一种高硬度单晶铌及其制备方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119392378A

    公开(公告)日:2025-02-07

    申请号:CN202411573414.3

    申请日:2024-11-06

    Abstract: 本发明涉及金属材料的塑性变形制备技术领域,提供了一种高硬度单晶铌及其制备方法,其金相组织中马氏体含量为61~73%。制备过程包括对单晶铌进行退火、预处理以及变形冲击工序,通过对退火参数及冲击应变速率的精确调控,使单晶铌发生结构相变来引入高硬度马氏体组织,同时有效避免了冲击裂纹,最终得到无裂纹的高硬度单晶铌。本发明提供的方法工艺流程简单、效率高、成本低、绿色低碳无污染,能够显著提升单晶铌的硬度,且适用于任意晶向的单晶原材料铌。实施例结果表明,对于晶向为[100]、[110]和[111]单晶铌,经本发明的方法进行冲击变形后,硬度分别提升24%、52%和42%。

    一种LiBaF3微波介质陶瓷的制备方法

    公开(公告)号:CN118619677B

    公开(公告)日:2025-02-14

    申请号:CN202410703022.8

    申请日:2024-06-03

    Abstract: 本发明公开了一种LiBaF3微波介质陶瓷的制备方法,涉及微波通讯领域及低温共烧陶瓷介质材料领域,包括将LiF和BaF2粉末分别放于加热炉中进行一次煅烧、一次研磨、一次干燥、二次煅烧、二次研磨、二次干燥、过筛造粒;将制得的粉体原料压制成圆柱体,并冷等静压;最终烧结2小时以实现致密化,得到致密化的LiBaF3;本发明中LiBaF3微波介质材料的制备方法可以在较低温度下实现致密化;在该制备条件下,LiBaF3微波介质陶瓷具有较低的介电常数13.72,较高的品质73000GHz和近零的谐振频率温度系数‑35.74×10‑6/℃;同时,该LiBaF3微波介质陶瓷可以与Ag低温共存,是一种颇具应用潜力的新型微波介质材料。

    一种新型LiBaF3微波介质陶瓷的制备方法

    公开(公告)号:CN118619677A

    公开(公告)日:2024-09-10

    申请号:CN202410703022.8

    申请日:2024-06-03

    Abstract: 本发明公开了一种新型LiBaF3微波介质陶瓷的制备方法,涉及微波通讯领域及低温共烧陶瓷介质材料领域,包括将LiF和BaF2粉末分别放于加热炉中进行一次煅烧、一次研磨、一次干燥、二次煅烧、二次研磨、二次干燥、过筛造粒;将制得的粉体原料压制成圆柱体,并冷等静压;最终烧结2小时以实现致密化,得到致密化的LiBaF3;本发明中LiBaF3微波介质材料的制备方法可以在较低温度下实现致密化;在该制备条件下,LiBaF3微波介质陶瓷具有较低的介电常数13.72,较高的品质73000GHz和近零的谐振频率温度系数‑35.74×10‑6/℃;同时,该LiBaF3微波介质陶瓷可以与Ag低温共存,是一种颇具应用潜力的新型微波介质材料。

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