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发明公开
一种覆膜氮化硅陶瓷及其制备方法审中-实审

公开(公告)号：CN118307342A

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202410410284.5

申请日：2024-04-07

Applicant: 沈阳建筑大学

Inventor： 陆峰 , 张婷 , 白旭 , 吴玉厚 , 张贺 , 高浚然

IPC: C04B41/89 , F16C37/00 , F16C33/00

Abstract: 本发明涉及一种覆膜氮化硅陶瓷，其包括氮化硅陶瓷基体和覆盖在氮化硅陶瓷基体上的复合膜，所述复合膜由热丝化学气相沉积制备的金刚石膜和物理气相沉积系统制备的MoS2‑TiN膜所组成。通过在氮化硅陶瓷表面形成由金刚石膜和MoS2‑TiN膜组成的复合膜，进而提升氮化硅陶瓷的硬度、耐磨性、导热性和自润滑性，改善复合膜的硬度、抗高温氧化性和耐摩擦性能。本发明可应用制备真空氮化硅陶瓷自润滑轴承。

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