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发明公开
一种混合存储芯片的双面封装结构及其制备方法审中-实审

公开(公告)号：CN118983292A

公开(公告)日：2024-11-19

申请号：CN202410972312.2

申请日：2024-07-19

Applicant: 江苏芯德半导体科技股份有限公司

Inventor： 陈晗玥 , 钟小辉

IPC: H01L23/498 , H01L23/49 , H01L21/60 , H01L21/56 , H01L23/31 , H10B80/00

Abstract: 本发明是通过如下的技术方案来实现：一种混合存储芯片的双面封装结构，包括基板，所述基板正反两面均焊接有芯片一，芯片一的表面焊接有芯片二，芯片二表面设置有若干个金属凸块，芯片一与基板之间通过焊线电气连接，基板正反两面均设置有覆盖芯片一、芯片二以及焊线的塑封体，塑封体上设置有用于将基板线路引出至塑封体表面的导电柱，塑封体表面设置有用于互联芯片二表面金属凸块与导电柱的RDL层，且其中一个RDL层表面设置有锡球。本发明通过在基板的正反两面均堆叠多层芯片，并在塑封体表面制作RDL层，实现了芯片二上金属凸块与RDL层的互联，芯片一与基板互联，通过导电柱将基板与RDL层互联，实现正反面多颗芯片之间的整体互联。

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