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公开(公告)号：CN113296018A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110378971.X
申请日：2021-04-08
Applicant: 沈阳工程学院
Abstract: 本申请实施例公开了一种短路冲击电流出现时刻计算方法和系统，所述方法包括：根据电流分量特征确定短路冲击电流出现时刻tc的范围；进一步根据函数特征计算与电流瞬时值对时间的导数等于零的最小时刻mintc接近的一个下界，以确定电路中短路冲击电流出现时刻与半个周期的最大差异，其中，所述短路冲击电流出现时刻是根据电路时间常数的拟凸函数计算的。明确了冲击电流出现时刻的最小值与半个周期的关系，以及冲击电流出现时刻与电路时间常数的关系。
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公开(公告)号：CN103334089B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201310298983.7
申请日：2013-07-17
Applicant: 沈阳工程学院
Inventor： 张东 , 张铁岩 , 鞠振河 , 王晓文 , 曹福毅 , 张晓慧 , 张宏丽 , 孙勇 , 李昱材 , 杜士鹏 , 赵琰 , 王宝石 , 衣云龙 , 金月新 , 张相明 , 王健 , 刘莉莹 , 王刚 , 郭瑞 , 王帅杰
Abstract: 本发明属于新型光电材料沉积制备技术领域，提供一种可制备电学性能良好、散热性能良好的InN光电薄膜的ECR-PEMOCVD在自支撑金刚石厚膜上低温沉积InN薄膜的制备方法。本发明包括以下步骤：1）将自支撑金刚石厚膜基片依次用丙酮、乙醇、去离子水超声波清洗后，用氮气吹干送入反应室；2）采用ECR-PEMOCVD系统，将反应室抽真空，基片加热至20～600℃，再向反应室内通入氢气携带的三甲基铟、氮气，三甲基铟与氮气流量比为（1～2）：（100～200），控制气体总压强为0.8～2.0Pa，电子回旋共振反应30min～3h，得到在自支撑金刚石厚膜基片的InN光电薄膜。
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公开(公告)号：CN103388146A
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：CN201310300540.7
申请日：2013-07-17
Applicant: 沈阳工程学院
Abstract: 本发明属于新型光电材料沉积制备技术领域，提供一种可低温制备电学性能良好、散热性能良好的InN光电薄膜的ECR-PEMOCVD系统对InN/ZnO/自支撑金刚石膜结构的制备方法。本发明包括以下步骤：1）将自支撑金刚石膜基片依次用丙酮、乙醇、去离子水依次超声波清洗后，用氮气吹干送入反应室；2）ZnO薄膜是在磁控溅射设备上利用射频磁控溅射技术溅射而成的，靶材为ZnO陶瓷靶，工作气体是氩气。
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公开(公告)号：CN103361629A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310299023.2
申请日：2013-07-17
Applicant: 沈阳工程学院
IPC: C23C16/34 , C23C16/511 , C23C16/27
Abstract: 本发明属于新型光电材料沉积制备技术领域，提供一种可制备电学性能良好的InN光电薄膜且成本低的ECR-PEMOCVD在GaN缓冲层/金刚石薄膜/Si多层膜结构基片上低温沉积InN薄膜的制备方法。本发明包括以下步骤：1）将Si基片依次用丙酮、乙醇以及去离子水超声波清洗后，用氮气吹干送入反应室；2）用热丝CVD系统，将反应室抽真空，将Si基片加热，向反应室内通入氢气和甲烷气体，在Si衬底基片上得到金刚石薄膜。3）采用ECR-PEMOCVD（电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积）系统，将反应室抽真空，将基片加热至200～600℃，向反应室内通入氢气携带的三甲基镓、氮气。
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公开(公告)号：CN103334089A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201310298983.7
申请日：2013-07-17
Applicant: 沈阳工程学院
Inventor： 张东 , 张铁岩 , 鞠振河 , 王晓文 , 曹福毅 , 张晓慧 , 张宏丽 , 孙勇 , 李昱材 , 杜士鹏 , 赵琰 , 王宝石 , 衣云龙 , 金月新 , 张相明 , 王健 , 刘莉莹 , 王刚 , 郭瑞 , 王帅杰
Abstract: 本发明属于新型光电材料沉积制备技术领域，提供一种可制备电学性能良好、散热性能良好的InN光电薄膜的ECR-PEMOCVD在自支撑金刚石厚膜上低温沉积InN薄膜的制备方法。本发明包括以下步骤：1）将自支撑金刚石厚膜基片依次用丙酮、乙醇、去离子水超声波清洗后，用氮气吹干送入反应室；2）采用ECR-PEMOCVD系统，将反应室抽真空，基片加热至20～600℃，再向反应室内通入氢气携带的三甲基铟、氮气，三甲基铟与氮气流量比为（1～2）：（100～200），控制气体总压强为0.8～2.0Pa，电子回旋共振反应30min～3h,得到在自支撑金刚石厚膜基片的InN光电薄膜。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN103388130B
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201310298984.1
申请日：2013-07-17
Applicant: 沈阳工程学院
Abstract: 本发明属于新型光电材料沉积制备技术领域，提供一种可制备电学性能良好、散热性好的InN光电薄膜且成本低的ECR-PEMOCVD在ZnO缓冲层/金刚石薄膜/Si多层膜结构基片上低温沉积InN薄膜的制备方法。本发明包括以下步骤：1）将Si基片依次用丙酮、乙醇以及去离子水超声波清洗后，用氮气吹干送入反应室；2）用热丝CVD系统，将反应室抽真空，将Si基片加热，向反应室内通入氢气和甲烷气体，在Si衬底基片上得到金刚石薄膜。3）采用磁控溅射设备，在金刚石薄膜/Si结构基片上沉积制备ZnO缓冲层薄膜，靶材为ZnO陶瓷靶，工作气体是氩气。
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公开(公告)号：CN103388130A
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：CN201310298984.1
申请日：2013-07-17
Applicant: 沈阳工程学院
Abstract: 本发明属于新型光电材料沉积制备技术领域，提供一种可制备电学性能良好、散热性好的InN光电薄膜且成本低的ECR-PEMOCVD在ZnO缓冲层/金刚石薄膜/Si多层膜结构基片上低温沉积InN薄膜的制备方法。本发明包括以下步骤：1）将Si基片依次用丙酮、乙醇以及去离子水超声波清洗后，用氮气吹干送入反应室；2）用热丝CVD系统，将反应室抽真空，将Si基片加热，向反应室内通入氢气和甲烷气体，在Si衬底基片上得到金刚石薄膜。3）采用磁控溅射设备，在金刚石薄膜/Si结构基片上沉积制备ZnO缓冲层薄膜，靶材为ZnO陶瓷靶，工作气体是氩气。
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