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公开(公告)号：CN119742241A
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202411943824.2
申请日：2024-12-27
Applicant: 江苏芯德半导体科技股份有限公司
Inventor： 陈晗玥
IPC: H01L21/60 , H01L21/56 , H01L23/495
Abstract: 本发明提供一种包含侧翼结构的QFN芯片制作方法，属于半导体封装技术领域，提供载板，于载板的一侧形成临时键合层；于临时键合层背离载板的一侧形成与侧翼结构相应的侧翼结构去除层；于侧翼结构去除层背离临时键合层的一侧形成引脚和基岛；于基岛背离临时键合层的一侧贴装芯片；在芯片和引脚之间焊线，实现电气连接；形成包覆临时键合层、侧翼结构去除层、引脚、基岛、芯片和焊线的塑封体；解键合去除载板和临时键合层；去除侧翼结构去除层；切割塑封体形成单颗封装体；本发明优化了湿法可焊接型产品的制造工艺，提高了生产效率，解决了通过切割形成侧翼从而导致的不良后果所引发的问题。
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公开(公告)号：CN118983292A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202410972312.2
申请日：2024-07-19
Applicant: 江苏芯德半导体科技股份有限公司
Abstract: 本发明是通过如下的技术方案来实现：一种混合存储芯片的双面封装结构，包括基板，所述基板正反两面均焊接有芯片一，芯片一的表面焊接有芯片二，芯片二表面设置有若干个金属凸块，芯片一与基板之间通过焊线电气连接，基板正反两面均设置有覆盖芯片一、芯片二以及焊线的塑封体，塑封体上设置有用于将基板线路引出至塑封体表面的导电柱，塑封体表面设置有用于互联芯片二表面金属凸块与导电柱的RDL层，且其中一个RDL层表面设置有锡球。本发明通过在基板的正反两面均堆叠多层芯片，并在塑封体表面制作RDL层，实现了芯片二上金属凸块与RDL层的互联，芯片一与基板互联，通过导电柱将基板与RDL层互联，实现正反面多颗芯片之间的整体互联。
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公开(公告)号：CN222690659U
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202421371175.9
申请日：2024-06-17
Applicant: 江苏芯德半导体科技股份有限公司
IPC: H01L21/683
Abstract: 本发明的一种TCB多孔放置工具，于基座顶面设有用于吸附芯片的吸附台，吸附台凸出于基座顶面的高度为0.5mm；吸附孔设于吸附台的顶面。其通过设置若干个凹槽式的吸附孔，增强了对芯片的吸附力，提高了芯片焊接的稳定性；背面的负压孔互联保证了正面的吸附孔的吸力的均匀性，提高吸附的稳定性；通过降低吸附台的高度至0.5mm，在芯片焊接时，保留热量，减小热损失，有效避免了两颗芯片热压键合时互联区相互干扰，防止第二芯片焊接不良，进而改善因微凸块结合异常而带来的良率损失，具有很强的实用性和广泛地适用性。
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公开(公告)号：CN221937199U
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202420501123.2
申请日：2024-03-15
Applicant: 江苏芯德半导体科技股份有限公司
Inventor： 陈晗玥
IPC: B28D1/22
Abstract: 本发明的一种晶圆切割刀片，包括刀座；轴孔设于所述刀座的底部；沿轴向，第一刀头垂设于刀座的顶部；于第一刀头的两侧，刀座的顶面倾斜设置，且分别于倾斜面设置第二刀头和第三刀头。通过刀座顶部的第一刀头、第二刀头、第三刀头在切割的连筋段的同时，完成翼槽的切割，无需二次切割，提高了制程效率；且由倾斜的翼槽型替代矩形的引脚台阶，切割出的翼槽在PCB板焊接时不易产生气泡，提高产品的焊接性能与焊接的可靠性，具有很强的实用性和广泛地适用性。
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