公开(公告)号：CN101587938A

公开(公告)日：2009-11-25

申请号：CN200910065098.8

申请日：2009-06-02

Applicant: 河南大学

Inventor： 杜祖亮 ,  王德坤 ,  蒋晓红 ,  王华

IPC: H01L51/00 ,  H01L51/56 ,  H01L51/54 ,  H01L51/40 ,  H01L51/30 ,  H01L51/48 ,  H01L51/46 ,  C07D495/14 ,  C09K11/06

CPC classification number: Y02E10/549

Abstract: 本发明属于有机光电子器件领域，特别涉及并三噻吩二羧酸单分子层及其制备方法。配制并三噻吩二羧酸溶于二甲基亚砜的浓度为10 -6 mol·L -1 的溶液，然后滴于新解理的云母基片上；于密闭环境中干燥后即得所述并三噻吩二羧酸单分子层。本发明是首次制备并三噻吩二羧酸单分子层；且该单分子层的制备方法操作简单、方便，利于该两种化合物在有机光电子器件中的器件化。

公开(公告)号：CN101587938B

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：CN200910065098.8

申请日：2009-06-02

Applicant: 河南大学

Inventor： 杜祖亮 ,  王德坤 ,  蒋晓红 ,  王华

IPC: H01L51/00 ,  H01L51/56 ,  H01L51/54 ,  H01L51/40 ,  H01L51/30 ,  H01L51/48 ,  H01L51/46 ,  C07D495/14 ,  C09K11/06

CPC classification number: Y02E10/549

Abstract: 本发明属于有机光电子器件领域，特别涉及并三噻吩二羧酸单分子层及其制备方法。配制并三噻吩二羧酸溶于二甲基亚砜的浓度为10-6mol·L-1的溶液，然后滴于新解理的云母基片上；于密闭环境中干燥后即得所述并三噻吩二羧酸单分子层。本发明是首次制备并三噻吩二羧酸单分子层；且该单分子层的制备方法操作简单、方便，利于该两种化合物在有机光电子器件中的器件化。