公开(公告)号：CN107941861B

公开(公告)日：2020-04-24

申请号：CN201711127757.7

申请日：2017-11-15

Applicant: 江西师范大学

Inventor： 杨勇 ,  梁艳 ,  俞挺 ,  徐铿 ,  崔澳 ,  许科宏 ,  卢勇治 ,  杨用龙 ,  袁彩雷

IPC: G01N27/12 ,  B82Y40/00

Abstract: 本申请提供一种纳米级气敏传感器的形成方法，包括：对第三气敏层进行回刻蚀，使得第一气敏层、第二气敏层和第三气敏层环绕电隔离层；形成覆盖第一介质层、第二气敏层和第三气敏层的第三介质层；在第三介质层上形成掩膜，刻蚀第三介质层和第一介质层直至暴露出衬底；侧向刻蚀去除位于第一气敏层下方的第一介质层，使得第一气敏层悬空；形成开口；在开口内填充第四介质层；侧向回刻蚀第三介质层和第一介质层，露出第一气敏层、第二气敏层和第三气敏层；形成环包第一气敏层、第二气敏层和第三气敏层的第一导电层。本申请的形成方法与集成电路工艺兼容。

公开(公告)号：CN107941861A

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201711127757.7

申请日：2017-11-15

Applicant: 江西师范大学

Inventor： 杨勇 ,  梁艳 ,  俞挺 ,  徐铿 ,  崔澳 ,  许科宏 ,  卢勇治 ,  杨用龙 ,  袁彩雷

IPC: G01N27/12 ,  B82Y40/00

Abstract: 本申请提供一种纳米级气敏传感器的形成方法，包括：对第三气敏层进行回刻蚀，使得第一气敏层、第二气敏层和第三气敏层环绕电隔离层；形成覆盖第一介质层、第二气敏层和第三气敏层的第三介质层；在第三介质层上形成掩膜，刻蚀第三介质层和第一介质层直至暴露出衬底；侧向刻蚀去除位于第一气敏层下方的第一介质层，使得第一气敏层悬空；形成开口；在开口内填充第四介质层；侧向回刻蚀第三介质层和第一介质层，露出第一气敏层、第二气敏层和第三气敏层；形成环包第一气敏层、第二气敏层和第三气敏层的第一导电层。本申请的形成方法与集成电路工艺兼容。