公开(公告)号：CN114220878B

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN202111533672.5

申请日：2021-12-15

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 张紫辉 ,  楚春双 ,  黄冠森 ,  张勇辉

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明为一种具有载流子传输层的Ga2O3/GaN日盲紫外探测器及其制备方法。该探测器的结构为以下两种：第一种，由下至上依次包括衬底、缓冲层、传输层，传输层的中部为吸收层，两侧分别分布有阴极电极、阳极电极；吸收层上覆盖有金属层；或者，第二种，由下至上依次包括衬底、缓冲层、传输层，传输层的中部为吸收层，两侧分别分布有阴极电极、阳极电极；吸收层的上表面和两侧均覆盖有绝缘层，绝缘层上覆盖有金属层。本发明利用金属和氧化镓的肖特基接触形成的电场，将光生电子从缺陷多的氧化镓吸收层中推入到缺陷少的氮化镓传输层中，从而达到提升探测器的响应度和响应速度的目的。

公开(公告)号：CN114220878A

公开(公告)日：2022-03-22

申请号：CN202111533672.5

申请日：2021-12-15

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 张紫辉 ,  楚春双 ,  黄冠森 ,  张勇辉

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明为一种具有载流子传输层的Ga2O3/GaN日盲紫外探测器及其制备方法。该探测器的结构为以下两种：第一种，由下至上依次包括衬底、缓冲层、传输层，传输层的中部为吸收层，两侧分别分布有阴极电极、阳极电极；吸收层上覆盖有金属层；或者，第二种，由下至上依次包括衬底、缓冲层、传输层，传输层的中部为吸收层，两侧分别分布有阴极电极、阳极电极；吸收层的上表面和两侧均覆盖有绝缘层，绝缘层上覆盖有金属层。本发明利用金属和氧化镓的肖特基接触形成的电场，将光生电子从缺陷多的氧化镓吸收层中推入到缺陷少的氮化镓传输层中，从而达到提升探测器的响应度和响应速度的目的。