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公开(公告)号：CN103388130B
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201310298984.1
申请日：2013-07-17
Applicant: 沈阳工程学院
Abstract: 本发明属于新型光电材料沉积制备技术领域，提供一种可制备电学性能良好、散热性好的InN光电薄膜且成本低的ECR-PEMOCVD在ZnO缓冲层/金刚石薄膜/Si多层膜结构基片上低温沉积InN薄膜的制备方法。本发明包括以下步骤：1）将Si基片依次用丙酮、乙醇以及去离子水超声波清洗后，用氮气吹干送入反应室；2）用热丝CVD系统，将反应室抽真空，将Si基片加热，向反应室内通入氢气和甲烷气体，在Si衬底基片上得到金刚石薄膜。3）采用磁控溅射设备，在金刚石薄膜/Si结构基片上沉积制备ZnO缓冲层薄膜，靶材为ZnO陶瓷靶，工作气体是氩气。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103388130A
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：CN201310298984.1
申请日：2013-07-17
Applicant: 沈阳工程学院
Abstract: 本发明属于新型光电材料沉积制备技术领域，提供一种可制备电学性能良好、散热性好的InN光电薄膜且成本低的ECR-PEMOCVD在ZnO缓冲层/金刚石薄膜/Si多层膜结构基片上低温沉积InN薄膜的制备方法。本发明包括以下步骤：1）将Si基片依次用丙酮、乙醇以及去离子水超声波清洗后，用氮气吹干送入反应室；2）用热丝CVD系统，将反应室抽真空，将Si基片加热，向反应室内通入氢气和甲烷气体，在Si衬底基片上得到金刚石薄膜。3）采用磁控溅射设备，在金刚石薄膜/Si结构基片上沉积制备ZnO缓冲层薄膜，靶材为ZnO陶瓷靶，工作气体是氩气。
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公开(公告)号：CN118328683B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410756296.3
申请日：2024-06-13
Applicant: 沈阳工程学院大学科技园有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于锰酸锂电池的生产上料装置，涉及锰酸锂电池加工技术领域。本发明包括基板，基板上设置有吹风组件，吹风组件中的导板倾斜设置在基板的上方，导板的下表面连通的下聚风罩的下表面连接有鼓风机；导板上设置有进料组件；导板上设置的上料组件远离进料组件。本发明设置吹风组件，方便对不同外型的锰酸锂电池外壳进行全面的风干处理，以及设置进料组件，使料斗内部的锰酸锂电池外壳等间隔的掉落在导板上，进而避免导板上的锰酸锂电池外壳因拥堵而造成撞击受损，还设置上料组件，使导板上的锰酸锂电池外壳等时间间隔的掉落在限位槽座上，使锰酸锂电池外壳均匀的移动至下一工位上，且适用于不同外形的锰酸锂电池外壳。
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公开(公告)号：CN118328683A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410756296.3
申请日：2024-06-13
Applicant: 沈阳工程学院大学科技园有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于锰酸锂电池的生产上料装置，涉及锰酸锂电池加工技术领域。本发明包括基板，基板上设置有吹风组件，吹风组件中的导板倾斜设置在基板的上方，导板的下表面连通的下聚风罩的下表面连接有鼓风机；导板上设置有进料组件；导板上设置的上料组件远离进料组件。本发明设置吹风组件，方便对不同外型的锰酸锂电池外壳进行全面的风干处理，以及设置进料组件，使料斗内部的锰酸锂电池外壳等间隔的掉落在导板上，进而避免导板上的锰酸锂电池外壳因拥堵而造成撞击受损，还设置上料组件，使导板上的锰酸锂电池外壳等时间间隔的掉落在限位槽座上，使锰酸锂电池外壳均匀的移动至下一工位上，且适用于不同外形的锰酸锂电池外壳。
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公开(公告)号：CN103334089B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201310298983.7
申请日：2013-07-17
Applicant: 沈阳工程学院
Inventor： 张东 , 张铁岩 , 鞠振河 , 王晓文 , 曹福毅 , 张晓慧 , 张宏丽 , 孙勇 , 李昱材 , 杜士鹏 , 赵琰 , 王宝石 , 衣云龙 , 金月新 , 张相明 , 王健 , 刘莉莹 , 王刚 , 郭瑞 , 王帅杰
Abstract: 本发明属于新型光电材料沉积制备技术领域，提供一种可制备电学性能良好、散热性能良好的InN光电薄膜的ECR-PEMOCVD在自支撑金刚石厚膜上低温沉积InN薄膜的制备方法。本发明包括以下步骤：1）将自支撑金刚石厚膜基片依次用丙酮、乙醇、去离子水超声波清洗后，用氮气吹干送入反应室；2）采用ECR-PEMOCVD系统，将反应室抽真空，基片加热至20～600℃，再向反应室内通入氢气携带的三甲基铟、氮气，三甲基铟与氮气流量比为（1～2）：（100～200），控制气体总压强为0.8～2.0Pa，电子回旋共振反应30min～3h，得到在自支撑金刚石厚膜基片的InN光电薄膜。
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公开(公告)号：CN103334089A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201310298983.7
申请日：2013-07-17
Applicant: 沈阳工程学院
Inventor： 张东 , 张铁岩 , 鞠振河 , 王晓文 , 曹福毅 , 张晓慧 , 张宏丽 , 孙勇 , 李昱材 , 杜士鹏 , 赵琰 , 王宝石 , 衣云龙 , 金月新 , 张相明 , 王健 , 刘莉莹 , 王刚 , 郭瑞 , 王帅杰
Abstract: 本发明属于新型光电材料沉积制备技术领域，提供一种可制备电学性能良好、散热性能良好的InN光电薄膜的ECR-PEMOCVD在自支撑金刚石厚膜上低温沉积InN薄膜的制备方法。本发明包括以下步骤：1）将自支撑金刚石厚膜基片依次用丙酮、乙醇、去离子水超声波清洗后，用氮气吹干送入反应室；2）采用ECR-PEMOCVD系统，将反应室抽真空，基片加热至20～600℃，再向反应室内通入氢气携带的三甲基铟、氮气，三甲基铟与氮气流量比为（1～2）：（100～200），控制气体总压强为0.8～2.0Pa，电子回旋共振反应30min～3h,得到在自支撑金刚石厚膜基片的InN光电薄膜。
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