公开(公告)号：CN112909076B

公开(公告)日：2022-07-12

申请号：CN202110167937.8

申请日：2021-02-07

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 张紫辉 ,  黄福平 ,  张勇辉 ,  楚春双

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/24 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明为一种具有P型氧化镍材料的混合式肖特基势垒二极管结构。该结构包括：底部欧姆接触电极、N+衬底、N‑漂移层、沟槽、P型层、场板介质层、场板金属和肖特基接触电极，所述的N‑漂移层为台阶结构，通过在台面两侧选区生长p‑NiO材料来替代P型宽禁带半导体材料，从而可以很好地解决现阶段宽禁带半导体材料关于P型外延生长工艺和离子注入技术不成熟的问题。本发明可操作性强，成本低，工艺简单可靠，适于工业上的推广使用。

公开(公告)号：CN114373805A

公开(公告)日：2022-04-19

申请号：CN202210034717.2

申请日：2022-01-13

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 张紫辉 ,  黄福平 ,  楚春双 ,  张勇辉

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/20 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明为一种具有极化p型掺杂的[0001]晶向的铝镓氮场环终端的肖特基势垒二极管结构。该器件结构沿外延生长方向依次包括：欧姆接触电极、N+衬底、N‑漂移层；N‑漂移层上分布有2～10个半径不同的同心Alx→0Ga1‑x→1N场环；最外侧Alx→0Ga1‑x→1N场环的內缘以及里侧Alx→0Ga1‑x→1N场环上覆盖有欧姆接触电极，欧姆接触电极上以及Alx→0Ga1‑x→1N场环之间的沟槽内为肖特基电极。本发明能够有效地提高器件击穿电压并且不会造成器件正向特性退化，制备方法操作性强，成本低，工艺简单可靠，适于工业上的推广使用。

公开(公告)号：CN112909076A

公开(公告)日：2021-06-04

申请号：CN202110167937.8

申请日：2021-02-07

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 张紫辉 ,  黄福平 ,  张勇辉 ,  楚春双

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/24 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明为一种具有P型氧化镍材料的混合式肖特基势垒二极管结构。该结构包括：底部欧姆接触电极、N+衬底、N‑漂移层、沟槽、P型层、场板介质层、场板金属和肖特基接触电极，所述的N‑漂移层为台阶结构，通过在台面两侧选区生长p‑NiO材料来替代P型宽禁带半导体材料，从而可以很好地解决现阶段宽禁带半导体材料关于P型外延生长工艺和离子注入技术不成熟的问题。本发明可操作性强，成本低，工艺简单可靠，适于工业上的推广使用。

公开(公告)号：CN111463266A

公开(公告)日：2020-07-28

申请号：CN202010282871.2

申请日：2020-04-13

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 黄福平 ,  张勇辉 ,  张紫辉

IPC: H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明为一种具有倾斜侧壁场板的倒梯形栅MOSFET器件结构。该器件结构沿外延生长方向依次包括：漏极、N+型衬底、缓冲层、N-型漂移层、P型层、N+型源区、钝化层；当衬底材质为氮化镓时，所述的器件结构没有缓冲层；该器件结构通过倒梯形形状的栅极结构、具有一定倾斜角度的倾斜台面结构，以及覆盖于倾斜侧壁上的倾斜场板结构，从而拓展了漂移区的耗尽宽度，减小了源-漏电流，并且有效解决器件由于栅槽底部的强电场而造成器件过早击穿的问题，最终提高功率MOSFET的反向击穿电压，使其更适用于高压操作环境。本发明方法可操作性强，成本低，工艺简单可靠，适于工业上的推广使用。

公开(公告)号：CN111463266B

公开(公告)日：2022-12-13

申请号：CN202010282871.2

申请日：2020-04-13

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 黄福平 ,  张勇辉 ,  张紫辉

IPC: H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明为一种具有倾斜侧壁场板的倒梯形栅MOSFET器件结构。该器件结构沿外延生长方向依次包括：漏极、N+型衬底、缓冲层、N‑型漂移层、P型层、N+型源区、钝化层；当衬底材质为氮化镓时，所述的器件结构没有缓冲层；该器件结构通过倒梯形形状的栅极结构、具有一定倾斜角度的倾斜台面结构，以及覆盖于倾斜侧壁上的倾斜场板结构，从而拓展了漂移区的耗尽宽度，减小了源‑漏电流，并且有效解决器件由于栅槽底部的强电场而造成器件过早击穿的问题，最终提高功率MOSFET的反向击穿电压，使其更适用于高压操作环境。本发明方法可操作性强，成本低，工艺简单可靠，适于工业上的推广使用。