一种自持金刚石厚膜衬底上低温沉积Ga2O3薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN114790541A

    公开(公告)日:2022-07-26

    申请号:CN202210222901.X

    申请日:2022-03-09

    Abstract: 一种自持金刚石厚膜衬底上低温沉积Ga2O3薄膜的制备方法,属于薄膜材料制造技术领域。步骤为:将自支撑金刚石厚膜基片依次通过丙酮、乙醇以及去离子水超声波清洗8‑12分钟后,用氮气吹干送入反应室;采用ECR‑PEMOCVD系统,将反应室抽真空至6.0×10‑4Pa,将所述聚酰亚胺基片加热至室温~200℃,向反应室内通入氩气携带的三甲基镓、氧气,二者流量比为(2~5):(50~80),控制气体总压强为1.0~3.0Pa;电子回旋共振频率为500‑800W,制备时间60min~240min,得到在自持金刚石基片的Ga2O3光电薄膜。本发明可以在较低的温度下制备出高性能的Ga2O3薄膜材料,制备工艺简单。

    一种柔性衬底低温制备氧化镓薄膜的方法

    公开(公告)号:CN114892148A

    公开(公告)日:2022-08-12

    申请号:CN202210222914.7

    申请日:2022-03-09

    Abstract: 一种柔性衬底低温制备氧化镓薄膜的方法,属于薄膜材料制造技术领域。步骤为:将柔性衬底基片依次通过丙酮、乙醇以及去离子水,采用超声波清洗方式,分别清选10分钟后,用氮气吹干送入反应室;采用ECR‑PEMOCVD系统,将反应室抽真空至7.0×10‑4Pa,将所述柔性衬底基片加热至室温~300℃,向反应室内通入氩气携带的三甲基镓、氧气,控制气体总压强为0.6~3.0Pa;电子回旋共振频率为650W,制备时间60min~240min,得到在柔性衬底基片的Ga2O3光电薄膜。本发明可以在较低的温度下制备出高性能的Ga2O3薄膜材料,具有优异的柔软性,重量轻,携带方便,制备工艺简单。

    一种磷钼钨杂多化合物作为催化剂深度脱硫的方法

    公开(公告)号:CN113976180A

    公开(公告)日:2022-01-28

    申请号:CN202111418659.5

    申请日:2021-11-26

    Abstract: 本发明属于化工催化技术领域,涉及一种磷钼钨杂多化合物作为催化剂深度脱硫的方法。本发明分别合成三种磷钼钨杂多化合物作为催化剂,建立氧化耦合脱硫体系使催化氧化‑萃取形成一体化,工艺条件温和,在常温常压下即可实现。离子液体与杂多化合物构成的脱硫体系,绿色无污染,解决了催化剂回收和循环问题,实现连续反应,降低工艺成本,将燃油中的含硫量降低至10ppm以下,达到欧V标准,满足我国油品标准对燃料油中硫含量的要求,是一条新的绿色化工生产方法。

Patent Agency Ranking