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公开(公告)号：CN114195090B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202111444168.8
申请日：2021-11-30
Applicant: 江苏普诺威电子股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种超高电容MEMS封装载板及其制作工艺，所述制作工艺包括如下步骤：开料、内层线路：进行压干膜、曝光、显影、蚀刻和退膜处理、压合、机械钻孔、镭射钻孔及填孔、外层线路：进行压干膜、曝光、显影、蚀刻和退膜处理、阻焊和成型；通过上述制作工艺得到的埋容四层板具有相互并联的双层电容层，因此具有超高的电容密度，从而极大地提升了PCB产品电容值，使得产品性能得到了明显的提高。
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公开(公告)号：CN111328217B
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202010273802.5
申请日：2020-04-09
Applicant: 江苏普诺威电子股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种MEMS封装载板叠构及其制作方法，包括以下步骤：准备覆铜基板A和覆铜基板B；对覆铜基板A进行处理，得到单面覆铜基板；对覆铜基板B进行处理，得到具有单面线路的双面覆铜基板Ⅱ；将单面覆铜基板、PP片和双面覆铜基板Ⅱ顺序叠放、对位并压合处理后，形成一为假四层板结构的MEMS封装载板叠构结构。本发明所提供的MEMS封装载板叠构的制作方法相对简单、易操作，很好的解决了翘曲问题，既确保了电路板产品的品质，又降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN111328217A
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN202010273802.5
申请日：2020-04-09
Applicant: 江苏普诺威电子股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种MEMS封装载板叠构及其制作方法，包括以下步骤：准备覆铜基板A和覆铜基板B；对覆铜基板A进行处理，得到单面覆铜基板；对覆铜基板B进行处理，得到具有单面线路的双面覆铜基板Ⅱ；将单面覆铜基板、PP片和双面覆铜基板Ⅱ顺序叠放、对位并压合处理后，形成一为假四层板结构的MEMS封装载板叠构结构。本发明所提供的MEMS封装载板叠构的制作方法相对简单、易操作，很好的解决了翘曲问题，既确保了电路板产品的品质，又降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN114195090A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111444168.8
申请日：2021-11-30
Applicant: 江苏普诺威电子股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种超高电容MEMS封装载板及其制作工艺，所述制作工艺包括如下步骤：开料、内层线路：进行压干膜、曝光、显影、蚀刻和退膜处理、压合、机械钻孔、镭射钻孔及填孔、外层线路：进行压干膜、曝光、显影、蚀刻和退膜处理、阻焊和成型；通过上述制作工艺得到的埋容四层板具有相互并联的双层电容层，因此具有超高的电容密度，从而极大地提升了PCB产品电容值，使得产品性能得到了明显的提高。
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公开(公告)号：CN114206001B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202111447442.7
申请日：2021-11-30
Applicant: 江苏普诺威电子股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种高耐压MEMS封装载板及其制作工艺，所述制作工艺包括如下步骤：开料、内层线路：进行压干膜、曝光、显影、蚀刻和退膜处理、压合、机械钻孔、镭射钻孔及填孔、外层线路：进行压干膜、曝光、显影、蚀刻和退膜处理、阻焊和成型；通过上述制作工艺得到的埋容四层板具有相互串联的双层电容层，因此解决了使用超高电容密度材料造成成品PCB存在耐电压不足而导致击穿短路的风险，增强PCB的耐高压能力、极大增强了产品信耐性能力。
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公开(公告)号：CN114206001A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111447442.7
申请日：2021-11-30
Applicant: 江苏普诺威电子股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种高耐压MEMS封装载板及其制作工艺，所述制作工艺包括如下步骤：开料、内层线路：进行压干膜、曝光、显影、蚀刻和退膜处理、压合、机械钻孔、镭射钻孔及填孔、外层线路：进行压干膜、曝光、显影、蚀刻和退膜处理、阻焊和成型；通过上述制作工艺得到的埋容四层板具有相互串联的双层电容层，因此解决了使用超高电容密度材料造成成品PCB存在耐电压不足而导致击穿短路的风险，增强PCB的耐高压能力、极大增强了产品信耐性能力。
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