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公开(公告)号:CN102494934A
公开(公告)日:2012-06-13
申请号:CN201110428484.6
申请日:2011-12-16
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明公开一种表征GaN外延层中缺陷的碱性腐蚀剂及制备方法。该碱性腐蚀剂特征在于其由两种强碱KOH和NaOH按照1-2:2-1的质量比混均而成,用于GaN材料的湿法化学腐蚀。该制备方法先将颗粒状的两种强碱NaOH和KOH分别放在称量纸上,并按所述质量比例分别称取两种强碱;再将按质量比称量好的两种强碱放入镍坩埚中混合均匀即可。
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公开(公告)号:CN117937529A
公开(公告)日:2024-04-26
申请号:CN202311656967.0
申请日:2023-12-05
Abstract: 本发明涉及面向光伏消纳的固定式与移动式储能协调优化方法,包括如下步骤:获取典型日负荷数据、典型日光伏数据和蒙特卡洛模拟的电动车充电桩数据;建立上层多元储能优化配置模型及下层储能优化调度模型;首先,利用粒子群优化‑引力搜索算法对上层多元储能优化配置模型进行优化求解,并将求解获取的多元储能接入位置及容量传给下层储能优化调度模型;其次,利用粒子群优化‑引力搜索算法对下层储能优化调度模型进行优化求解,并将求解获取的储能充、放电功率传给上层多元储能优化配置模型,如此反复迭代,直至迭代完成,获得目标函数最优解;本发明能提高光伏就地消纳,降低电网电压偏移量,保证电力系统稳定运行。
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公开(公告)号:CN102290449A
公开(公告)日:2011-12-21
申请号:CN201110213582.8
申请日:2011-07-28
Applicant: 河北工业大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开一种多晶硅太阳电池的减反射膜膜系及制备方法。该减反射膜膜系的特征在于该膜系为双层膜结构,一层膜为热氧化法生长或制备的SiO2膜,另一层膜为在SiO2膜上沉积制备的SiNx膜;所述SiO2膜的膜层厚度为10-50nm;所述SiNx膜的膜层厚度为60-100nm,折射率为1.8-2.6。该制备方法依次经过下述常规工序:清洗、制绒、制结和刻蚀后,在氧气气氛中进行820-860℃的低温热氧化,生长或制备SiO2膜,然后通过等离子体增强化学气相沉积方法在SiO2膜上沉积制备SiNx膜,从而得到SiNx与SiO2双层膜的减反射膜膜系。该膜系可大幅度降低膜表面反射率,同时具有钝化作用。
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