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公开(公告)号：CN110951400A
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201911128926.8
申请日：2019-11-18
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明属于抛光液领域，具体涉及一种用于降低多层钴互连阻挡层CMP中表面缺陷的抛光液及其制备方法。抛光液包括下述组分：硅溶胶1-10％，络合剂0.1-10％；复配型表面活性剂0.01-1％，抑制剂0.01-1％，氧化剂0.01-1％，去离子水和pH调节剂补足余量。本发明的创新之处在于本发明通过不同类型表面活性剂的复配使用，减少抛光液中的大颗粒聚集，从而降低了Co互连阻挡层抛光后表面的划伤缺陷。
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