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公开(公告)号:CN108774246A
公开(公告)日:2018-11-09
申请号:CN201810662121.0
申请日:2018-06-25
Applicant: 河南大学
IPC: C07D495/22 , C07F7/08 , H01L51/05 , H01L51/30
Abstract: 本发明涉及并五噻吩同分异构体及其制备方法和应用,制备方法为:S1:将5-三甲基硅基-3-溴-2-(5-(三甲基硅基)噻吩-3)-二噻吩并[3,2-b:2',3'-d]噻吩或其同分异构体先加入烷基锂反应,再加入(PhSO2)2S关环;或将5-三甲基硅基-3-溴-2-(5-(三甲基硅基)噻吩-3)-二噻吩并[3,2-b:2',3'-d]噻吩或其同分异构体先加入LDA、C2Br2Cl4反应,再利用二(三丁基锡)硫醚、四三苯基磷钯或醋酸钯反应,制得2,7-二(三甲基硅基)-噻吩并[2',3':4,5]噻吩并[3,2-b]噻吩并[3',2':4,5]噻吩并[2,3-d]噻吩或其同分异构体;S2:将S1的产物脱TMS制得并五噻吩同分异构体。本发明制备的并五噻吩同分异构体可以作为有机半导体材料应用于有机场效应晶体管中。
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公开(公告)号:CN108864140A
公开(公告)日:2018-11-23
申请号:CN201810663929.0
申请日:2018-06-25
Applicant: 河南大学
IPC: C07D495/22 , H01L51/05 , H01L51/30
Abstract: 本发明涉及一种并五噻吩的制备方法、并五噻吩及其应用,所述并五噻吩为制备方法为:S1:将5‑三甲基硅基‑3‑(5‑(三甲基硅基)噻吩‑3)‑二噻吩[3,2‑b:2',3'‑d]并噻吩先加入烷基锂反应,再加入(PhSO2)2S关环;或将5‑三甲基硅基‑3‑(5‑(三甲基硅基)噻吩‑3)‑二噻吩[3,2‑b:2',3'‑d]并噻吩先加入烷基锂、C2Br2Cl4反应,再利用二(三丁基锡)硫醚、四三苯基磷钯或醋酸钯反应,制得2,6‑二(三甲基硅基)‑噻吩并[2',3':4,5]噻吩并[3,2‑b]噻吩并[3',2':4,5]噻吩并[3,2‑d]噻吩;S2:将S1的产物加三氟乙酸或四丁基氟化铵脱TMS,制得并五噻吩。本发明制备的并五噻吩可以作为有机半导体材料应用于有机场效应晶体管中。
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公开(公告)号:CN108864140B
公开(公告)日:2020-06-02
申请号:CN201810663929.0
申请日:2018-06-25
Applicant: 河南大学
IPC: C07D495/22 , H01L51/05 , H01L51/30
Abstract: 本发明涉及一种并五噻吩的制备方法、并五噻吩及其应用,所述并五噻吩为制备方法为:S1:将5‑三甲基硅基‑3‑(5‑(三甲基硅基)噻吩‑3)‑二噻吩[3,2‑b:2',3'‑d]并噻吩先加入烷基锂反应,再加入(PhSO2)2S关环;或将5‑三甲基硅基‑3‑(5‑(三甲基硅基)噻吩‑3)‑二噻吩[3,2‑b:2',3'‑d]并噻吩先加入烷基锂、C2Br2Cl4反应,再利用二(三丁基锡)硫醚、四三苯基磷钯或醋酸钯反应,制得2,6‑二(三甲基硅基)‑噻吩并[2',3':4,5]噻吩并[3,2‑b]噻吩并[3',2':4,5]噻吩并[3,2‑d]噻吩;S2:将S1的产物加三氟乙酸或四丁基氟化铵脱TMS,制得并五噻吩。本发明制备的并五噻吩可以作为有机半导体材料应用于有机场效应晶体管中。
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公开(公告)号:CN108774246B
公开(公告)日:2020-03-24
申请号:CN201810662121.0
申请日:2018-06-25
Applicant: 河南大学
IPC: C07D495/22 , C07F7/08 , H01L51/05 , H01L51/30
Abstract: 本发明涉及并五噻吩同分异构体及其制备方法和应用,制备方法为:S1:将5‑三甲基硅基‑3‑溴‑2‑(5‑(三甲基硅基)噻吩‑3)‑二噻吩并[3,2‑b:2',3'‑d]噻吩或其同分异构体先加入烷基锂反应,再加入(PhSO2)2S关环;或将5‑三甲基硅基‑3‑溴‑2‑(5‑(三甲基硅基)噻吩‑3)‑二噻吩并[3,2‑b:2',3'‑d]噻吩或其同分异构体先加入LDA、C2Br2Cl4反应,再利用二(三丁基锡)硫醚、四三苯基磷钯或醋酸钯反应,制得2,7‑二(三甲基硅基)‑噻吩并[2',3':4,5]噻吩并[3,2‑b]噻吩并[3',2':4,5]噻吩并[2,3‑d]噻吩或其同分异构体;S2:将S1的产物脱TMS制得并五噻吩同分异构体。本发明制备的并五噻吩同分异构体可以作为有机半导体材料应用于有机场效应晶体管中。
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