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公开(公告)号：CN119698140A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411961093.4
申请日：2024-12-30
Applicant: 河北工业大学
IPC: H10H20/812 , H10H20/01 , H10H20/825 , B82Y20/00
Abstract: 本发明为一种具有图案化光子吸收结构的深紫外发光二极管及其制备方法。该二极管由下至上依次包括衬底、AlN缓冲层、N‑型AlGaN层；其中，N‑型AlGaN层一侧部分暴露，未暴露部分的N‑型AlGaN层的上表面从下到上依次覆盖有多量子阱层、P‑型电子阻挡层、P‑型AlGaN层、P‑型GaN层；P‑型GaN层的上表面阵列分布有氧化物纳米结构；P‑型欧姆接触层覆盖在氧化物纳米结构、P‑型GaN层上，也形成具有阵列分布结构；金属反射镜层覆盖在P‑型欧姆接触层上。本发明提高了深紫外LED的空穴注入效率，抑制了被吸收的光转换成热能。
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