一种等离子法数控晶体生长炉

    公开(公告)号:CN109161960B

    公开(公告)日:2023-06-30

    申请号:CN201811316765.0

    申请日:2018-11-07

    Abstract: 一种等离子法数控晶体生长炉,属于新材料技术领域。包括晶体生长装置,其晶体生长基座端用于放置籽晶;等离子发生装置置于晶体生长装置的晶体生长室顶部,一端与晶体生长室相通,另一端连接原料供应装置;原料供应装置的物料输送管路的外周,靠近物料输出端设置有送料管冷却循环装置;靠近等离子发生装置端套置所述燃料气体管路,所述燃料气体管路外设置燃料气体冷却循环装置;控制系统分别连接原料送料管路、燃料气体管路、送料管冷却循环装置、燃料气体冷却循环装置及等离子发生装置;控制晶体的生长速度。本发明实现了对温度和组成分布参数的精确控制,提高了晶体生长所需要的温度条件、组成条件和力学条件的控制精度,所生长的晶体完整性好。

    一种钛酸锶高纯粉体制备投料设备及其使用方法

    公开(公告)号:CN114100735A

    公开(公告)日:2022-03-01

    申请号:CN202111375752.2

    申请日:2021-11-19

    Abstract: 本发明适用于钛酸锶高纯粉体制备领域,提供了一种钛酸锶高纯粉体制备投料设备,所述钛酸锶高纯粉体制备投料设备包括:安装台,所述安装台上安装有安装管,所述安装管上安装有进料管;下料板,所述下料板上开设有下料口,所述下料板一侧安装有排料口;碾碎组件,安装在所述安装管内部;下料组件,安装在所述安装台上。在该钛酸锶高纯粉体制备投料设备使用时,通过进料管将粉体投入进料管,则粉体会通过进料管先落在下料板上,随后启动碾碎组件,则碾碎组件会进行往复式挤压碾磨,将处于下料板上的粉体进行碾磨,使内部残留的块状物进行碾磨成粉,随后启动下料组件,即可反复将处于下料板上的粉末进行扫除,使其通过排料口排出。

    一种生长光学级金红石单晶体的焰熔炉

    公开(公告)号:CN101736394A

    公开(公告)日:2010-06-16

    申请号:CN201010010099.5

    申请日:2010-01-12

    Abstract: 一种生长光学级金红石单晶体的焰熔炉,涉及一种光学晶体的生长炉。由炉体基体(1)、炉体壳体(2)、刚玉管(3)、观察孔(4)、硅钼棒(5)、散热孔(6)、热电偶(7)、热电偶引线(8)、控制柜(9)、炉体支座(10)和测温孔(11)构成,在生长界面下部设电加热器及其控制系统,炉体下部设置以硅钼棒为加热元件,圆柱面上设置一些通孔的刚玉管为耐火元件,包括测温和控温功能在内的电加热炉。通过生长界面及其上部炉体基体结构设计,在生长界面下部增设电加热器及其控制系统,在炉体内建立合适的温度场,满足生长光学级金红石单晶体的要求。

    一种稀有金属钛酸盐高熵陶瓷筛选设备及其筛选方法

    公开(公告)号:CN114749368A

    公开(公告)日:2022-07-15

    申请号:CN202210388977.X

    申请日:2022-04-13

    Abstract: 本发明公开了一种稀有金属钛酸盐高熵陶瓷筛选设备及其筛选方法,涉及钛酸盐高熵陶瓷原料技术领域。本发明的一种稀有金属钛酸盐高熵陶瓷筛选设备,包括筛选筒、筛选机构和圆形底板,筛选筒包括呈同轴设置的外环套和内环套及用于连接外环套和内环套底面的环底板;筛选机构设置在环底板的上方,且筛选机构至少沿同一时针方向设置有两个;筛选机构包括取料台及设置在取料台上方的筛选板,且取料台和筛选板的水平截面均设置为分别与外环套和内环套间隙配合的扇形。本发明在使用时对粉体的筛选效率高、筛选质量好、且可以根据筛选的需要对筛选的细度进行调整,同时本装置可以实现卡合在网孔中的粉体的自动清理,实用性好。

    一种钛酸锶超细粉体制备设备

    公开(公告)号:CN113019205B

    公开(公告)日:2022-06-07

    申请号:CN202110264654.5

    申请日:2021-03-11

    Abstract: 本发明公开了一种钛酸锶超细粉体制备设备,涉及钛酸锶加工技术领域。本发明包括设备本体,设备本体包括基座,基座底面固定安装有制冷机构,制冷机构出气口的一端连通有送气软管,制冷机构进气口的一端连通有回气软管,基座顶面固定连接有两组对称设置的阻尼缓冲件,两组阻尼缓冲件顶端均固定连接有支座,两支座顶面均固定安装有激振电机,两支座相对表面之间通过轴承转动连接有制备机构,送气软管和回气软管一端均与制备机构转动连通。本发明通过制备机构的设计,使该装置能够以自动化方式快速完成钛酸锶粉体的制备,且在制备时本设备变传统制备设备的单腔单形式静态混料作业为多腔多形式动态搅拌作业。

    一种高纯陶瓷粉体制备设备

    公开(公告)号:CN111167558B

    公开(公告)日:2021-08-03

    申请号:CN202010011949.7

    申请日:2020-01-07

    Abstract: 本发明公开了一种高纯陶瓷粉体制备设备,包括外壳体,所述研磨铁盘外表面相邻边部开设有引导斜面,所述外壳体内部前端面和内部背端面焊接有导料板,所述驱动电机输出轴端部安装有主动锥齿轮,所述传动轴一端套接有从动锥齿轮,所述传动轴另一端套接有主动带轮,所述固定轴位于外壳体外部的端部套接有从动带轮,所述从动带轮与主动带轮外表面之间套接有传动皮带,本发明通过研磨铁盘的平面研磨,且通过一个驱动电机带动两个研磨铁盘,两研磨铁盘相反方向旋转,使得陶瓷粉体粒径更小,便于制备更小粒径的陶瓷粉体,且通过引导斜面和导料板,使得陶瓷块能更充分的被研磨铁盘粉碎,减少陶瓷破碎不充分的地方。

    一种钛酸锶超细粉体制备设备

    公开(公告)号:CN113019205A

    公开(公告)日:2021-06-25

    申请号:CN202110264654.5

    申请日:2021-03-11

    Abstract: 本发明公开了一种钛酸锶超细粉体制备设备,涉及钛酸锶加工技术领域。本发明包括设备本体,设备本体包括基座,基座底面固定安装有制冷机构,制冷机构出气口的一端连通有送气软管,制冷机构进气口的一端连通有回气软管,基座顶面固定连接有两组对称设置的阻尼缓冲件,两组阻尼缓冲件顶端均固定连接有支座,两支座顶面均固定安装有激振电机,两支座相对表面之间通过轴承转动连接有制备机构,送气软管和回气软管一端均与制备机构转动连通。本发明通过制备机构的设计,使该装置能够以自动化方式快速完成钛酸锶粉体的制备,且在制备时本设备变传统制备设备的单腔单形式静态混料作业为多腔多形式动态搅拌作业。

    一种稀有金属钛酸盐高熵陶瓷筛选设备及其筛选方法

    公开(公告)号:CN114749368B

    公开(公告)日:2023-05-26

    申请号:CN202210388977.X

    申请日:2022-04-13

    Abstract: 本发明公开了一种稀有金属钛酸盐高熵陶瓷筛选设备及其筛选方法,涉及钛酸盐高熵陶瓷原料技术领域。本发明的一种稀有金属钛酸盐高熵陶瓷筛选设备,包括筛选筒、筛选机构和圆形底板,筛选筒包括呈同轴设置的外环套和内环套及用于连接外环套和内环套底面的环底板;筛选机构设置在环底板的上方,且筛选机构沿同一时针方向至少设置有两个;筛选机构包括取料台及设置在取料台上方的筛选板,且取料台和筛选板的水平截面均设置为分别与外环套和内环套间隙配合的扇形。本发明在使用时对粉体的筛选效率高、筛选质量好、且可以根据筛选的需要对筛选的细度进行调整,同时本装置可以实现卡合在网孔中的粉体的自动清理,实用性好。

    一种焰熔法生长光学级钛酸锶单晶体装置

    公开(公告)号:CN114059147A

    公开(公告)日:2022-02-18

    申请号:CN202111398714.9

    申请日:2021-11-19

    Abstract: 本发明公开了一种焰熔法生长光学级钛酸锶单晶体装置,该焰熔法生长光学级钛酸锶单晶体装置,包括防护箱,还包括:反应箱,所述反应箱设置在防护箱内部,所述反应箱内腔固定设置有隔板,所述隔板下方设置有出料筒,所述出料筒外部设置有用于喷洒物料的出料口,所述反应箱顶部设置有用于储存气体的储气罐;粉碎筒,所述粉碎筒内部设置有转动杆,所述转动杆外部设置有用于研磨物料的粉碎叶片,所述粉碎筒通过底端设置的出料管与反应箱相连通;出料机构,能够将气体从出料口喷洒;焰熔法生长光学级钛酸锶单晶体装置通过粉碎叶片对粉末进行搅拌粉碎,保粉末和氢气同时被吸入反应箱内部并从出料口喷洒出,保证了粉末出料的均匀稳定。

    基于晶体在富氧气氛中生长的三管燃烧器

    公开(公告)号:CN111118602A

    公开(公告)日:2020-05-08

    申请号:CN202010085067.5

    申请日:2020-02-10

    Abstract: 一种基于晶体在富氧气氛中生长的三管燃烧器,属于燃烧器技术领域。包括依次套置的三个管件及套置在最外侧管件端部的连接件,所述最内侧管件的喷头端部连接内氧喷嘴,最内侧管件另一端连通氧气;在最内侧管件的内氧喷嘴端和中间管件间形成氢气通道,在中间管件和最外侧管件间形成外氧通道,该外氧通道连通氧气;所述连接件套置在内氧喷嘴上,并置于晶体生长室顶部,连接件上与各通道连接端分别对应开有多个通孔,由内氧喷嘴至外分别形成氢气喷嘴及外氧喷嘴,各个喷嘴喷出的气体喷入晶体生长室,保证晶体熔体及其生长界面处于富氧气氛当中,并能够有效促使氢气和内氧充分燃烧并加热内氧。

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