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公开(公告)号：CN118685681A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410692806.5
申请日：2024-05-31
Applicant: 河南省科学院材料研究所 , 河南省科学院
Abstract: 本发明涉及核材料技术领域，尤指一种高强高韧石墨烯纳米片弥散ODS‑FeCrAl合金复合材料的制备方法；包括以下步骤：(1)将特定比例的石墨烯纳米片与ODS‑FeCrAl合金粉末通过声学共振混合仪混合，获得均匀的复合粉末；(2)采用特定的全方位行星球磨机球磨工艺处理上述复合粉末，获得石墨烯纳米片增强的ODS‑FeCrAl合金复合粉末；(3)通过放电等离子烧结技术，利用特定的烧结制度，制备出石墨烯纳米片增强的ODS‑FeCrAl合金复合材料；本发明制备出的石墨烯增强ODS‑FeCrAl合金复合材料在室温下具有优异的抗拉强度和韧性，满足了先进核能系统对材料性能的严苛要求；并且本制备方法具有周期短、简单、方便等特点。
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公开(公告)号：CN119776787A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411977131.5
申请日：2024-12-31
Applicant: 河南省科学院材料研究所 , 河南省科学院
IPC: C23C14/35 , C23C14/08 , C23C14/58 , C23C14/16 , C23C14/18 , C23C14/04 , H01L21/28 , H10D64/27 , H10D30/67
Abstract: 本发明公开了一种钪铝氧高k栅介质薄膜的制备方法及应用，包括清洗玻璃衬底或者Si衬底，依次在丙酮、酒精、去离子水中超声清洗20min，以去除衬底基片上的杂质；用氮气将清洗的衬底基片吹干，并在100℃烘箱中烘干10min；用Sc‑Al‑O陶瓷靶材通过磁控溅射方法在薄膜衬底上制备100nm厚的Sc‑Al‑O栅介质薄膜；将制备的Sc‑Al‑O薄膜在管式炉中空气或者氧气条件下在300℃～500℃下退火0.5h～2h，以获得致密的栅介质材料；本发明提出的Sc‑Al‑O栅介质不仅可以有效抑制由于栅介质减薄引发的载流子隧穿效应，减少热损耗，而且可以提高TFT器件的栅控能力，降低TFT器件的工作电压，从而进一步降低器件功耗，这对可穿戴设备、电子纸等超低功耗显示技术的应用具有重要意义。
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公开(公告)号：CN118619677B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202410703022.8
申请日：2024-06-03
Applicant: 河南省科学院材料研究所
IPC: C04B35/553 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种LiBaF3微波介质陶瓷的制备方法，涉及微波通讯领域及低温共烧陶瓷介质材料领域，包括将LiF和BaF2粉末分别放于加热炉中进行一次煅烧、一次研磨、一次干燥、二次煅烧、二次研磨、二次干燥、过筛造粒；将制得的粉体原料压制成圆柱体，并冷等静压；最终烧结2小时以实现致密化，得到致密化的LiBaF3；本发明中LiBaF3微波介质材料的制备方法可以在较低温度下实现致密化；在该制备条件下，LiBaF3微波介质陶瓷具有较低的介电常数13.72，较高的品质73000GHz和近零的谐振频率温度系数‑35.74×10‑6/℃；同时，该LiBaF3微波介质陶瓷可以与Ag低温共存，是一种颇具应用潜力的新型微波介质材料。
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公开(公告)号：CN118619677A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410703022.8
申请日：2024-06-03
Applicant: 河南省科学院材料研究所
IPC: C04B35/553 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种新型LiBaF3微波介质陶瓷的制备方法，涉及微波通讯领域及低温共烧陶瓷介质材料领域，包括将LiF和BaF2粉末分别放于加热炉中进行一次煅烧、一次研磨、一次干燥、二次煅烧、二次研磨、二次干燥、过筛造粒；将制得的粉体原料压制成圆柱体，并冷等静压；最终烧结2小时以实现致密化，得到致密化的LiBaF3；本发明中LiBaF3微波介质材料的制备方法可以在较低温度下实现致密化；在该制备条件下，LiBaF3微波介质陶瓷具有较低的介电常数13.72，较高的品质73000GHz和近零的谐振频率温度系数‑35.74×10‑6/℃；同时，该LiBaF3微波介质陶瓷可以与Ag低温共存，是一种颇具应用潜力的新型微波介质材料。
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