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公开(公告)号：CN118554035A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410624795.7
申请日：2024-05-20
Applicant: 沈阳工程学院
IPC: H01M10/42 , H02J7/00 , H02J3/32 , H01M10/46 , H01M10/48 , H01M4/02 , H01M4/13 , H01M4/36 , H01M4/66 , H01M8/18 , H01M8/2455 , H01M16/00 , H01M8/04
Abstract: 本发明涉及电化学储能技术领域，具体公开了电化学储能装置及储能系统，系统包括：多功能电极板模块、电池模块、智能能量管理模块、通信模块和可再生能源集成模块；本发明采用纳米结构电极材料和柔性电极技术，可以提高电池的能量密度和功率密度，同时纳米结构电极材料也有助于提高能量转换效率；柔性电极技术使得电池模块更加柔软和可塑，适应性更强，可以适应不同形状和尺寸的应用场景，提高了系统的灵活性和可靠性；采用多功能电池管理系统，能够实现对电池的智能化管理和保护，提高了系统的安全性和稳定性，电池模块作为电网储能装置，能够在电网负载高峰时释放存储的电能，帮助平衡电网负载，减少因电力波动而引发的故障和停电风险。
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公开(公告)号：CN114892148A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210222914.7
申请日：2022-03-09
Applicant: 沈阳工程学院
Abstract: 一种柔性衬底低温制备氧化镓薄膜的方法，属于薄膜材料制造技术领域。步骤为：将柔性衬底基片依次通过丙酮、乙醇以及去离子水，采用超声波清洗方式，分别清选10分钟后，用氮气吹干送入反应室；采用ECR‑PEMOCVD系统，将反应室抽真空至7.0×10‑4Pa，将所述柔性衬底基片加热至室温～300℃，向反应室内通入氩气携带的三甲基镓、氧气，控制气体总压强为0.6～3.0Pa；电子回旋共振频率为650W，制备时间60min～240min,得到在柔性衬底基片的Ga2O3光电薄膜。本发明可以在较低的温度下制备出高性能的Ga2O3薄膜材料，具有优异的柔软性，重量轻，携带方便，制备工艺简单。
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公开(公告)号：CN113140412A
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202110388217.4
申请日：2021-04-12
Applicant: 沈阳工程学院
Abstract: 本发明属于电极材料制备领域，主要包括一种高性能超级电容器异质结构的电极材料的制备方法。该方法包括：对泡沫镍预处理，将1 mmol硝酸镍、2 mmol硝酸钴，8‑10 mmol氟化铵，1‑2 g尿素溶入55 ml水中在120℃下保温6 h；接着将1 mmol硝酸钴，8‑10 mmol氟化铵，0.5‑1 g尿素溶入50 ml水中；然后将上述溶液转入反应釜中，并在110℃下保温6 h；将0.35 g硫化钠溶于55 ml去离子水中，磁力搅拌20 min,并在120℃下保温6 h,自然冷却到室温，对所制备的样品60℃下保温12 h进行干燥得到所制备的电极材料。解决材料的结构不稳定，尺寸均一，合成方法无法精确控制，导电性能不好，与集流体接触性不好等问题。
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公开(公告)号：CN113130217A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110387890.6
申请日：2021-04-12
Applicant: 沈阳工程学院
Abstract: 本发明属于电极材料制备领域，具体地而言为一种高性能纳米片自组装异质结构电极材料的制备方法。该方法包括：对泡沫镍预处理，将2‑3mmol氯化镍、4‑5 mmol氯化钴，0.6‑1.0 g氟化铵，1‑1.5 g尿素溶入60‑100 ml水中，搅拌、反应、冷却、清洗以及干燥得到制备的样品；将10‑12 mmol硫化钠溶于60‑70ml去离子水中，磁力搅拌45min,然后将制备的样品转入此溶液中，转入反应釜中，并在120℃下保温6 h,自然冷却到室温，用无水乙醇和去离子水进行清洗3次；最后在以上制备好的样品表面生长一层NiMoO4的纳米片。很好的提升了电极材料的比电容、以及循环稳定性等问题。
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公开(公告)号：CN108447897A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810133610.7
申请日：2018-02-09
Applicant: 沈阳工程学院
IPC: H01L29/267 , H01L21/02
Abstract: 本发明属于一种可逆半导体到金属(SMT)一级转变涂层的制造技术领域，特别涉及一种自支撑金刚石衬底异质结构及制备方法，在自支撑金刚石衬底依次制备AZO透明导电薄膜、p-GaN材料层、VO2材料层、AZO透明导电薄膜和TiN抗腐蚀保护层。本发明一种具有产业化潜力的VO2/p-GaN异质结构结合金刚石材料及其制备技术。制备工艺简单，可实现规模生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108428736A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201810135188.9
申请日：2018-02-09
Applicant: 沈阳工程学院
IPC: H01L29/267 , H01L21/02
Abstract: 本发明涉及一种基于n-VO2/p-NiO的异质结构及制备方法，从上层到下层依次包括TiN薄膜、第一AZO透明导电薄膜、VO2薄膜、p-NiO薄膜、第二AZO透明导电薄膜以及柔性不锈钢衬底。其中：p-NiO薄膜为缓冲层，TiN薄膜为保护层，第一AZO透明导电薄膜和第二AZO透明导电薄膜均作为导电电极和减缓层。本发明n-VO2/P-NiO异质结构结合柔性不锈钢材料及其制备技术，可以制备出柔性高功率的器件，该器件在大功率光电开关，大功率廉价的光存储器件等方面有着广阔的应用，解决了器件功率低、寿命长的问题。
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公开(公告)号：CN119797524A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411825544.1
申请日：2024-12-12
Applicant: 沈阳工程学院
IPC: C02F1/48 , C02F1/24 , C02F101/30
Abstract: 本发明公开了一种高效制备等离子体活化水的方法及装置，涉及等离子体活化水的制备技术领域，包括以下步骤，在液体表面引入气泡，增大气液界面的接触面积；采用沿面放电技术在气液界面处产生等离子体放电，放电时形成的等离子体活化物质与气泡内的气体充分反应；外加磁场对等离子体的引导和温度协同配合，优化活化过程中的能量分布，本发明通过在液体表面引入气泡，与沿面放电技术的结合，实现对待处理液体的活化和净化。根据液体的性质及处理需求，选取合适的待处理液体，并注入液体容器中。通过可调磁场控制等离子体的分布和密度，使得沿面放电更加均匀稳定，有效减少了能量损耗，增强了等离子体的活性。
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公开(公告)号：CN114360918B
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202111382335.0
申请日：2021-11-22
Applicant: 沈阳工程学院
Abstract: 本发明属于电极材料制备领域，主要包括一种高性能超级电容器异质结构的电极材料的制备方法。该方法包括：对泡沫镍预处理，将硝酸镍、硝酸钴，氟化铵，尿素溶入水中制备前驱体；接着将硝酸钴，钼酸钠，氟化铵，尿素溶入50ml水中；然后将上述溶液和前驱体转入反应釜中得到制备的电极材料。解决材料的结构不稳定，尺寸均一，合成方法无法精确控制，导电性能不好，与集流体接触性不好等问题。
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公开(公告)号：CN114943360A
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202210209461.4
申请日：2022-03-04
Applicant: 沈阳工程学院
Inventor： 王健 , 宋世巍 , 金家丞 , 李昱材 , 柯昀洁 , 李兆滢 , 白金禹 , 姜铭坤 , 辛长庆 , 赵琰 , 张东 , 林盛 , 王晗 , 郭瑞 , 王东来 , 姜河 , 许鉴
Abstract: 本发明公开了一种基于改进粒子群的神经网络预测光伏短期发电方法。该方法包括以下内容：运用Pearson相关系数方法对影响的光伏发电因素(光照强度、温度、湿度、气压以及PM10)进行相关性分析，选取主要影响的光伏发电因素作为神经网络输入；运用经验方法确定神经网络预测模型中的层数以及隐含层的神经元个数；选取预测模型的输出值与实际值误差的平方和作为粒子群适应度函数，基于构建的适应度函数，改进粒子群中的惯性权重、认知学习因子、社会学习因子。将改进粒子群优化的参数结果作为神经网络初始参数对光伏短期发电量进行预测。该算法避免在优化神经网络参数过程中陷入局部最优以及提高粒子群的收敛速度，最终，提高了短期光伏发电预测精度。
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公开(公告)号：CN108417618A
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201810134370.2
申请日：2018-02-09
Applicant: 沈阳工程学院
IPC: H01L29/267 , H01L29/40 , H01L31/0224 , H01L31/0336 , H01L21/02
Abstract: 本发明属于本发明可逆半导体到金属(SMT)一级转变涂层的制造技术领域，特别涉及一种Si衬底异质结构器件及其制备方法，在Si衬底上依次沉积AZO透明导电电极、掺硼金刚石薄膜、AZO透明导电电极、VO2薄膜、P型CuO薄膜、VO2薄膜、AZO透明导电电极以及TiN抗腐蚀保护涂层。本发明采用金刚石材料薄膜材料作为P型层，金刚石是自然界散热速度最快的材料，n-VO2/p-CuO异质结构结合金刚石材料作为n-VO2/p-diamond双异质结构，可以制备出高功率的器件。
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