形成金属膜;通过使用例如喷墨或丝网印刷而例如直写和原位固化抗蚀刻体,在金属膜上形成抗蚀刻体;蚀刻金属膜,在不触动抗蚀刻图案的情况下,蚀刻金属膜,从而留下抗蚀刻图案和金属栅格触点图案;在抗蚀刻图案上形成介电层;以及移除抗蚀刻图案和抗蚀刻图案上的介电,留下基本上共面的金属栅格触点和介电图案。金属栅格触点图案可以形成太阳能电池的前部和/背部触点电极;并且介电层可以是太阳能电池的光学抗反射层或光学反射层。需要导电触点的层可以是提供其自身钝化的多功能层,以使得介电层中基本上不需要钝化。
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