一种spiro-OMeTAD:硫化锑作为空穴传输层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN113421973B

    公开(公告)日:2022-06-10

    申请号:CN202110777044.5

    申请日:2021-07-09

    Applicant: 河南大学

    Abstract: 本发明公开了一种spiro‑OMeTAD:硫化锑作为空穴传输层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法,其主要包括以下步骤:(1)将ITO基底清洗干净并吹干;(2)配制SnO2‑KCl溶液;将SnO2‑KCl溶液旋涂在ITO玻璃上;(3)将钙钛矿前驱体溶液旋涂于SnO2‑KCl层上;(4)将spiro‑OMeTAD:Sb2S3分散液旋涂于钙钛矿层上,从而得到了ITO/SnO2‑KCl/钙钛矿/spiro‑OMeTAD:Sb2S3样品;(5)真空蒸镀金电极。本发明避免了以往太阳能电池制备过程中的高温处理从而能够降低生产成本,并且还能提高太阳能电池的光电转换效率,适合卷对卷的大规模工业化生产。

    一种基于光铁电材料PFEP的忆阻器及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN117222304A

    公开(公告)日:2023-12-12

    申请号:CN202311162863.4

    申请日:2023-09-11

    Applicant: 河南大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于光铁电材料PFEP的忆阻器及其制备方法,其制备方法包括:选取导电玻璃并进行紫外处理,配制PFEP溶液,再将PFEP钙钛矿前驱体溶液旋涂在导电玻璃上,将Spiro‑OMeTAD分散液旋涂于钙钛矿层上,最后真空蒸镀惰性电极。本申请采用聚偏氟乙烯‑三氟乙烯(P(VDF‑TrFE))有机铁电材料作为添加剂,通过在CsFAMA钙钛矿前驱体中添加P(VDF‑TrFE)溶液,增强钙钛矿材料的光铁电性,提高钙钛矿薄膜质量和光电性能,进而研制新型神经形态元器件。

    一种spiro-OMeTAD∶铅化合物空穴传输层钙钛矿太阳能电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN113644207B

    公开(公告)日:2023-08-25

    申请号:CN202110888636.4

    申请日:2021-08-04

    Applicant: 河南大学

    Abstract: 本发明公开了一种spiro‑OMeTAD∶铅化合物空穴传输层钙钛矿太阳能电池及其制备方法,电池的制备步骤如下:(1)将ITO基底洗净并吹干;(2)在空气中配制SnO2‑KCl溶液;将SnO2‑KCl溶液旋涂在ITO玻璃上;(3)将钙钛矿溶液旋涂在SnO2‑KCl层上;(4)将spiro‑OMeTAD∶PbSO4(PbO)4分散液旋涂于钙钛矿层上,得到ITO/SnO2‑KCl/钙钛矿/spiro‑OMeTAD:PbSO4(PbO)4样品;(5)真空蒸镀金电极。本发明避免了以往太阳能电池制备过程中的高温处理从而能够降低生产成本,并且还能提高太阳能电池的光电转换效率,适合卷对卷的大规模工业化生产。

    一种spiro-OMeTAD∶铅化合物空穴传输层钙钛矿太阳能电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN113644207A

    公开(公告)日:2021-11-12

    申请号:CN202110888636.4

    申请日:2021-08-04

    Applicant: 河南大学

    Abstract: 本发明公开了一种spiro‑OMeTAD∶铅化合物空穴传输层钙钛矿太阳能电池及其制备方法,电池的制备步骤如下:(1)将ITO基底洗净并吹干;(2)在空气中配制SnO2‑KCl溶液;将SnO2‑KCl溶液旋涂在ITO玻璃上;(3)将钙钛矿溶液旋涂在SnO2‑KCl层上;(4)将spiro‑OMeTAD∶PbSO4(PbO)4分散液旋涂于钙钛矿层上,得到ITO/SnO2‑KCl/钙钛矿/spiro‑OMeTAD:PbSO4(PbO)4样品;(5)真空蒸镀金电极。本发明避免了以往太阳能电池制备过程中的高温处理从而能够降低生产成本,并且还能提高太阳能电池的光电转换效率,适合卷对卷的大规模工业化生产。

    一种BCP用于光电极修饰的钙钛矿光伏器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN116669510A

    公开(公告)日:2023-08-29

    申请号:CN202310725706.3

    申请日:2023-06-19

    Applicant: 河南大学

    Abstract: 本发明公开了一种BCP用于光电极修饰的钙钛矿光伏器件及其制备方法,包括以下步骤:配制BCP溶液并旋涂在ITO基底上;配制SnO2溶液并旋涂在BCP上;配制PbI2溶液并旋涂在SnO2上;配制卤化铵盐混合溶液并旋涂在PbI2上;配制PEAI溶液并旋涂在卤化铵盐上;配制并旋涂spiro‑OMeTAD在PEAI上,从而得到ITO/BCP/SnO2/钙钛矿/PEAI/spiro‑OMeTAD样品;蒸镀电极。本发明通过BCP对ITO基底进行处理后,有利于空穴的阻挡和电子的传输;其次,BCP对SnO2电子传输层进行了界面修饰,减少了界面缺陷;此外,少量的BCP与钙钛矿界面进行了接触,促进钙钛矿晶粒的生长。

    一种M-QDs和OAI协同共钝化钙钛矿的太阳能电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN115148913A

    公开(公告)日:2022-10-04

    申请号:CN202210842052.8

    申请日:2022-07-18

    Applicant: 河南大学

    Abstract: 本发明公开一种M‑QDs和OAI协同共钝化钙钛矿的太阳能电池及其制备方法,步骤如下:将SnO2‑KCl溶液旋涂在ITO上;将KF溶液旋涂在ITO/SnO2‑KCl上;将钙钛矿前驱体溶液旋涂在ITO/SnO2‑KCl/KF上;将M‑QDs溶液旋涂在ITO/SnO2‑KCl/KF/钙钛矿上;将OAI旋涂于ITO/SnO2‑KCl/KF/钙钛矿/M‑QDs上;将spiro‑OMeTAD溶液旋涂于ITO/SnO2‑KCl/KF/钙钛矿/M‑QDs/OAI上;真空蒸镀金电极。M‑QDs溶液中加入的微量DMF使表层钙钛矿溶解再结晶;M‑QDs表面包覆的功能油胺可以阻挡水分和氧气,再通过OAI在表面钝化。

    一种spiro-OMeTAD:硫化锑作为空穴传输层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN113421973A

    公开(公告)日:2021-09-21

    申请号:CN202110777044.5

    申请日:2021-07-09

    Applicant: 河南大学

    Abstract: 本发明公开了一种spiro‑OMeTAD:硫化锑作为空穴传输层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法,其主要包括以下步骤:(1)将ITO基底清洗干净并吹干;(2)配制SnO2‑KCl溶液;将SnO2‑KCl溶液旋涂在ITO玻璃上;(3)将钙钛矿前驱体溶液旋涂于SnO2‑KCl层上;(4)将spiro‑OMeTAD:Sb2S3分散液旋涂于钙钛矿层上,从而得到了ITO/SnO2‑KCl/钙钛矿/spiro‑OMeTAD:Sb2S3样品;(5)真空蒸镀金电极。本发明避免了以往太阳能电池制备过程中的高温处理从而能够降低生产成本,并且还能提高太阳能电池的光电转换效率,适合卷对卷的大规模工业化生产。

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