公开(公告)号：CN115000234A

公开(公告)日：2022-09-02

申请号：CN202210740678.8

申请日：2022-06-27

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 张紫辉 ,  宣展 ,  楚春双 ,  朱政吉 ,  张勇辉

IPC: H01L31/11 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明为基于极化掺杂的NPN紫外探测器结构。该结构通过在NPN型紫外光电探测器中引入Al组分渐变层替代传统的P型掺杂层，并在或不在AlyGa1‑yN插入层的结构，得到了了三种基于极化掺杂的NPN紫外探测器结构。本发明通过即利用极化效应产生的三维空穴气(3DHG)实现P型掺杂，避免了器件结构内引入的额外的受主杂质，使紫外光电探测器中的电子电流占主导，提高器件的响应速率和响应度。

公开(公告)号：CN115000234B

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202210740678.8

申请日：2022-06-27

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 张紫辉 ,  宣展 ,  楚春双 ,  朱政吉 ,  张勇辉

IPC: H01L31/11 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明为基于极化掺杂的NPN紫外探测器结构。该结构通过在NPN型紫外光电探测器中引入Al组分渐变层替代传统的P型掺杂层，并在或不在AlyGa1‑yN插入层的结构，得到了了三种基于极化掺杂的NPN紫外探测器结构。本发明通过即利用极化效应产生的三维空穴气(3DHG)实现P型掺杂，避免了器件结构内引入的额外的受主杂质，使紫外光电探测器中的电子电流占主导，提高器件的响应速率和响应度。