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公开(公告)号：CN108073989B
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN201711393841.3
申请日：2017-12-21
Applicant: 河海大学常州校区
IPC: G06N7/00
Abstract: 本发明公开了一种基于贝叶斯概率模型的组合逻辑电路选择性加固算法，首先读取输入的电路网表文件并生成电路传播网络，计算出整个电路网络中边的SP值；其次采用深度优先搜索算法对每一个节点都搜索出其通往电路输出的所有路径；然后利用贝叶斯概率模型以及逻辑屏蔽法则计算出这些路径中错误传播到输出的概率，并乘以距离因子，即为节点敏感度；最后利用生成的节点敏感度排序表以及用户指定的加固比例进行选择性加固，并输出加固后的电路网表。本发明的选择性加固算法经过实际仿真测试，在不同加固开销下都有不同程度的可靠性提升。
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公开(公告)号：CN111335222A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN202010095867.5
申请日：2020-02-17
Applicant: 河海大学常州校区
Abstract: 本发明公开了一种具有吸雾功能的高速公路防撞护栏覆层，所述覆层材料为聚二甲基硅氧烷橡胶，其表面布满微米尺度针尖结构。本发明提供一种具有吸雾功能的高速公路防撞护栏覆层，可以吸收高速公路上出现的迷雾、团雾，从而减少这些不利因素对交通安全造成的影响。同时该覆层也具有吸能的作用，在撞击时起到缓冲的作用。
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公开(公告)号：CN110347968A
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201910609346.4
申请日：2019-07-08
Applicant: 河海大学常州校区
IPC: G06F17/14
Abstract: 本发明公开一种基于FPGA的优化FFT算法和装置，涉及集成电路数字信号处理技术领域。方法包括：响应于外部输入有待分析数据，存储相应数据；按照预设的读取规则读取已存储的待分析数据；对待分析数据进行预处理；基于预处理后的待分析数据以及预设的旋转因子进行基2-FFT的前两级蝶形计算；基于基2-FFT的前两级蝶形计算结果进行基2-FFT前两级之后的其它级蝶形计算，计算结果即为所述优化FFT算法的计算结果。本发明利用蝶形运算的前两级旋转因子取值有限的特性，通过预设旋转因子对传统的基2-FFT算法进行简化，从而实现可由输入序列快速得到前两级蝶形运算的结果，且本发明能够适用于任何2N（N≥2）点FFT运算，实现算法的有效加速。
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公开(公告)号：CN109167589A
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201811080073.0
申请日：2018-09-17
Applicant: 河海大学常州校区
IPC: H03K3/013 , H03K3/3562
Abstract: 本发明公开了一种抗单粒子效应的触发器，维持了双互锁单元在各种工艺下原有的电路拓扑结构和晶体管尺寸，在版图上基于双互锁主从型触发器各节点的敏感性分析进行重新布局，将NMOS/PMOS存储信息相同的漏端进行节点分离，防止两位相同存储信息一同发生错误造成双互锁单元翻转，将信息存储不同的同PMOS/NMOS型晶体管共源极相邻放置，在粒子入射影响时利用双互锁设计本身的电路连接特性抑制单粒子翻转，使敏感节点上由单粒子效应导致的额外电荷的影响有所抵消，并且将主从锁存器的晶体管以锯齿状的形式放置，将同步打击局限在狭窄的入射角度内，限制了主从锁存器多位存储节点同时被打中的情况。
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公开(公告)号：CN108711441A
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201810489576.7
申请日：2018-05-21
Applicant: 河海大学常州校区
IPC: G11C11/417 , G11C11/419
CPC classification number: G11C11/417 , G11C11/419
Abstract: 本发明公开了一种抗SEU加固的存储结构，存储节点D设置于所述第一支路上，存储节点A设置于第二支路上，存储节点B设置于第三支路上，存储节点C设置于所述第四支路上，第一支路通过所述存储节点D分别与第二支路和第四支路相连接，第二支路通过存储节点A分别与第一支路和第三支路相连接，第三支路通过存储节点B分别与第二支路和第四支路相连接，第四支路通过节存储点C分别与第一支路和第三支路相连接。本发明在Quatro设计的基础上增加了栅极接地的两个NMOS管，利用电阻分压原理降低了敏感节点A和B受单粒子效应的影响程度，增加抗SEU的性能，加上相应的外围电路，可以作为SRAM或者触发器使用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106531655A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201610999436.5
申请日：2016-11-14
Applicant: 河海大学常州校区
IPC: H01L21/66
CPC classification number: H01L22/14
Abstract: 本发明公开了CMOS工艺中单粒子效应调制下阱电势测量电路，包括采集M个阱接触电势值的采集模块、对应N个不同时钟信号CLK的D触发器模块和PISO输出模块；通过采集不同位置的阱电势值控制空间位置精度，通过采集模块中NAND门的翻转阈值的不同来控制测量阱电势的数值精度，在多个由不同时钟信号控制的一级时控D触发器子模块的基础上，通过控制各子模块的时钟信号来设置测量阱电势的时间精度，由此实现单粒子效应调制的阱电势在时空上的数值分布测量。本发明适用于P型衬底中的N阱在单粒子效应调制下电势的测量以及N型衬底中P阱在单粒子效应调制下电势的测量。
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公开(公告)号：CN105871366A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201610201862.X
申请日：2016-04-05
Applicant: 河海大学常州校区
IPC: H03K19/003
CPC classification number: H03K19/00338
Abstract: 本发明公开一种抗单粒子效应的从亚阈值到超阈值的CMOS电平转换电路，其包括反相单元和抗单粒子效应的从亚阈值到超阈值的电平转换单元，反相单元包括信号输入端和信号输出端，信号输出端输出的信号反相于信号输入端输入的信号；抗单粒子效应的从亚阈值到超阈值的电平转换单元包括：四个PMOS管，可与上述四个PMOS管构成电平转换模块的四个NMOS管，以及可与上述四个PMOS管构成抗单粒子效应模块的四个NMOS管。亚阈值的初始信号经过反相器得到反相信号，将初始信号及其反相信号作为输入，经过电平转换单元能够实现从亚阈值到超阈值的电平转换，并且具有抗单粒子效应的效果。本发明可在传统电平转换器基础上进行改造，防止单粒子效应导致的输出错误。
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公开(公告)号：CN104167457B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201410426747.3
申请日：2014-08-27
Applicant: 河海大学常州校区
Inventor： 孙洪文
IPC: H01L31/054 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/52 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池，由下向上依次包括背部电极Ni/Au、n型GaAs、缓冲层GaAs、 n型AlGaAs、n型GaAs、p型GaAs和 p型AlGaAs，所述p型AlGaAs上设有重掺杂p型GaAs 和PMMA，所述重掺杂p型GaAs设在PMMA两侧，所述重掺杂p型GaAs上设有前部电极Ti/Au，所述PMMA上叠加有CdS形成抗反射层。本发明还公开了一种太阳能电池的制备方法。本发明在传统太阳能电池结构上采用PMMA上叠加CdS作为抗反射层后，使得太阳能电池具有很高的抗反射能力，最大限度地减少反射，从而提高了光电的转换效率。
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公开(公告)号：CN102602124B
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201210072377.9
申请日：2012-03-19
Applicant: 河海大学常州校区
Abstract: 本发明公开了一种制备易脱模纳米压印印章的方法，该方法的工艺步骤如下：a、利用低熔点的金属加工形成原始印章；b、将原始印章隔空倒置，对原始印章凸起部分的根部、中部和顶端分别采用数量逐渐增加的加热热源进行加热，使得印章凸起部分的顶端比根部尖；c、冷却定形后，得到该纳米压印印章。本发明工艺过程比较简单方便，而且有利于纳米压印时脱模。
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