公开(公告)号：CN111863861B

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202010750824.6

申请日：2020-07-28

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 张紫辉 ,  张丹扬 ,  张勇辉

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/14 ,  H01L29/872 ,  H01L33/00 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明为一种同时具有SBD和DUV LED结构的集成光电子芯片结构及其制备方法。该结构包括排列为一行的n个SBD器件，以及位于其下的n列*m行的DUV LED；所述的SBD和DUV LED呈阵列排布；n个SBD器件为串联，右端的欧姆接触电极和上面的条形芯片电极相连；左端的肖特基接触电极和下一行正下方的DUV LED的n型欧姆电极相连，DUV LED的p型欧姆电极和相邻的DUV LED的n型欧姆电极相连；n列*m行的DUV LED呈蛇形排列串联。本发明可以利用SBD结构的单向导通性将市路电压220V的交流电(AC)变为脉冲直流电(DC)，从而可以实现市路电压对该器件的直接供电，脉冲直流电可以减少DUV LED发热，延长使用寿命，此外制作工艺简单，易于操作，可重复性强，生产成本低。

公开(公告)号：CN111863861A

公开(公告)日：2020-10-30

申请号：CN202010750824.6

申请日：2020-07-28

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 张紫辉 ,  张丹扬 ,  张勇辉

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/14 ,  H01L29/872 ,  H01L33/00 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明为一种同时具有SBD和DUV LED结构的集成光电子芯片结构及其制备方法。该结构包括排列为一行的n个SBD器件，以及位于其下的n列*m行的DUV LED；所述的SBD和DUV LED呈阵列排布；n个SBD器件为串联，右端的欧姆接触电极和上面的条形芯片电极相连；左端的肖特基接触电极和下一行正下方的DUV LED的n型欧姆电极相连，DUV LED的p型欧姆电极和相邻的DUV LED的n型欧姆电极相连；n列*m行的DUV LED呈蛇形排列串联。本发明可以利用SBD结构的单向导通性将市路电压220V的交流电(AC)变为脉冲直流电(DC)，从而可以实现市路电压对该器件的直接供电，脉冲直流电可以减少DUV LED发热，延长使用寿命，此外制作工艺简单，易于操作，可重复性强，生产成本低。